三星电子，交付行业首款 HBM4E 样品！
发布时间：2026-05-30来源：半导体盒
三星电子近日宣布，已向全球主要客户交付业内首款 12 层堆叠 HBM4E 样品，进一步巩固其在下一代高带宽内存（HBM）领域的领先地位。三星 12 层堆叠 HBM4E 速率最高可达 16Gbps，能效与散热性能同步提升依托成熟的 HBM4 量产工艺与技术升级，该产品可满足下一代人工智能愈发严苛的运算需求今年早些时候，三星率先实现标杆级产品 HBM4 的量产与商用交付。如今，三星顺势推出 HBM4E 样品，持续完善 HBM 产品路线，直面人工智能计算与超大规模基础设施快速迭代的市场需求。三星电子存储开发负责人、高级副总裁 Sang Joon Hwang 表示：“继 HBM4 顺利量产后，三星凭借 HBM4E 再度展现出独有的技术优势。我们将依托领先的制造能力与前瞻性基建投入，持续推动全球 AI 存储市场发展。”三星 HBM4E 标准引脚速率为 14Gbps，最高可超频至 16Gbps，能够承载高强度数据处理任务。相较上一代 HBM4，其性能提升超 20%，单堆叠内存带宽最高可达3.6TB/s，可充分释放大语言模型（LLM）及新一代 AI 系统的运算潜能。此次推出的 12 层堆叠 HBM4E 单颗容量为48GB，容量较上一代提升超 30%。后续三星还将根据客户需求，陆续推出 8 层堆叠 32GB、16 层堆叠 64GB 等不同规格版本。HBM4E 深度整合三星全栈半导体技术，沿用经 HBM4 量产验证的前沿工艺：采用业界领先的第六代 10nm 级 DRAM 工艺（1c），搭配三星晶圆厂4nm 逻辑基底芯片，大幅提升工艺稳定性与量产良率。三星同时对 HBM4E 的内存与逻辑架构完成设计及工艺优化，全面提升产品性能、能效与成品率。得益于全新低功耗设计技术与封装结构优化，该产品能效提升 16%，耐热性能提升超 14%。散热能力的升级，让其在高负载运行的新一代数据中心中，能够长期稳定工作并降低整体能耗。三星表示，完成样品交付与客户适配调试后，将配合客户进度启动 HBM4E 量产工作。今年 2 月推出的 HBM4 已收获全球客户的高度认可，其性能与能效表现广受好评。作为业内首款实现量产的 HBM4，该产品在系统级封装（SiP）测试中速率达到 11.7Gbps，树立了行业新标杆。目前 HBM4 供货规模持续扩大，而采用同款核心芯片与基底芯片的全新 HBM4E 也即将迎来量产，将进一步加速新一代 AI 系统的技术革新。凭借覆盖存储、晶圆代工、逻辑芯片设计及先进封装的完整产品矩阵，三星将持续为高速发展的 AI 市场保障半导体产品稳定供应。
Lam Research，成立面板级封装研发中心 ！
↓设置星标，精彩不错过↓
本文仅作行业信息分享、技术交流，不涉及任何涉密内容欢迎关注本公众号，获取更多半导体设备、工艺、产业动态
转载说明：本文系转载内容，版权归原作者及原出处所有。转载目的在于传递更多行业信息，文章观点仅代表原作者本人，与本平台立场无关。若涉及作品版权问题，请原作者或相关权利人及时与本平台联系，我们将在第一时间核实后移除相关内容。
五度妙笔
API商城
数据库
