拓荆科技有哪些半导体设备？

发布时间：2026-09-03来源：半导体盒

来源：拓荆科技。

拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。

公司目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。公司主要产品如下：

PECVD 系列产品

PECVD 设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD 设备，PECVD 设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

什么样的 CVD 长什么样的膜？

公司自成立就开始研制 PECVD 设备，在 PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD 薄膜材料的设备，主要包括 PECVD 产品和薄膜后处理相关的 UV Cure 产品。公司的PECVD 产品满足包括先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术等领域芯片制造所需求的各类型钝化层、介电层、覆盖层、刻蚀阻挡层、扩散阻挡层、应力记忆层、抗反射层、硬掩膜在内的 100 余种工艺机型，可以提供 PECVD 全套解决方案，以整套产品和前瞻式技术研发相结合的方式匹配并满足客户的前沿技术需求。

ALD 系列产品

ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于 ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。公司 ALD 系列产品包括 PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。

SACVD 系列产品

SACVD 设备主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。SACVD 反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600 Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。

公司 SACVD 产品具体情况如下：

HDPCVD 系列产品

HDPCVD 设备主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD 设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。

公司 HDPCVD 产品具体情况如下：

Flowable CVD 系列产品

Flowable CVD 设备主要应用于深宽比大于 7:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。该设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。

公司Flowable CVD 产品具体情况如下：

三维集成领域系列产品

三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。