NoMIS展示6.5kV大芯片碳化硅 MOSFET

美国纽约州奥尔巴尼的 NoMIS Power 公司于 2020 年从纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）分拆独立，专注面向中高压电能变换场景研发碳化硅（SiC）技术。该公司现已推出首款6.5kV大芯片 SiC MOSFET样品。器件实测阻断电压超 8kV，导通电阻 90 毫欧，漏极电流 55A。该成果标志着 NoMIS Power 成熟的平面型 SiC 器件技术，从已量产的 3.3kV 产品拓展至高压等级，同时为后续研发 10kV MOSFET 与 20kV SiC IGBT 打通了经过验证的清晰技术路线。

美国本土研发碳化硅产品路线图

NoMIS Power 高压 SiC 发展规划分为三个阶段：3.3kV 实现量产、6.5kV 进入送样阶段、10kV 处于研发进程：

1. 3.3kV — 现已量产完整 3.3kV SiC MOSFET 产品系列投入量产，包含 80mΩ（34A）、50mΩ（55A）、25mΩ（105A）规格，提供 TO-247-4L-HC 封装与裸芯片；配套 50–160mΩ 碳化硅双向开关以及 500A 半桥功率模块。

2. 6.5kV — 现已面向美国客户送样本次完成性能验证的大芯片 SiC MOSFET 已开启评估送样，作为 6.5kV 产品矩阵扩充的核心产品。后续将陆续推出不同导通电阻版本、小尺寸芯片器件、混合结势垒肖特基场效应管（JBSFET）以及独立二极管。JBSFET 结构可避免体二极管性能衰减问题，在关键工况下具备极高可靠性。目标应用场景涵盖高压直流输电（HVDC）、固态变压器、脉冲功率、轨道交通牵引、兆瓦级电动汽车充电。标准化量产 6.5kV 器件计划于 2026 年第四季度推出，面向商业客户供货。

3. 10kV 及以上 — 研发中，2026 年 Q4 启动送样管线产品包含 MOSFET、二极管、混合型 JBSFET 器件以及 SiC 绝缘栅双极型晶体管（IGBT），面向电网级高压直流输电、下一代牵引系统、先进脉冲功率设备，技术路线将持续延伸至 20kV 等级。

公司联合创始人兼首席执行官亚当・摩根博士表示：“器件实现 6.5kV 额定、实测阻断电压突破 8kV，证明我们的平面 SiC 技术平台可以从当前出货的 3.3kV 产品平稳向上拓展至高压品类。高压碳化硅正逐步成为数据中心、电网、航空航天与防务电源系统的基础器件，相关产能应当实现本土供给。我们正在打造可供行业完成认证的本土供应链，从当下的 3.3kV、6.5kV 产品，持续落地路线图中的 10kV MOSFET 与 20kV SiC IGBT。”

美国本土高压碳化硅供货渠道

对于依赖单一高压碳化硅供应商的项目，NoMIS Power 可提供本土备选方案。公司器件为美国自主设计，符合《国际武器贸易条例》（ITAR）与《国防联邦采办条例增补》（DFARS）相关要求，拥有多种代工制造方案可选。其碳化硅器件已被纳入美国能源部、国防部等政府资助项目。企业可提供器件认证与方案导入支持，包含外形、引脚、功能兼容型器件，兼容现有高压 SiC 平台，帮助项目降低单一货源风险，保障关键任务项目供应链稳定。NoMIS Power 在纽约奥尔巴尼纳米技术园区内设立研发基地，负责碳化硅器件、封装与功率模块设计。

样品获取与商务对接

6.5kV 大芯片 SiC MOSFET 现已面向美国客户开放评估送样，标准量产版本预计 2026 年第四季度上市。NoMIS Power 正与系统厂商开展方案导入合作，支持定制电流规格与封装形式。若研发团队正在为高压直流输电、固态变压器、脉冲功率、牵引系统、大功率充电、航空航天及防务平台评估高压碳化硅器件，可联系 NoMIS Power，对接 6.5kV、10kV、20kV 完整产品路线规划。