Gatan携新品亮相M&M2026：F1-GIF如何让EELS分析告别"选择题"

2026年8月2日至6日，显微镜与显微分析年会（Microscopy & Microanalysis，M&M 2026）在美国密尔沃基盛大举行。Gatan公司在此次展会上重磅发布了其新一代

电子能量损失谱（EELS）

平台——F1-GIF™系统，并同步展示了多款覆盖样品制备、原位分析及软件生态的全新解决方案。

F1-GIF 系统，型号 1169（图源：Gatan）

作为此次展会的核心亮点，F1-GIF™系统旨在解决研究者长期面临的“取舍困局”——

即不得不在能量范围、能量分辨率、探测灵敏度与实验流程效率之间做出妥协

。该系统凭借两大核心技术革新实现了突破：

其一是新一代大面阵直接探测传感器，具备5760×4096像素，支持30至300千伏全电压范围无缝操作，相较上一代产品在信噪比、电荷收集效率和点扩散函数上均有显著优化，几乎无暗计数噪声，最高采谱速率超过每秒一万谱；

其二是全新的底层电子光学架构，基于突破性磁棱镜设计，结合新一代直接探测技术，使得单次采集即可同时获得宽广能量范围与精细谱学细节，无需在广度与精度间做取舍。F1-GIF能够清晰分辨能损近边精细结构，从而在复杂多元素材料中实现准确的化学键合态分析，同时单个探测器覆盖全电压范围，确保任何加速电压下都能保持一致的高灵敏度。

更值得关注的是，该平台将高速剂量分割、低剂量谱成像与5D S

TEM

工作流程整合于一体，研究者可在同一纳米区域关联成分、化学态、结构、取向、应变和局部电势等信息，从而将EELS与4D STEM有机融合，形成真正多维度的分析能力。

Gatan为此在也展会期间专门安排了供应商教程发布活动，并在展位举办了多场技术讲座，涵盖进动辅助4D STEM采集、直接探测衍射应用以及下一代双倾冷冻样品杆等前沿主题。除F1-GIF外，Gatan还集中展示了近期推出的多款互补性产品，如PECS™ III宽束氩离子研磨系统、Ilion® III台式系统、Model 1697双倾液氮冷冻样品杆等，构建起从样品制备到数据分析的完整生态。

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