算力浪潮下，SiC/GaN加速AI数据中心电源落地

随着 AI 大模型快速迭代，算力需求爆发式增长，AI 数据中心的功耗压力也随之陡增。供电系统作为算力基础设施的 “心脏”，正朝着更高功率、更高效率、更高功率密度方向快速演进，以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体器件，正在成为这场技术变革的核心支撑。

围绕 AI 数据中心供电的技术演进路线、宽禁带器件的落地现状，以及英飞凌对应的产品方案与产能规划，EEPW 电子产品世界的记者专访了英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算与通讯业务中国区 AI 数据中心业务单元负责人王岩（Kim Wang）。

英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算与通讯业务中国区 AI 数据中心业务单元负责人 王岩

EEPW：当前 AI 算力持续走高，在您看来，AI 数据中心供电架构发生了哪些变化？SiC 与 GaN 器件分别承担怎样的角色？

王岩：算力提升直接带动整机功耗上涨，倒逼整个 AI 数据中心供电架构向更高功率、更高效率、更高功率密度演进，宽禁带 SiC、GaN 器件是实现这一演进必不可少的基础。

从单相 PSU（电源模块）来看，行业普遍采用图腾柱 PFC 拓扑来提升能效。650V SiC MOSFET 凭借出色的反向恢复特性与温度特性，是该拓扑快管的优选器件。在 LLC 变换环节，采用 650V SiC 或者 GaN 器件可以实现高频工作，系统开关频率最高可达 400kHz～500kHz，有效提升电源功率密度。

功率进一步提升之后，PSU 开始大量采用三相输入、800V/400V 输出架构，1200V SiC MOSFET 是当前三相 PSU 的主流选择。面向未来功率等级更高的固态变压器（SST）场景，行业还需要耐压 2300V、3300V 甚至更高规格的 SiC MOSFET 模块，以此匹配液冷系统的设计需求。

而在 HVDC（高压直流）系统中，需要依靠 HV IBC（中间总线转换器）将 800V/±400V 高压降压至 48V 及以下，供给后端算力柜主板。模块化 HV IBC 为追求更高功率密度，开关频率已经提升至 800kHz～1MHz，在这种高频工况下，GaN 器件具备显著优势，成为这类开关器件的优选方案。

总体来看，在 AI 数据中心供电技术迭代的路线图中，SiC 和 GaN 的重要性正在持续提升，这也是英飞凌重点投入布局的赛道。

EEPW：针对 AI 数据中心的各类供电场景，英飞凌推出了哪些差异化 SiC/GaN 产品方案，核心优势体现在哪里？

王岩：AI 供电架构的升级本质上是一套系统级优化。英飞凌深度联动下游电源厂商与终端系统厂商，参与 AI 供电架构技术路线的共同定义，我们的 SiC、GaN 产品开发，也是完全匹配这套演进路线来做定义的。

在 SiC 产品方面，英飞凌 SiC MOSFET G2 系列兼顾导通损耗与开关损耗，方便工程师在钛金级 PSU 设计中，同时满足重载、轻载双重能效指标。

PSU方面，为进一步提升单相 PSU 功率密度，不少电源厂商正在评估导入三电平拓扑，以此缩小 PFC 电感体积。对此我们推出 440V SiC MOSFET，对比同规格 650V 器件，开关损耗相关的 FOM（品质因数）降低幅度高达 30%～50%。

针对 HVDC PSU 常用的维也纳 PFC 拓扑，我们推出 750V SiC BDS（双向开关器件）以及 650V GaN BDS（双向开关器件），单封装集成双向开关功能，适配维也纳架构横管应用，帮助设备缩减体积、控制成本。

在输出端 OR‑ing 应用场景，750V/950V/1200V Cascade JFET 是我们的特色方案，它既拥有 JFET 超宽 SOA（安全工作区）的特性，同时保留了 Si MOSFET 驱动简单易用的优势。

面向液冷系统，英飞凌也提供 Q‑DPAK 封装、EasyPACK™模块形态的 SiC MOSFET 产品。

面向 HV IBC，英飞凌提供 ISOP（输入串联、输出并联）整套方案。原边可采用 650V GaN 器件实现 1MHz 高频工作，拉高功率密度。硬件上，我们有 650V、8×8×1mm 双面散热分立 GaN 器件，占用板面积更小、厚度更薄，适配 6kW 半砖规格 800V/48V IBC；也提供 10×12mm、集成驱动的双面散热 GaN 器件，覆盖更高功率 IBC 需求。副边器件则做到封装、管脚与传统 Si MOSFET 兼容，提供 3×3mm、5×6mm 两种封装，方便工程师灵活选型。配套驱动芯片上，我们还有 3×3mm 小封装的双浮地驱动芯片 2EDL90XG3，可同时兼容 Si 与 GaN 器件。

EEPW：这些面向 AI 服务器电源的 SiC、GaN 器件，目前量产落地情况如何？

王岩：SiC MOSFET方面，英飞凌已是多家 PSU（电源模块）厂商的主力供应商，产品已经稳定量产多年，性能、可靠性经过市场验证，是电源工程师的主流选型。

GaN 方面，整个 IBC 行业正处在产能爬坡阶段，英飞凌也是行业内少数可以向服务器电源市场批量供货 GaN 器件的供应商。

EEPW：对比行业其他玩家，英飞凌在性能与产业生态上具备哪些竞争力？

王岩：英飞凌是 SiC、GaN/宽禁带功率器件领域的头部厂商，产品性能和可靠性已经得到广大客户认可。在 AI 供电架构迭代过程中，我们深度参与其中，和主流电源厂商、系统厂商、云服务商共同研讨、制定技术方案。因此英飞凌宽禁带器件的产品路线，能够紧密贴合 AI 供电系统的演进方向，具备较强前瞻性与场景适配性。

EEPW：面向未来两三年的 AI 算力市场，英飞凌有怎样的产品与产能规划？

王岩：AI 供电系统是英飞凌重点攻坚的市场，高功率、高效率、高功率密度，是我们宽禁带器件与解决方案的核心发展方向。

为匹配 AI 市场爆发式增长的需求，英飞凌持续加码宽禁带产能建设。过去几年，我们完成了奥地利菲拉赫（Villach）、马来西亚居林（Kulim）两大 WBG 宽禁带半导体工厂的建设与扩产。目前 8 英寸 SiC 产线已经稳定运行，12 英寸 GaN 产线也已经从中低压 GaN 产品开始量产。2026 年 7 月，总投资超 50 亿欧元的德国德累斯顿工厂正式投产，将进一步大幅提升电源类器件产能。

英飞凌坚持 IDM 垂直整合模式，SiC、GaN 均拥有自有晶圆厂，实现芯片制造内部完成，保障供应链稳定可控。