北方华创有哪些半导体设备？

发布时间：2026-08-31来源：半导体盒

来源：北方华创。本文主要是为了汇总往期相关的文章，同时梳理一下北方华创的产品线。

北方华创 2026 年上半年营收 201.61 亿元同比增 24.90%，归母净利润 33.70 亿元同比增 5.05%，受高研发投入、新产品验证等因素利润增速低于营收，经营现金流大幅改善，半导体装备各产品线稳步放量，多赛道新品持续突破。

公司构建了刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影、键合七大核心工艺装备矩阵，可提供集成电路前道多工序成套解决方案，

各细分产品如下：

1. 刻蚀设备

ICP 刻蚀设备（电感耦合等离子体刻蚀）：新一代 12 英寸高端 ICP 刻蚀设备，适配先进逻辑、高阶存储芯片；

CCP 刻蚀设备（电容耦合等离子体刻蚀）：适配存储高深孔、大马士革工艺；

高选择性刻蚀设备：先进逻辑、存储精细结构加工；

等离子去胶机：刻蚀、沉积后光刻胶去除；

Bevel 刻蚀设备：晶圆边缘缺陷处理；

IBE离子束刻蚀设备：MEMS、光电子器件高精度加工。

北方华创，上新！

2. 薄膜沉积设备

PVD 物理气相沉积设备：12 英寸 PVD 累计交付突破千台，用于金属布线、阻挡层；

CVD 化学气相沉积设备：包含 PECVD、HDPCVD、LPCVD、管式 CVD；

EPI 外延设备：硅基外延、碳化硅/氮化镓/砷化镓化合物半导体外延；

ALD 原子层沉积设备（含管式 ALD），实现原子级薄膜生长；

ECP 电镀设备：高端 TSV 电镀设备，用于铜互连、TSV 硅通孔填充。

3. 热处理设备

管式氧化设备（立式炉）：立式炉累计交付突破千台，生长栅氧化层、场氧化层；

管式退火设备：修复晶格损伤、杂质激活；

单片快速热处理RTP设备：先进制程低热预算退火；

湿法氧化、等离子氮化设备；碳化硅第三代半导体专用热处理装备。

4. 湿法清洗设备

槽式清洗设备：批量浸泡式，成熟制程、功率半导体；

单片清洗设备：12 英寸单片湿法清洗，先进逻辑/存储产线；

物理清洗设备：柔性刷洗去除顽固颗粒。

该板块与控股子公司芯源微协同。

5. 离子注入设备

浸没式离子注入设备：先进硅基 CMOS、超浅结掺杂；

中束流离子注入设备：成熟逻辑、功率半导体掺杂；

碳化硅离子注入设备：高压碳化硅功率器件掺杂，已批量出货。

6. 涂胶显影设备（芯源微）

前道涂胶显影设备：适配 ArF 浸没、KrF 光刻工艺，12 英寸产线；

后道先进封装涂胶显影设备：适配 BGA、倒装、WLCSP、2.5D/3D 封装。

7. 键合设备（三维集成/先进封装）

混合键合设备：晶圆对晶圆 WTW、芯片对晶圆 DTW 混合键合（铜‑铜互连，适配 HBM、Chiplet）；

临时键合、解键合设备：超薄晶圆减薄支撑保护与无应力分离。

报告期（2026 上半年度）新品：新一代 12 英寸 ICP 刻蚀、离子束刻蚀、混合键合、高端 TSV 电镀设备等，具备完全自主知识产权。

北方华创，集中上新！

以下为详细介绍：

报告期内（2026 上半年度），北方华创发布新一代 12 英寸电感耦合等离子体 (ICP) 刻蚀设备、离子束刻蚀设备、混合键合设备、高端 TSV 电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新品，核心设备技术指标进一步向国际先进水平看齐；刻蚀、薄膜沉积、热处理等主力设备交付规模持续扩大，在先进逻辑、先进存储、功率半导体等领域的渗透率稳步提升。公司持续深化与芯源微的业务整合，在涂胶显影、湿法工艺等环节强化技术协同与客户联动，半导体装备全工艺链条布局进一步完善，成套解决方案的综合服务能力持续增强。

半导体装备行业具有研发周期长、验证导入环节多的特点，当期收入主要来自前期技术与产品投入的转化，当期研发、人才与产能等投入则面向未来市场空间。

由北方华创入主芯源微想到 TEL

刻蚀设备

刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备，通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料，形成半导体器件所需的微观结构，直接决定芯片制程精度与良率水平。根据权威机构数据，刻蚀设备在全球集成电路设备资本支出中占比约18.5%，是市场规模最大的单一工艺设备品类之一。

公司在刻蚀设备领域已形成覆盖ICP、CCP、高选择性刻蚀、等离子去胶、Bevel 刻蚀、离子束刻蚀的全系列产品矩阵，可满足从成熟制程到先进制程的全场景工艺需求。报告期内，公司发布全新一代12 英寸高端ICP 刻蚀设备，攻克精准偏压控制、射频多态脉冲调控等关键技术，刻蚀均匀性达到埃米级，深宽比可达数百比一，可适配先进逻辑与高阶存储芯片关键工艺需求，目前已完成客户验证并进入量产导入阶段。

按照刻蚀机理及应用场景，主要产品品类如下：

① ICP 刻蚀设备

基于电感耦合等离子体技术，通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体，生成高密度等离子体。设备可在低工作气压下实现快速刻蚀，核心优势在于能独立控制离子能量与通量，可精准优化各向异性刻蚀能力，刻蚀深宽比表现优异，适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工。公司ICP 刻蚀设备已广泛应用于国内主流晶圆厂产线，报告期内推出的新一代产品进一步突破低损伤、超高均匀性工艺瓶颈，可支撑高阶存储与先进逻辑芯片制程需求，技术性能达到行业先进水平。

② CCP 刻蚀设备

采用平行板电容耦合方式产生等离子体，通过调节射频功率和气体配比，既能实现较高刻蚀速率，又具备宽泛的工艺窗口。其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著，兼容性强，广泛应用于存储芯片的深孔、沟槽结构加工。公司CCP 刻蚀设备已适配先进存储高深宽比刻蚀、先进逻辑芯片大马士革工艺等多条工艺路径，工艺均匀性与选择比指标表现优异，在国内头部存储和逻辑厂商产线实现批量稳定供货。

③ 高选择性刻蚀设备

通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术实现超高刻蚀选择比。可精准去除目标材料，同时最大限度保护掩膜层及周边非目标结构，是先进逻辑、存储工艺精细结构加工的关键装备。公司高选择性刻蚀设备已应用于先进逻辑与存储芯片关键工艺环节，可满足堆叠层间选择性刻蚀、精细结构释放等高精度加工需求，助力客户提升器件良率。

④ 等离子去胶机

通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体，使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化，转化为挥发性产物后被排出，实现无化学污染、高效率的去胶处理，广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。公司等离子去胶机适配多类型光刻胶与全尺寸晶圆，已在国内多条12 英寸产线批量配套，设备稳定性与工艺适配性获得客户广泛认可。

⑤ Bevel 刻蚀设备

专注于晶圆边缘处理，采用定向等离子体轰击技术消除晶圆边缘缺陷，可有效避免后续互连、封装环节出现互连断裂、漏电等问题，是保障晶圆整体良率的重要配套装备。公司Bevel 刻蚀设备已实现12 英寸晶圆制造全场景覆盖，报告期内新一代产品进一步优化缺陷控制能力，获得逻辑及存储领域头部客户批量订单，进入量产应用阶段。

⑥ IBE 刻蚀设备(离子束刻蚀设备)

基于物理轰击原理产生高能离子束直接刻蚀晶圆表面，刻蚀过程不受化学反应限制，具有极高的刻蚀精度、方向性与均匀性，适用于MEMS 器件、光电子器件等高精度加工场景。公司IBE 刻蚀设备已在化合物半导体、光电子领域实现批量供货，核心技术指标对标国际同类产品。

薄膜沉积设备

薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备，与刻蚀设备协同支撑器件结构构建，通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积多层均匀薄膜，形成器件所需的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构，直接影响芯片制造的良率与性能上限。根据权威机构数据，薄膜沉积设备在全球集成电路设备资本支出中占比约22.0%，是半导体制造中价值量最高的单一工艺设备品类之一。

公司在薄膜沉积设备领域已形成覆盖物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、外延生长(EPI)、原子层沉积(ALD)、电化学电镀(ECP)及金属有机化学气相沉积(MOCVD)的全系列产品矩阵，可全面适配12 英寸、8 英寸晶圆制造的多场景工艺需求。报告期内，公司持续推进薄膜沉积设备技术迭代与产品性能升级，新一代12 英寸高端PVD 设备、管式原子层沉积设备、碳化硅外延设备等产品工艺指标进一步优化，在先进逻辑、高阶存储、第三代半导体等领域的市场渗透率稳步提升；其中12 英寸PVD 设备累计交付量突破千台，技术成熟度与规模化量产能力得到充分验证。按照沉积原理及应用场景，主要产品品类如下：

① PVD

基于真空环境下的物理过程实现薄膜沉积，通过溅射等方式将靶材物质剥离并沉积于晶圆表面，具备膜层附着力强、成分可控性好的特点，广泛应用于金属布线、阻挡层、电极层等工艺场景。公司PVD 设备已形成12 英寸、8 英寸全系列产品布局，可覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装等多领域金属化制程需求，多款产品在国内主流晶圆厂实现批量稳定供货，技术性能达到行业先进水平。报告期内，新一代12 英寸集成电路金属沉积设备进一步提升颗粒控制与膜层均匀性水平，可适配更高端制程的工艺要求。

② CVD

通过气态前驱体在晶圆表面发生化学反应生成固态薄膜，具备台阶覆盖性优异、膜厚均匀性好的优势，可沉积多种介质膜与半导体薄膜，是介质层、栅极层等结构的核心制备装备。公司已构建包含等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、低压CVD(LPCVD)、管式CVD(Tube CVD)在内的完整产品体系，可实现氧化硅、氮化硅、多晶硅等多种薄膜的高质量沉积，广泛适配逻辑、存储芯片多类工艺场景，多款核心设备在国内头部产线实现规模化应用。

③ EPI

属于高精度专用沉积设备，可在单晶衬底表面沿晶格取向生长出匹配度一致的单晶外延层，具备缺陷密度低、组分与厚度调控精准的特点，是先进逻辑芯片、功率器件、光电子器件制造的核心装备。公司外延设备已形成硅基外延与化合物半导体外延双线布局，覆盖常压外延、减压选择性外延等多条技术路线，可满足体硅外延、埋层外延、选择性外延等多样化工艺需求。其中公司减压外延设备适配先进逻辑与存储芯片高阶工艺节点需求，在国内市场份额位居前列，已在国内主流晶圆厂实现大规模稳定供货，是产线核心配套的主流外延装备之一。报告期内，公司减压外延设备订单与交付量持续增长，工艺性能与运行稳定性得到客户充分验证；碳化硅、氮化镓、砷化镓外延设备均实现批量供货，产品工艺良率表现优异，进一步完善了公司在第三代半导体领域的装备布局。

④ ALD

基于循环式化学吸附原理实现原子级精度的薄膜生长，通过前驱体交替通入与表面反应逐层成膜，厚度控制精度、台阶覆盖能力显著优于传统沉积设备，是先进制程关键薄膜制备的核心支撑。公司已形成介质ALD、金属栅极ALD、管式ALD 等多品类产品矩阵，可适配高K 介质层、金属栅极、钝化层等先进制程工艺需求。报告期内，新一代管式ALD 设备批量交付国内存储厂商，在高深宽比结构薄膜沉积场景表现优异。

⑤ 电镀设备

基于电化学沉积原理，通过电场调控使金属离子在晶圆表面还原成膜，具备沉积速率快、高深宽比结构填充能力强的特点，是铜互连、先进封装TSV 工艺的核心装备。公司电镀设备覆盖集成电路铜互连、先进封装硅通孔填充等工艺场景，可实现高效无缺陷的结构填充。报告期内，高端TSV 电镀设备实现规模化供货，产品工艺适配性与运行稳定性持续提升，可满足先进封装与三维集成领域的高端工艺需求。

热处理设备

热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备，通过精准控温与气氛调控，优化晶圆材料的晶体结构与电学性能，修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤，同时实现杂质激活、薄膜致密化、应力释放等工艺目标，是保障器件电学稳定性与良率的重要支撑。根据权威机构数据，热处理设备在全球集成电路设备资本支出中占比约2.2%，是半导体制造产业链中不可或缺的基础工艺装备。

公司在热处理设备领域已形成覆盖管式氧化退火、单片快速热处理、湿法氧化、等离子氮化的全系列产品矩阵，可适配12 英寸、8 英寸主流晶圆尺寸，同时布局碳化硅等第三代半导体专用热处理装备，满足逻辑芯片、存储芯片、功率半导体等多领域工艺需求。报告期内，公司持续推进热处理设备的技术迭代与品类拓展，立式炉累计交付量突破千台，技术成熟度与规模化配套能力得到充分验证；新一代单片快速热处理设备、碳化硅高温热处理设备市场渗透率稳步提升，工艺性能获得客户广泛认可。按照处理模式与应用场景，主要产品品类如下：

① 管式氧化设备

通过高温环境下的氧化反应在晶圆表面生长氧化膜，采用批量处理模式，可精准调控氧化膜厚度、致密性与均匀性，具备处理效率高、膜层结合力强的特点，是栅氧化层、场氧化层、钝化层生长的核心装备。公司管式氧化设备涵盖中高温氧化、水汽氧化等多种技术路线，12 英寸立式中高温氧化退火炉具备优异的膜厚均匀性与缺陷控制能力，可有效提升器件电学稳定性，已成为国内主流晶圆产线的主流配套装备。

② 管式退火设备

在惰性或还原性氛围下完成高温退火流程，可修复离子注入后的晶格损伤、激活掺杂杂质，同时实现薄膜致密化、金属硅化物形成等工艺目标，具备处理量大、工艺稳定性好的优势。公司管式退火设备覆盖低温合金退火、高温退火等多类场景，其中12 英寸立式低温合金退火炉可精准调控欧姆接触电阻，助力降低芯片功耗，已在逻辑与存储产线实现批量稳定应用。

③单片快速热处理设备(RTP)

针对先进制程的低热预算需求研发，采用单片式处理模式，通过极速升降温在极短时间内完成退火，可有效抑制杂质扩散、避免图形变形，是高精度杂质激活、浅结退火的关键装备。公司单片快速热处理设备具备加热速度快、温度均匀性高的特点，可满足先进逻辑与存储芯片的严苛工艺要求；同时布局单片减压原位湿法氧化、等离子氮化等特色工艺设备，可实现低缺陷氧化物生长与栅极氮化工艺，进一步丰富了高端热处理产品矩阵。

湿法清洗设备

湿法清洗设备是晶圆制造全流程的核心辅助装备，通过化学试剂与物理作用结合，去除晶圆表面的颗粒、金属污染物、有机残留与氧化层，为后续工艺提供洁净基底，直接影响芯片整体良率，几乎贯穿晶圆制造所有工艺环节。根据权威机构数据，湿法清洗设备在全球集成电路制造设备资本支出中占比约 5.5%，是半导体制造中应用最广泛的工艺装备之一。

公司在湿法清洗设备领域已形成单片清洗、槽式清洗、物理清洗的全场景产品布局，可适配12 英寸、8 英寸晶圆制造的前中后道全工序清洗需求。报告期内，公司持续深化与控股子公司芯源微的业务协同，进一步强化物理刷洗、单片高端清洗的技术能力，完善全品类解决方案；12 英寸单片湿法清洗设备在先进逻辑与存储产线渗透率持续提升，槽式设备在功率半导体、衬底材料等领域保持稳定配套优势。按照处理模式与制程适配性，主要产品品类如下：

① 槽式清洗设备

采用批量浸泡式处理模式，通过化学试剂配合加热、溢流功能完成清洗，具备处理效率高、运行成本低的特点，适配成熟制程与通用清洗需求。公司槽式湿法设备采用模块化、标准化设计，可集成多功能药液槽，精准控制刻蚀速率，适配集成电路、功率半导体、衬底材料等多领域12 英寸、8 英寸清洗工艺，已实现批量稳定供货。

② 单片清洗设备

采用单片式精准喷淋处理模式，配合晶圆高速旋转实现污染物定向剥离，可避免交叉污染，洁净度与均匀性更优，是12 英寸先进工艺产线的主流清洗装备。公司12 英寸单片湿法清洗设备采用堆叠式架构与多片式传输系统，占地小、产能高，搭载高精度干燥技术与颗粒去除模块，可满足平面结构与三维高深宽比结构的清洗需求，已在国内头部晶圆厂产线批量应用。

③ 物理清洗设备

以柔性物理刷洗为核心，搭配化学试剂或超纯水喷淋，针对性去除大尺寸顽固颗粒与附着污染物，是沉积、光刻、铜制程后关键工序的配套装备。公司物理清洗设备搭载自研低损伤雾化清洗喷嘴与耐压控制系统，可在不损伤晶圆结构的前提下实现高效杂质去除，报告期内产品工艺性能持续优化，适配更高制程的客户需求。

离子注入设备

离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路与功率器件制造中形成PN 结、调控器件性能的核心装备。其通过离子源生成目标离子并加速至预设能量，精准注入半导体材料表层，实现掺杂浓度与结深的定量控制，直接决定器件的开关特性、耐压能力与可靠性。根据权威机构数据，离子注入设备在全球集成电路设备资本支出中占比约2.0%，同时也是第三代半导体器件制造的关键装备。

公司在离子注入设备领域已形成覆盖硅基高端浸没式注入、通用中低能注入、碳化硅化合物半导体注入的全品类产品矩阵，可适配12 英寸逻辑、存储芯片及第三代半导体器件的多样化掺杂工艺需求。报告期内，公司离子注入设备产业化进程持续加快，浸没式离子注入设备在国内主流晶圆厂渗透率稳步提升；碳化硅离子注入设备取得重要技术与商业化突破，已实现客户端批量出货并进入稳定量产阶段，可满足高压碳化硅功率器件的严苛掺杂工艺要求，工艺性能与良率表现获得客户充分验证，进一步强化了公司在第三代半导体装备领域的综合布局。按照应用场景与技术路线，主要产品品类如下：

① 浸没式离子注入设备

面向高剂量、低能量的硅基先进制程掺杂需求，可实现CMOS 器件掺杂、超浅结掺杂、加氢钝化、SOI 工艺等高精度注入场景，是先进逻辑与存储芯片制造的核心配套装备。公司浸没式离子注入设备具备优异的剂量均匀性与低能量注入稳定性，可有效提升器件电学性能一致性，报告期内订单与交付量稳步增长。

② 中束流离子注入设备

覆盖硼、磷、砷等主流掺杂元素的中低能注入工艺，可精准控制注入剂量与角度，独立调控掺杂浓度与结深，适配成熟制程逻辑芯片、功率半导体等多领域掺杂需求。公司12 英寸中束流离子注入设备工艺适配性强、运行稳定性高，已在国内客户端实现稳定配套。

③ 碳化硅离子注入设备

针对碳化硅等第三代半导体材料的特殊掺杂需求研发，通过宽能量范围、多角度的离子注入实现碳化硅衬底的精准掺杂，是碳化硅功率器件制造的关键工艺装备。公司碳化硅离子注入设备可实现多元素均匀注入，有效保障器件耐压能力与良率水平，报告期内已在国内主流碳化硅器件厂商实现供货，产品技术成熟度与工艺适配性得到量产验证。

涂胶显影设备

涂胶显影设备是光刻工序的核心配套装备，与光刻机协同作业，完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等全流程处理，直接影响光刻工艺的图形转移精度与良率，是集成电路制造中不可或缺的关键设备。根据权威机构数据，涂胶显影设备在全球集成电路制造设备资本支出中占比约2.8%，是光刻工艺链条的重要组成部分。

公司控股子公司芯源微是国内技术领先的前道涂胶显影设备供应商之一，产品覆盖前道制程、后道先进封装、化合物半导体等全场景，可适配12 英寸、8 英寸及小尺寸晶圆的多样化工艺需求。报告期内，公司持续深化与芯源微的技术协同与客户联动，前道涂胶显影设备在先进制程产线持续上量，先进封装类产品订单稳步增长，产品矩阵与市场覆盖进一步完善。按照应用场景，主要产品品类如下：

① 前道涂胶显影设备

适配前道ArF 浸没式、KrF 等光刻工艺，可兼容底部抗反射涂层、旋涂碳、负显影等复杂工艺，是前道光刻工序的核心配套装备。公司前道涂胶显影设备采用对称分布高产能架构，搭载自主研发的高速高精度传输机构与高精度热盘技术，颗粒控制能力优异，可匹配主流光刻机的产能需求，已在国内多条12 英寸产线批量应用。

② 后道先进封装涂胶显影设备

面向BGA、倒装芯片、WLCSP、2.5D/3D 封装等先进封装场景，可实现高粘度光刻胶、PI 胶涂覆与显影，适配超厚胶、超薄晶圆、翘曲片等特殊加工需求。公司先进封装涂胶显影设备具备渐进式温度控制能力，可满足超厚胶涂覆与高精度显影工艺要求，已在国内主流封装厂商实现稳定配套。

键合设备

键合设备是实现三维集成与异质封装的核心装备，通过高精度对准与键合工艺实现芯片间、晶圆间的互连，是突破摩尔定律限制、支撑Chiplet、HBM 等先进架构的战略性技术，其中混合键合可实现百纳米级精度的直接铜铜互连，代表了高端封装装备的技术前沿。根据权威机构数据，键合设备全球市场规模稳步增长，是先进封装产业链中价值量提升最快的装备品类之一。

公司在键合设备领域已形成覆盖混合键合、临时键合、解键合的全品类产品布局，可满足晶圆级三维集成、Chiplet 异质集成、先进封装等多场景工艺需求。报告期内，公司发布12 英寸晶圆对晶圆(WTW)、芯片对晶圆(DTW)两款混合键合设备，其中芯片对晶圆混合键合设备已实现产业化应用，标志着公司在高端三维集成装备领域取得重要突破；临时键合与解键合设备已在国内多条产线批量配套，工艺稳定性获得客户认可。按照技术路线与功能，主要产品品类如下：

① 混合键合设备

通过晶圆/芯片表面活化、高精度对准、低温键合等工艺实现铜铜与介质的直接互连，具备互连密度高、传输损耗低的优势，是HBM、高端Chiplet、图像传感器等领域的核心装备。公司混合键合设备覆盖晶圆对晶圆、芯片对晶圆两大技术路线，可满足晶圆级三维集成、异质芯片集成等多样化场景，报告期内产品已完成客户端验证并取得批量订单。

② 临时键合与解键合设备

主要用于三维集成、晶圆减薄过程中超薄晶圆的支撑保护，以及减薄后的无应力分离，是先进封装制程的重要配套装备。公司临时键合设备具备优异的胶层均匀性与厚度控制能力，集成高精视觉校准系统；解键合设备采用无应力分离技术，工艺稳定性高，可适配2.5D/3D 封装、晶圆减薄等多类场景，已实现批量稳定供货。