三星入局、长鑫冲刺量产，美光拒绝 4F²：存储巨头的路线分歧，谁押错了？

发布时间：2026-10-23来源：半导体盒

长鑫科技最近刚开完发布会，自研 4F² 架构加垂直环绕栅（VSG）晶体管，年底就要上服务器 DDR5 RDIMM。与此同时，三星 CTO 被记者问到 “你们搞不搞4F²”，干脆利落一个 “是”；唯独美光 CTO 在接受《日经亚洲》采访时放话：这技术我们研究了 20 多年，结论是不在路线图上。

三个巨头，两种态度。4F² 到底是 “真香” 还是 “伪命题”？美光为什么偏偏看不上？

先搞懂 4F² 是什么。内存的密度提升，几十年靠的都是 “把单元做小”，可这条路已经逼近物理极限，再先进的设备也抠不出多少面积了。业界公认的下一站是改变单元形状：把主流的 6F² 从 3F×2F 长方形，换成 4F² 的 2F×2F 正方形，单元面积理论上直接缩小约 33%。面积小了，同样一片晶圆就能切出更多裸片。

三星在 ISSCC 2026 上的论文显示，4F² 加混合键合的方案，同设计规则下单片晶圆裸片数能提升20%以上；TrendForce 等机构测算，密度增益在 30% 到 50%。说白了，这就是内存圈“户型改造”，同样一块地皮，硬是能多盖出几套房。

有人可能觉得，美光跳过 4F² 直奔 3D DRAM，是弯道超车。但业界的普遍共识恰恰相反：6F²→4F²→3D DRAM 是一条连续的路，4F² 被普遍视为平面微缩的最后一站，也是通往 3D DRAM 的必经台阶。原因就是：3D DRAM 本质上是把垂直沟道晶体管（各家叫法不同，三星叫 VCT、SK海力士叫 VG、长鑫叫 VSG）、存储阵列与外围电路分离（PUC）、晶圆级混合键合这几样底座堆起来，而这几样关键技术，恰恰要在 4F² 阶段先打牢，业内公认6F²难以直接堆叠。三星4F²+VCT连打10a、10b、10c 三代，到10d才转向3D堆叠；SK 海力士 CTO 在 2025 年 VLSI 上，也是把 4F²垂直栅平台和 3D DRAM 并列为两大支柱一起提。跳过 4F² 直接做 3D DRAM，听着像捷径，实则像跳过打地基直接盖楼。

再看各家动作，你会发现 4F² 根本不是新概念，而是被研究了很多年的老方向，只是今年集中从研发走向了产品。三星早在 2010 年代前后就展示过原型，2025 年底IEDM 发了氧化物沟道方案，2026 年 2 月 ISSCC 发了能工作的 16Gb 4F² 芯片，韩媒报道其 10a 工艺已产出可工作裸片。SK 海力士 2025 年 6 月由 CTO 亲自发布 4F² 垂直栅平台路线图，2026 年 3 月专门成立 VG 技术开发组织。长鑫总裁曹堪宇更是公开说，公司 2016 年成立起就在啃这个方向，公开专利族超过 300 件，VSG 晶体管主打垂直包围沟道，专治漏电和短沟道效应的老毛病。连美光自己都承认，4F² 相关技术研究了约二十年。一个研究了 20 年的方向，因为自身路线取舍暂时不押注，和“这方向没价值”，是两个完全不同的命题。

那到底美光为什么说不？这里就有意思了。先是股价：美光自 6 月 25 日创下1213.56 美元历史收盘高点后一路回落，10 月中旬两个交易日跌约 9%，较高点回撤 25% 到 28%。可它的基本面偏偏处于历史最好水平：2026 财年第四季度营收542.3 亿美元、调整后每股收益 33.42 美元、毛利率约 87%。

一边是史上最佳业绩，一边是股价暴跌，市场分析机构给出的原因里有一条很扎眼：中国厂商在服务器 DRAM 上的进展，重新点燃了定价与竞争担忧。巧的是，美光此前也玩过“先否定、再肯定”。2020 到 2021 年，三星、SK 海力士都在上 EUV，美光却公开说没计划，理由是现有工艺够用、成本更优。结果呢？同一时期，它默默向ASML 下了 EUV 订单预付款；2024 年在日本广岛厂启动 EUV 试产，2025 年量产，成了三大原厂里最晚导入 EUV 的一家。

所以，当美光 CTO 说 4F² 不在路线图上时，与其急着站队，不如说，判断一个技术有没有价值，别看它今天说“不做”，要看它背后到底押了什么、又在为什么补课。4F² 是不是美光的菜，时间会给答案。但行业主流的棋盘上，三星、SK海力士、长鑫已经落了子，这一局，注定不会只有一家在玩。