Lam Research | 只用一次曝光，实现20 nm 金属间距图形化 ！
发布时间：2026-07-16来源：半导体盒
Lam Research、ASML 与 imec 联合展示 20 nm 金属间距图形化，推动先进节点缩放。Lam Research、ASML 与 imec 在 VLSI 2026 上发表联合论文，展示了首次采用单次曝光高数值孔径极紫外光刻，并借助 Lam Research 的 Aether 技术，实现 20 nm 间距逻辑互连良率验证。该方法采用钌直接金属刻蚀进行图形化。重要性：在先进节点降低多重图形化复杂度，对于维持成本、良率和缩放至关重要。更少的图形化步骤，能够让先进缩放更具可制造性。宏观背景：随着缩放继续延伸并超越 0.33 数值孔径极紫外光刻 分辨率极限，行业引入了更多多重图形化步骤，从而增加了复杂性，并限制了工艺窗口。因此，周期时间变长，设计受到限制，每层成本也随之增加。高数值孔径极紫外光刻有可能通过直接打印恢复缩放效率。这项工作通过一体化生态系统创新，展示了一条通向这一目标的可信路径。Aether 非常适合高数值孔径极紫外光刻，因为更小的间距尺寸会让传统光刻胶权衡更难管理；Lam Research 的干式光刻胶与显影工艺能够提高分辨率，同时降低缺陷率，有助于在高数值孔径设计所要打印的尺寸下保持良率和扫描仪生产效率。研究细节：该工作展示了采用单次曝光高数值孔径极紫外光刻和 Aether 光刻胶，在 20 nm 间距下图形化 10 nm 钌金属线。该方法降低了对先进节点所需多重图形化方案的依赖。Lam Research 的 Aether 技术支持光刻胶和图形转移性能，在高分辨率下实现更低缺陷率和更快周期时间。此次合作汇集了 Lam Research 的工艺专业能力、ASML 的光刻专业能力，以及 imec 的集成与验证专业能力。20 nm 间距钌金属线，包括截面视图和俯视图。由于采用高数值孔径单次曝光，不存在间距漂移。结论：高数值孔径极紫外光刻的发展不会只依靠光刻本身。这一结果表明，协同生态系统研究与开发，能够把前沿研究转化为一条更实用的持续缩放路径。完整论文可见 2026 IEEE/JSAP Symposium on Technology and Circuits 会议论文集：“High Yield Sub 20 nm Ru Direct Metal Etch Enabled by Single-Exposure 0.55NA EUV and dry MOR Technology”获取报告内容可私信后台回复关键词：Ather。获取更多报告可加入半导体盒知识星球
Lam Research | 如何改善浅沟槽隔离均匀性 ？
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