SK hynix：约 54 万亿韩元投向 2028—2029 年的 AI 内存产能

SK hynix 8 月 7 日批准约 54 万亿韩元的新投资，在韩国龙仁与清州新建两座面向 AI 内存的晶圆厂。其中龙仁"Y2"约 35.2 万亿韩元、清州"M17"约 19.1 万亿韩元，两座工厂的首个洁净室分别计划于 2029 年 6 月和 2028 年 12 月启用。这不是一轮单纯的产品扩产，而是把竞争从当季 HBM 供货，提前到数年后的 DRAM、NAND、先进封装与配套制造能力。

图源：SK hynix Newsroom

Y2 是龙仁半导体集群规划的四座 Fab 中的第二座，定位为 DRAM 生产基地，总建筑面积约 34.1 万坪（约 113 万平方米），计划明年 7 月开工，主要生产 HBM 等下一代 DRAM；M17 落在清州既有厂区，总建筑面积约 20.6 万坪（约 68.2 万平方米），明年 2 月开工，重点扩大 NAND 生产。公司引用市场研究机构 Omdia 的预测称，DRAM 与 NAND 需求到 2030 年前将维持约 19% 的年均复合增速，并把这轮需求明确视为结构性变化，而非短暂周期。

AI 内存的竞争正在变成"提前三年建产能"的耐力赛。HBM 这类高带宽内存对堆叠、TSV、混合键合和先进封装的要求，远比传统 DRAM 复杂；把 Y2 的 DRAM 与 M17 的 NAND 产能同步铺开，意味着工艺导入、洁净室节奏、设备部署和良率爬坡都要按客户所需的时间点倒排。对做存储、先进封装、测试与厂务的工程师，值得跟踪的不是单季报价，而是这座 AI 内存产能何时真正形成可交付的供给弹性。