Applied Materials，夏季上新！

发布时间：2026-06-17来源：半导体盒

来源：Applied Materials。

Applied Materials 近日发布沉积与选择性刻蚀系统，推进三维芯片缩放，新系统可在高深宽比三维逻辑和存储芯片结构中实现精密材料工程

Centris Spectral SiN ALD 采用创新微波等离子体技术，可在复杂三维结构中实现均匀氮化硅沉积
Producer Selectra Mo Etch 可选择性去除钼，用于字线分离，支持3D NAND 缩放

这些新系统正被领先逻辑芯片和存储芯片制造商用于先进节点制造

Applied Materials 近日推出两款全新芯片制造系统，旨在解决先进半导体制造中正在出现的一项挑战：在越来越深、越来越窄的三维结构中实现精密加工。这些新的沉积系统与刻蚀系统可帮助芯片制造商延续逻辑与存储器件的缩放，以便为下一代人工智能芯片带来更高性能、更高能源效率和更好的制造良率。

人工智能计算需求的激增，正在加速行业向先进三维器件架构转型，包括环绕栅晶体管和高层数 3D NAND。随着这些垂直结构中的特征尺寸变得更深、更窄，传统沉积与刻蚀工艺难以从顶部到底部均匀分布材料，从而产生可降低电学性能并减少良率的变异性。

为帮助应对这一挑战，Applied Materials 正在推出 Centris Spectral SiN ALD 和 Producer Selectra Mo Etch。二者共同为芯片制造商提供对高深宽比结构中介电薄膜沉积和金属去除的精确控制。其结果是在先进节点实现更均匀的材料工程，使三维缩放能够继续推进，并在逻辑和存储应用中带来更好的器件性能、更严格的工艺控制以及更优的可制造性。

Applied Materials 半导体产品集团总裁 Dr. Prabu Raja 表示：“随着行业不断推进人工智能计算的极限，最大的机会正越来越多地出现在材料工程领域。从晶体管结构到存储堆叠，芯片制造商需要新的方法，在极其复杂的三维架构中精确沉积材料并选择性去除材料。凭借我们最新的沉积系统与选择性刻蚀系统，我们正在提供差异化能力，帮助客户克服关键缩放障碍，并加速逻辑和存储领域的下一波创新。”

Centris Spectral SiN ALD 在复杂三维结构中实现均匀沉积

氮化硅是芯片制造工艺多个步骤中的基础材料，包括表面钝化、介电隔离和图形化间隔结构的形成。这些薄膜必须在低温下沉积，以保护相邻结构；同时还必须具有化学稳健性，以承受后续严苛工艺步骤。

Centris Spectral SiN ALD

传统等离子体增强沉积无法对先进三维芯片架构中的高深宽比结构进行均匀处理，导致氮化硅薄膜质量较差。Centris Spectral SiN ALD 通过一种创新的高密度微波等离子体技术解决了这一问题，该技术可在高而窄的结构内部沉积高质量氮化硅，从而消除传统方法中等离子体密度与离子诱导损伤之间的权衡。该系统即使在复杂三维结构中，也能在低温下实现致密、均匀的氮化硅沉积。

该系统具备多种应用，可支持动态随机存取存储器和逻辑器件继续缩放。例如，在环绕栅晶体管中，该系统可用于为晶体管接触结构形成高质量衬层，从而降低关键界面处的电阻和电容，实现更快的器件性能。

Centris Spectral SiN ALD 是基于 Applied Materials 全新 Spectral ALD 平台的最新系统。该平台是一系列原子层沉积工具，具备先进的四反应腔设计、精密化学品输送、多种等离子体与热处理能力，以及用于时间序列原子层沉积和空间原子层沉积操作的专用硬件，可形成多种先进薄膜，为先进人工智能芯片提供支撑。

Centris Spectral SiN ALD 系统正被领先芯片制造商采用。展示该系统能力的动画可在原文链接中查看。

Producer Selectra Mo Etch 通过选择性金属去除支持 3D NAND 缩放

随着 3D NAND 向更高层数缩放，新的金属集成步骤正在将传统图形化方法推向极限。低电阻金属，例如钼，正被用于字线金属化；这要求各条字线之间实现精确隔离，以防止电气短路并降低不需要的电容。传统上，湿法刻蚀被用于分离字线，但在如今较高的三维堆叠中，液态化学品难以到达高深宽比特征结构的完整深度。这会形成顶部刻蚀更重的轮廓，从而限制器件性能、良率和可缩放性。

Producer Selectra Mo Etch

Producer Selectra Mo Etch 引入了一种用于高选择性金属去除的新能力，可在整个堆叠范围内实现精确、均匀的字线分离。通过工程化工艺控制和先进气体输送，该系统克服了湿法刻蚀的限制，在深层特征结构中实现更优的自顶到底均匀性和严格的轮廓精度。

通过降低 3D NAND 堆叠中单元与单元之间的变异性，该系统有助于降低漏电并改善数据保持能力。Producer Selectra Mo Etch 已经在大批量制造中得到验证，为选择性金属刻蚀树立了新的基准，并支持下一代 3D NAND 继续缩放时从传统湿法工艺转向新工艺。该新系统将 Producer Selectra Mo Etch 产品组合从介电材料和硅应用扩展到先进金属集成，并在与非门闪存、动态随机存取存储器以及代工逻辑领域带来新的机会。

新系统于 2026 年超大规模集成研讨会上展示

Applied Materials 将结合 2026 年电气和电子工程师协会超大规模集成技术与电路研讨会重点展示这些创新。在该会议上，行业汇聚一堂，讨论正在塑造人工智能驱动半导体创新未来的进展。会议期间，Applied Materials 于 6月16日举办一场专题讨论，探讨系统架构、逻辑与存储技术、先进封装以及制造如何演进并协同优化，以推动下一波人工智能驱动计算的发展。