纳微半导体携手格芯，首批美国本土生产第五代 GaNFast 产品出货

美国加利福尼亚州托伦斯市氮化镓（GaN）功率 IC 与碳化硅（SiC）技术企业纳微半导体（Navitas Semiconductor Corp）宣布，与纽约州马尔塔市格芯（GlobalFoundries，GF，美国唯一一家具备全球制造布局的纯晶圆代工厂，工厂分布于美国、欧洲、新加坡）合作，美国本土制造的第五代GaNFast 技术产品将于 9 月启动首批出货。这一里程碑事件将强化面向 AI 基础设施与关键国家安全应用的美国本土氮化镓产业生态。

2025 年 11 月，纳微半导体与格芯签署长期战略合作协议，旨在加速美国氮化镓技术创新与本土制造落地。纳微半导体完成第五代GaNFast 场效应管（FET）与功率集成电路（IC）的开发，交由格芯位于佛蒙特州伯灵顿的 8 英寸硅基氮化镓（GaN‑on‑silicon）产线进行生产。

第五代GaNFast 系列产品的首批出货，是纳微‑格芯合作的重要里程碑，将纳微新一代 GaNFast 技术导入美国本土晶圆代工产线，面向 AI 基础设施、高性能计算、工业电气化以及关键国家安全领域供货。

自 2014 年起，纳微半导体推出集成功率、驱动、控制、检测与保护功能的 GaNFast 场效应管及功率集成电路。公司在氮化镓、碳化硅领域拥有 300 余项已授权及待审专利，在氮化镓工艺设计套件（PDK）、器件架构、集成功率技术方面积累了自有核心技术。

纳微半导体充分运用上述技术积累，对自研第五代 GaNFast 技术与器件架构进行优化，适配格芯 8 英寸硅基氮化镓工艺平台。结合格芯数十年半导体制造积淀与大规模量产能力，本次合作将为 AI 基础设施及其他关键应用提供美国本土供应的氮化镓功率半导体产品。

纳微半导体总裁兼首席执行官克里斯・亚历山大（Chris Allexandre）表示：“通过与格芯合作，我们建立起可信的美国本土制造产能，用于生产 GaNFast 第五代及后续迭代产品。该产能将为 AI 基础设施、高性能计算提供核心供电能力，同时提升美国半导体产业生态的抗风险韧性。”

格芯功率业务高级副总裁坎南・桑达拉潘迪安（Kannan Soundarapandian）称：“美国产线实现首批出货，印证格芯与纳微正将先进氮化镓创新转化为安全、可规模化的本土供货能力。依托纳微在功率半导体领域的领先地位与格芯的制造实力，我们可为 AI 基础设施及关键应用提供所需的高效率功率解决方案，进一步增强美国半导体生态的供应链韧性。”

首批产品系列包含 650V 氮化镓场效应管，导通电阻 RDS (ON) 规格覆盖 11mΩ、18mΩ、50mΩ、120mΩ、150mΩ；首批晶圆计划 9 月出货，内部样品 10 月交付，战略客户样品将在年底前提供。