股价大涨！美光科技、SK海力士市值相继突破万亿美元

当地时间

5

月

26

日，美股三大股指走势分化。

Wind

数据显示，截至收盘，道指跌

0.23%

，标普

500

指数涨

0.61%

，纳指涨

1.19%

。美股芯片股表现强劲，闪迪涨超

7%

，西部数据涨超

8%

，希捷科技涨

4%

；美光科技大涨超

19%

，创下自

2011

年以来最强单日表现，报收

895.88

美元

/

股，总市值突破

1

万亿美元。

美光科技成为继英伟达、苹果、微软、台积电、博通等巨头之后，当前全球第

13

家万亿美元上市公司之一。在过去

12

个月里，其股价翻了

8

倍。

紧接着，

5

月

27

日，日韩股市开盘，日经

225

指数涨

1.2%

，韩国

KOSPI

指数涨

2.42%

。另一家全球领先的存储芯片制造商、韩国

SK

海力士股价一度大涨

11%

，市值也首次盘中突破

1

万亿美元大关。此前，韩国的三星电子早已迈入万亿美元市值门槛。

消息面上，

5

月

26

日，瑞银（

UBS

）发出华尔街至今最强的看涨报告，将美光科技目标价从

535

美元大幅上调至

1625

美元，这一目标价对应市值将达

1.8

万亿美元，较最新收盘价还有

81%

的上行空间。

LSEG

数据显示，在覆盖美光的

46

家券商中，瑞银给出的

1625

美元是最高目标价。根据监管文件，美光在今年第一季度成为机构投资者最受追捧的标的之一。约有

2440

家机构披露新建仓位，其中包括洛克菲勒资本管理公司与施罗德。

在

AI

的超级周期下，全球科技巨头对存储芯片需求依旧强劲。美光科技表示，公司

2026

年的高带宽存储（

HBM

）芯片产能已经全部售罄，显示需求远远超过供应能力。目前，其下一代

HBM4

产品也已进入量产阶段。

瑞银认为，美光科技不应继续被视作传统周期型存储公司、简单受

DRAM

和

NAND

价格周期波动影响，而应该越来越被视为

AI

基础设施受益者，拥有更强的盈利持续性和更高的长期业绩可见性。

瑞银分析师

Timothy Arcuri

在报告中写道：“随着长期协议（

LTA

）已经在行业大部分领域牢固建立，我们再次上调

2027

至

2029

年的预测，并预计美光整个期间

EPS

（每股收益）都将稳定高于

100

美元，同期自由现金流总额超过

4000

亿美元。”

瑞银目前预计美光

2027

年每股盈利达到

155

美元，

2028

年

167

美元，即便在模型假设中的

2029

年温和下行周期中，

EPS

依然能够维持在

100

美元以上。报告指出，

AI

推动的存储产业结构变化足以支撑估值扩张，因为投资者正逐步认识到，这种增长属性越来越偏向结构性，而非周期性。

而在需求端，包括微软、谷歌、亚马逊以及

Meta

在内的大型云计算企业，目前已经提前锁定未来约

60%

至

70%

的服务器

DDR5

供应，“超大规模云厂商越来越愿意用价格交换多年期供应可见性，以及未来部署经济性的更高可预测性。”瑞银在报告中表示。

此外，

HBM

芯片已经成为大型

AI

数据中心核心加速芯片的重要基础设施。瑞银大幅上调了

HBM

定价预期，目前预计美光

HBM

平均售价

2027

年同比上涨

50%

，高于此前

35%

的预测，预计美光、三星和

SK

海力士将在

2027

年后重新建立

HBM

价格溢价，扭转

2025

至

2026

年竞争压力压制价格的局面。瑞银的预测模型指出，美光

HBM

出货量

2027

年将增长约

58%

，

HBM

业务收入有望达到约

253

亿美元，并在

2028

年接近

450

亿美元。同时，

HBM

毛利率预计升至

75%

左右，接近甚至超过传统

DRAM

业务盈利能力。

该行还预计

DRAM

供不应求状态将持续至

2028

年第二季度，较此前预测进一步延长。

NAND

市场供需紧张时间窗口同样有所拉长，主要由于三星、

SK

海力士以及美光在扩产方面保持克制。

而

SK

海力士则在

5

月

26

日宣布，公司发布

“iHBM”

技术。该技术通过在

HBM

封装内集成一体化冷却元件

“ICE*”

，显著降低产品运行时的发热量。

SK

海力士计划将

iHBM

技术应用于

HBM5

等下一代产品，以满足高性能计算（

HPC

）、

AI

数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。