在全球半导体产业持续向更高精度、更高性能迈进的关键时期，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，证券代码“688012”）在第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）期间宣布推出多款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键赛道。
这是继今年 3 月 SEMICON China 发布四款新品后，中微公司在半年内又一次高密度新品集中亮相，充分展现了公司强劲的技术迭代能力与高效的成果转化节奏，进一步拓宽了公司的高端设备产品矩阵，实现了先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节的全覆盖，补齐多场景、全链条的工艺设备解决方案能力。
刻蚀突破：Primo XD-RIE™ 破解极高深宽比刻蚀瓶颈随着 3D NAND、DRAM 等存储芯片持续向更高堆叠层数、更精细制程线宽迭代升级，极高深宽比刻蚀技术，成为制约先进存储器件制造工艺进阶的核心瓶颈，直接影响高端存储芯片的性能升级与量产落地。中微公司全新推出的 Primo XD-RIE™ 70 到 90 比 1 极高深宽比刻蚀机，依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破，适配先进存储芯片的高端制造需求。该设备采用全新自研工艺气体架构，在保障刻蚀工艺性能的同时，有效降低温室气体排放，实现工艺性能与绿色生产的兼顾。设备具备多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统全方位优化刻蚀精度与刻蚀效率，大幅拓宽工艺适配窗口。在核心硬件设计上，设备采用耐低温、高击穿电压的高性能静电吸盘，同时搭载业内首创的 4 区磁线圈聚焦的等离子体分布调节组件与等离子体边缘鞘层主动调节技术，结合耐强腐蚀性气体的专用腔体结构，能够适配极端、高精度的严苛工艺工况，保障设备长期稳定、高效运行，大幅提升量产可靠性。依托甚高频射频优化刻蚀选择比、大流导结构拓宽工艺窗口等核心技术优势，Primo XD-RIE™ 极高深宽比刻蚀机能够全方位适配先进存储器件的迭代升级需求，为高端三维存储芯片制造提供技术领先、稳定可靠的刻蚀工艺解决方案，助力国内先进存储制造产业高质量发展。在刻蚀设备取得突破的同时，中微公司在薄膜沉积方向上也展开了全面布局。本次发布会推出的四款有专利保护的全新自研设备，覆盖了高端三维存储与先进逻辑芯片的核心薄膜工艺环节，进一步丰富了中微公司的薄膜产品谱系，也在一定程度上缓解了国内相关高端设备的供给紧张局面。Performo QuaStar® 系列：打破叠层沉积的效率天花板Performo QuaStar® 是中微公司全新研发的先进 PECVD 系列设备。该系列首款产品 Performo QuaStar® ON，直面 3D 闪存制造中极具挑战的氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺。该设备配有四个反应腔，每个反应腔配备 4 个反应台，单系统最多可同时处理 16 片晶圆，在单位面积产出与综合运营成本方面均展现出显著优势。同时，第三代D-RID射频系统带来了更快的沉积速率与更优的膜质表现；毫秒级工艺控制能力确保了叠层之间膜厚与性能的高度一致；而经过精心设计的每台相对独立的对称温场、流场与等离子体场，则为晶圆表面的均匀性提供了坚实保障。中微公司 Performo QuaStar® ON同期发布的 Performo QuaStar® GE，则将视野扩展至存储与逻辑芯片制造中广泛使用的硅基 PECVD 介质薄膜品类，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等多种材料体系。该设备同样采用4反应台单腔配置，单系统可同时沉积最多 12 片晶圆。4 个反应台之间以物理隔离方式布局，配合高度对称的腔体设计，使得每片晶圆都能置身于高度一致的工艺环境中，保证了沉积薄膜的一致性。值得一提的是，创新的晶圆传输机制大幅减少了腔室内的机械动作，有效降低了颗粒污染风险。中微公司 Performo QuaStar® GEPrefima Unicore™ AM：抢占钼基字线产业窗口期Prefima Unicore™ AM 是中微公司自主研发的 12 英寸原子层沉积金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺打造，是未来高端存储芯片走向更高层数时绕不开的关键装备。该产品在继承上一代 ALD W 成熟架构的基础上，独创了小尺寸紧凑型反应布局，以四反应台配置在单位设备面积产能上实现了显著跃升。其搭载的高速气体切换系统能够以毫秒级精度掌控原子层沉积的每一个工艺周期，从而兼顾优异的台阶覆盖率与低电阻特性。前驱体分气系统的引入，有效消除了反应台之间的速率偏差；而固态源温控梯度的自主突破，则为连续批量生产条件下的工艺一致性提供了可靠保障。凭借高出货效率、紧凑占地与低化学品耗用等综合优势，再配以对翘曲晶圆的良好适配能力，Prefima Unicore™ AM 为存储厂商应对超高层数堆叠的技术挑战提供了富有竞争力的选项，有望在全球存储龙头集中向钼基字线切换的产业窗口期内率先卡位。Preforma Uniflash® SPTi/TiN：拓展金属薄膜沉积新版图Preforma Uniflash®金属硅化物集成系统，是中微公司面向12英寸先进节点自主研发的一体化薄膜沉积系统。该系统将原位高选择性前清洁、等离子体增强化学气相沉积金属钛，以及原子层沉积氮化钛三类核心工艺模块集于一体，能够有力支撑先进逻辑与存储器件在金半接触、保护层及衬垫层、电容电极等关键环节的制造需求。中微公司 Preforma Uniflash® SPTi/TiN在平台设计上，该系统沿用了中微公司标志性的双反应台架构，最多可集成五个双反应台工艺腔（共计十个反应台）。这一配置在兼顾高真空与多工艺集成要求的同时，实现了业界领先的产出效率。工艺表现方面，系统在微小尺寸、高深宽比及复杂三维结构等严苛场景下，均展现出优异的台阶覆盖能力与选择性沉积性能，其污染物控制水平、薄膜均匀性、选择比及生产效率等核心指标，均已达到国际一流水准。该系统的问世，标志着中微公司在金属薄膜沉积这一关键赛道上成功开辟了新的版图，也充分印证了公司在多元化薄膜工艺开发、复杂集成系统设计等领域的深厚积累与硬核实力。
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