SK hynix 印第安纳 HBM 先进封装基地开工：投资超 40 亿美元，2029 年下半年量产下一代 HBM

SK hynix 于当地时间 8 月 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行 AI 存储器先进封装生产基地奠基仪式，宣布项目总投资超过 40 亿美元。按规划，洁净室将于 2028 年 10 月建成开放，下一代 HBM将于 2029 年下半年启动量产。CEO 郭鲁正在仪式上表示，该基地年产能最终将达到数十万片晶圆的量级，并预计当前存储器供不应求的局面将持续到 2030 年底。

这是 SK hynix 在美国设立的首个 HBM 生产据点，运营方式与韩国本土产能紧密衔接：先进晶圆在韩国生产后运往印第安纳，经先进封装与测试后以「美国制造」的 HBM 供应美国客户。基地同时配套建设先进封装研发测试床（Testbed），与普渡大学签署研发合作 MOU，供客户、高校与合作伙伴联合开发下一代封装技术并快速完成原型验证。项目预计在建设与运营阶段创造约 7000 个直接及间接就业岗位，目前有超过 100 家材料、零部件与设备供应商在洽谈之列，商用运营阶段的基地人员规模约 1000 人。

把 HBM 产线放到封装环节、贴近美国 AI 客户，实质是把 HBM 竞争的最后一段工序本地化——晶圆仍在韩国，键合、堆叠与测试移到美国。这种分工对设备与材料链的影响比「又建一座厂」更具体：键合设备、检测量测与封装基板的美国本土供应需求会被带动起来，普渡测试床则为 16 层以上堆叠这类下一代工艺提供了产研一体验证入口。对国内跟踪者，可对照观察长鑫、长江存储在 HBF 与先进封装上的国产配套进度，HBM 封装环节的设备国产化窗口正处于打开过程中。