解锁 “终极半导体”:单晶金刚石衬底原子级制造关键技术


编者按
单晶金刚石因超高硬度、极强化学惰性和晶体各向异性,传统抛光方法难以实现原子级去除、易产生表面损伤且无法全局平坦化,而化学机械抛光(CMP)虽为大尺度全局平坦化的核心工艺,却面临软磨粒去除效率低、硬磨粒易致损伤的困境,实现其亚纳米精度、无损、高效制造成为产业与科研的关键挑战。
本次金粉讲堂第222期,我们特别邀请到清华大学天津高端装备研究院润滑技术研究所常务副所长、教授级高工戴媛静进行技术分享。戴所长深耕科研领域,荣誉加身、成果丰硕,不仅是天津市三八红旗手,还入选天津市十百千工程人才、天津市“131”创新型人才。她主持及参与多项国家、地方、军队及企业科研项目,发表中英文论文40余篇,申请发明专利50余项(其中33项已授权),主编技术书籍1本,斩获省部级科研奖励4项。
3月19日(本周四)晚19:30,戴所长将聚焦被誉为“终极半导体”的单晶金刚石——这一第四代半导体材料的加工难题,与大家展开深入探讨、分享前沿见解。(金粉讲堂已全新升级,看到最后有惊喜哦)
演讲主题
单晶金刚石衬底原子级制造机理与工艺路径
时间:3月19日 19:30~20:30
精彩内容
1. 针对传统抛光技术无法实现原子级去除、易产生表面损伤、难以全局平坦化的行业难题,开展工艺探讨。

2. 首创物理场+化学催化耦合的化学机械抛光技术路径,分别开发等离子体辅助、电场辅助两大工艺方向,实现物理与化学作用的协同增效,从机理层面突破单晶金刚石抛光去除效率低的技术瓶颈。

3. 等离子体辅助抛光工艺实现性能突破。通过仿真筛选出氮气等离子体为最优活化介质,可控生成无定形碳过渡层,同时优化出芬顿、纳米金属等高效催化体系。

4. 借鉴碳化硅电化学抛光思路,利用高压静电场尖端效应实现金刚石表面微峰选择性去除,单独电场辅助抛光去除速率较传统机械抛光提升60%。

主讲嘉宾
好学生福利
干货满满,奖品多多!
直播期间将从积极参与互动、提出专业问题的金粉中抽取15位幸运观众,送出金属加工2025年4月~2026年4月全年杂志。

3月19日晚19:30,等你来!
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