一天砸下近100亿！这两大巨头同时出手建厂：它们在布局哪个赛道？

8月11日，国内光芯片赛道迎来“双响炮”，源杰科技与纵慧芯光在同一天相继宣布重磅扩产计划。

其中，陕西源杰科技拟斥资42.68亿元建设半导体科技产业园，江苏纵慧芯光则宣布50亿元高端光通信芯片基地落户常州。

在AI算力需求井喷的当下，两家大厂不约而同地选择重仓高端光芯片，这既是对市场前景的坚定看好，也是国产厂商冲刺技术高地的集中爆发。

8月11日晚间，源杰科技披露投资公告，拟投资约42.68亿元建设源杰半导体科技产业园项目。项目选址陕西省西咸新区沣西新城，占地约126亩，将新建激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施，建设周期为24个月。公司表示，此举旨在突破现有产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模，提升产品交付能力和市场竞争力。

据悉，源杰科技成立于2013年，是国内采用IDM垂直整合制造模式的光芯片企业，业务覆盖芯片设计、外延生长、晶圆制造、封装测试等全产业链环节。此次大手笔扩产的底气，来自业绩的爆发式增长。

财报显示，2026年上半年，公司预计实现营业收入9亿元至9.5亿元，同比增长339%至364%；归母净利润6亿元至6.5亿元，同比增长近12倍至13倍。

不过，硬币的另一面也值得关注。公司货币资金已由去年一季度末的10.83亿元逐季递减至今年一季度末的5.67亿元。此次投资的资金来源为自有资金及银行贷款，公司坦言若资金筹措不及预期，项目存在顺延、变更、中止或终止的风险。

值得一提的是，目前，源杰科技正在冲刺港股IPO，2026年3月已向港交所递交招股书。项目尚需提交股东会审议，用地、备案、环评等前置审批手续的办理进度，将直接影响项目的开工时间。

同一天即8月11日，纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地签约落户常州武进国家高新区。项目持续投入总计约50亿元，将重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线。公司表示，将聚焦磷化铟高端激光芯片的研发与规模化量产，打造国内规模领先、技术一流的光芯片研发制造基地。

资料显示，纵慧芯光成立于2015年，由多位斯坦福博士创立，是国内少有的同时实现砷化镓和磷化铟光芯片规模化量产的IDM企业。产品覆盖消费电子3D传感、车规级激光雷达及AI高速光通信领域。公司股东阵容堪称豪华——华为哈勃、小米长江产业基金、比亚迪、大疆创新、国开制造业基金等二十余家机构均已入局。2026年5月，蚂蚁集团全资子公司也正式成为新增股东。

此次50亿级项目的落地，并非纵慧芯光的首次产能扩张。2025年9月，总投资5.5亿元的FabX项目已在武进国家高新区竣工投产。从砷化镓VCSEL到磷化铟高速激光器，纵慧芯光正在完成从“短距离传感”到“高速光通信”的能力跃迁。

随着AI算力持续提速，高端光芯片已成为半导体产业的核心刚需，此次扩产将有效缓解高端光芯片的对外依赖。

一天之内，两家头部企业合计近百亿的资金注入，绝非巧合，而是产业链对AI算力大周期的集体押注。

近百亿资金的涌入，吹响了国产光芯片冲锋的号角。为什么是现在？因为光模块的速率正在从400G向800G乃至1.6T极速迭代，单通道速率的提升对激光器提出了近乎苛刻的要求。

事实上，光芯片是光通信产业链的最上游，也是AI算力集群中"卡脖子"的最细环节。无论是EML路线还是硅光路线，磷化铟激光器都是绕不开的“光源心脏”。过去，国内模块厂在高端激光器上高度依赖海外，面临断供风险。如今，随着源杰和纵慧芯光的产能释放，国产供应链正在构建“双保险”甚至“多保险”机制。

不过，这也是一场“长跑”。光芯片制造涉及外延生长、光栅制作等复杂工艺，且洁净室和测试设备的投入巨大。企业现在砸下的钱，赌的是2027年以后的市场需求。谁能率先跑通高良率、通过头部云厂商的验证，谁才能真正吃到这波AI红利，变成实实在在的利润。

或许，此次近百亿资金砸向光芯片上游，只是一个开始。当"国产替代"的语境逐渐切换为"国产主导"，这场围绕磷化铟的产能军备竞赛，才刚刚拉开帷幕。

来源：激光制造网 编辑：十一郎

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