英飞凌抗辐射半导体助力Artemis II任务成功

美国NASA的Artemis II任务已成功返回地球，此次任务不仅完成了超越地球轨道的探索，还为深空环境下的机载电子设备提供了重要的实际验证。任务的成功凸显了抗辐射半导体设计在太空船可靠性中的关键作用。

全球半导体巨头英飞凌发布报告称，其抗辐射半导体在任务期间保持了无故障的运行状态。这些由英飞凌IR HiRel部门开发的专用元件，成功支持了猎户座太空舱的电源管理、系统控制和数据通信等核心功能。英飞凌IR HiRel资深副总裁Mike Mills指出，随着太空任务愈加复杂且电气化需求增加，半导体技术的突破已成为太空探索的核心。

英飞凌在太空领域的技术积累可追溯至1970年代，其组件已广泛应用于卫星系统、国际空间站和早期NASA任务中。其抗辐射产品通过了MIL-PRF-38535 Class V和ESA ESCC等多项严格认证，能够有效应对高能粒子辐射的威胁。

此外，英飞凌还积极推进第三代半导体氮化镓（GaN）在太空领域的应用。其内部制造的100 V氮化镓晶体管已通过JANS标准认证，标志着宽能隙装置在轨道应用上的重要进展。氮化镓技术具有降低开关损耗和提高功率密度的优势，可显著减轻系统重量，为严格的太空船设计提供更优解决方案。英飞凌将继续通过系统级优化，满足未来深空任务的需求。