首度公开！思特威最新Micro LED光互连样机亮相，或于27年商用落地

7 月 1 日，思特威正式对外展出新一代Micro LED 高速光互连演示样机。这是公司依托 CIS 同源技术切入 AI 算力高速互联赛道的重要公开里程碑。

图源：思特威

此次展出的样机采用 10×10 Micro LED 阵列架构，现场实测带宽达到 300G，各项核心指标表现突出。整机功耗控制在 0.8pJ/bit，这一能耗水平仅为当前主流可插拔激光方案的 5%，节能优势十分明显。产品还具备较强的环境适应性，可在 - 45℃至 125℃的宽温区间稳定工作，能够适配服务器、工业设备等严苛运行环境。

在传输速率方面，方案单通道带宽最高可达 3Gbps，常规运行带宽稳定在 2.4Gbps，理论上限能够触及 8Gbps。按照公司技术规划，到 2026 年底还将完成 20×20 规格的演示样机研发，届时整套系统将满足 1.6T 高速通信的性能要求，对标下一代高端光模块的技术标准。

图：MicroLED单路3Gbps传输速率实时演示图

思特威高速光互联 BG 联席总经理王文轩在现场表示，光互连是算力产业发展的重要基石，其核心技术的国产替代已是必然趋势。他同时透露，MicroLED 高速光互连方案有望在 2027 年实现商用落地。

从技术路径来看，思特威的方案核心逻辑是用 Micro LED 作为光源替代传统激光器，依托其非激光自发辐射特性提升光电转换效率。相比传统激光器方案，光电转换效率提升约 30%，能够显著优化整机供电利用效率，缓解算力设备长期运行下的功耗压力。

整套光互连系统由思特威自主完成发射端 TX 芯片和接收端 RX 芯片设计，同时承担 Micro LED 多组件整体系统整合工作。其中，RX 接收芯片基于公司长期积累的 CMOS 图像传感器光电探测技术改造优化而来，研发工艺和量产经验可直接复用，这也是思特威跨界切入这一赛道的核心优势所在。

在架构层面，方案采用 Micro LED 并行光传输架构，整体可支持 1Tbps 以上的超大并行传输带宽。其核心思路是以数百路并行低速光通道，替代传统少量高速电通道，从根源上解决电互联带宽不足、功耗高、信号串扰、传输距离受限等多重痛点。

思特威在短距光互连领域的布局并非临时起意，而是其 "3+AI" 整体发展战略的重要组成部分。公司长期以智能手机、汽车电子、智慧安防三大 CIS 主业为经营基本盘，同时围绕 AI 终端场景布局多条新兴业务线，MicroLED 光互连正是其中最具想象空间的方向之一。

思特威在 Pixel 设计、异质集成工艺、MicroLED 器件研发等领域已有较深积累，核心 CMOS 工艺与光互连收发芯片设计高度同源，技术协同性显著。这种技术复用能力，使得公司能够以相对较低的研发成本快速切入光互连赛道，同时保障产品性能和量产可行性。

思特威采取开放合作模式，已与上游 Micro LED 芯片厂商、光纤供应商、下游封装企业开展产业链协同研发。其中最受关注的是 2026 年 5 月与紫光展锐达成的战略合作 —— 双方将围绕 MicroLED 高速光互连开展全链条协同研发，整合思特威的 MicroLED 阵列光源、光传感技术，与紫光展锐的高速 SerDes、芯片设计能力，联合开发新一代 MicroLED CPO（光电共封装）光互连解决方案，重点攻克传统光互连成本高、集成度低、功耗偏高等行业痛点。

思特威与全球领先的 MicroLED 外延、芯片厂商建立了深度战略合作关系，保障核心器件供应，同时与全球先进的晶圆、封测厂商紧密协同，共同推进 CPO 技术的量产落地。目前，公司已初步构建光互连产业生态，上游协同 MicroLED、光纤等核心元器件厂商，下游对接头部光模块、GPU 及车载芯片厂商。

公司规划 2026 年下半年推出 MicroLED 光互连原型产品，2027 年实现规模化商用。这一节奏与行业整体判断基本一致 —— 多数业内企业都将 2027 年视为小批量商用的关键节点，2028 年进入规模化量产阶段。

思特威并非唯一在这条赛道上发力的国内企业。事实上，2026 年上半年，MicroLED CPO（光电共封装）已成为半导体行业最受关注的方向之一，多家企业密集公布进展，产业链协同明显加速。

从入场方式来看，国内企业的路径颇为多元 —— 既有传统 LED 芯片厂商向光通信延伸，也有 CIS 厂商跨界，还有面板材料企业切入，整体以样品研发和客户验证为主，正稳步向商业化推进。

整体来看，国内企业在客户资源上呈现 "国内为主、海外突破" 的特点。三安已送样英伟达、微软、中际旭创、华为；华灿向海外客户交付样品；沃格向华为、中际旭创送样。在国产替代浪潮下，国内供应链的自主可控需求为本土企业提供了独特的发展机遇。