键合机头号玩家，布局下一代混合键合！

发布时间：2026-04-10来源：半导体盒

来源：Semiconductor Digest，网络。

韩美半导体（HANMI Semiconductor）近日表示，计划于今年内推出用于新一代高带宽存储器（HBM）生产的第二代混合键合机原型，并开始与客户展开合作。该公司还准备在 2027 年上半年启动其混合键合机工厂的运营。

本公告是公司战略的一部分，旨在主动应对未来对混合键合的需求——预计该技术将于 2029 年左右实现量产——同时进一步巩固其在 HBM 热压键合机市场的领先地位。

混合键合技术直接实现芯片与晶圆之间铜（Cu）互连的键合。该技术摒弃了传统焊料凸点，在降低封装厚度的同时提升了散热性能和数据传输速度，因此对于拥有20层以上的高堆叠HBM而言，其重要性日益凸显。

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此前，该半导体公司于 2020 年率先推出了一款“用于高带宽存储器生产的第一代混合键合机”，由此积累了核心技术与验证诀窍。第二代设备整合了第一代的开发经验与基础技术进行研发，在纳米级精度、工艺稳定性、良率等方面进一步提升了完善度。

韩美半导体还与多家国内半导体设备企业在混合键合相关的等离子体、清洗及沉积技术领域展开紧密合作。

HBM 是一种通过堆叠多层 DRAM 来显著提升数据处理速度的存储半导体。为提升HBM 的性能，必须堆叠更多DRAM层。目前，制造 HBM 所用的设备是 “TC 键合机”，它通过插入凸点（凸起物）来连接 DRAM 层，凸点在层与层之间传输电信号。混合键合机摒弃了凸点，直接将芯片和晶圆上的铜线键合在一起，可实现更薄的DRAM 堆叠。由于当前HBM仅有12 层或16 层，要将 HBM 层数提升至 20 层以上，这种键合机被认为是必不可少的。