韩研究团队开发玻璃基板超快激光布线技术，瞄准CPO瓶颈突破

随着玻璃基板成为下一代 AI 半导体封装的关键材料，相关技术正受到业界高度关注。据韩国电子新闻（ETNews）报道，全南国立大学机械工程系韩承熙（Han Seung‑hoe）教授团队开发出一项名为超短脉冲激光诱导化学气相沉积（ULCVD） 的新技术。

该技术利用超快飞秒激光，无需掩膜即可在透明基板两面直接刻写导电碳基电路，实现全表面灵活、选择性布线。

报道指出，这一突破有望推动基于 3D 玻璃结构的器件发展，包括基于先进共封装光学 的光电融合半导体，以及高精度量子传感器。

新技术攻克 CPO 中玻璃基板布线瓶颈

报道称，玻璃基板在 CPO 领域的重要性持续提升，该技术将进一步加速其普及。下一代 CPO 技术在单芯片上集成电信号与光信号，使得光学性能优异的玻璃基板需求快速增长。

但在玻璃基板上实现玻璃通孔（TGV）、重新布线层（RDL） 等三维互连结构，仍是重大技术难题。

研究团队证实，飞秒激光可穿透透明玻璃，利用非线性吸收效应，在玻璃基板正反两面实现灵活选择性布线。经工艺优化后，导电性能已达到学术界已报道的激光诱导石墨烯（LIG） 布线的最佳水平。

该技术还被证实，在通孔内部互连与复杂 3D 曲面结构布线上具备强大潜力，这对未来先进半导体封装至关重要。

未来计划：从碳基扩展到铜、金等金属布线

韩承熙教授表示，团队计划将 ULCVD 工艺从现有碳基电路，扩展到铜（Cu）、金（Au）等多种金属材料，这些材料预计将成为未来半导体封装的关键材料。

玻璃基板商业化进程正在加速。据《全球经济》援引消息人士称，英特尔已规划 2030 年技术路线图以抢占领先优势。韩国企业也在加速布局：为应对英特尔推进，SKC 旗下子公司Absolics正在美国佐治亚州建设全球首座玻璃基板量产工厂。英特尔仍处于研发阶段，而 Absolics 目标率先进入大规模量产，抢占材料标准先机。