中微公司在 CSEAC 2026 集中发布六款高端设备：极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD 钼与 SiC 外延齐发

9 月 1 日，在第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）期间，中微公司发布六款自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD、金属薄膜沉积与 SiC 外延五个方向，对应先进存储、先进逻辑与第三代半导体的制造环节。这是中微继今年 3 月 SEMICON China 发布四款新品后，半年内第二次高密度上新。

刻蚀方向的新品是 Primo XD-RIE™ 极高深宽比刻蚀机，面向 3D NAND 与 DRAM 向更高堆叠层数演进时的刻蚀瓶颈，支持 70:1 至 90:1 深宽比工艺。设备采用多级脉冲的大功率高频射频电源与可调波形直流偏压，配低温刻蚀系统；静电吸盘按耐低温、高击穿电压设计，搭载四区磁线圈聚焦的等离子体分布调节与边缘鞘层主动调节；工艺气体架构在保障刻蚀性能的同时降低温室气体排放。

薄膜沉积方向一次推出四款。Performo QuaStar® ON 面向 3D 闪存制造中的氧化硅/氮化硅叠层沉积，四反应腔、单腔四反应台，单系统最多同时处理 16 片晶圆；同系列的 QuaStar® GE 覆盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等硅基介质薄膜，单系统最多 12 片。Prefima Unicore™ AM 是 12 英寸 ALD金属钼设备，面向超高堆叠存储的字线填充，采用四反应台布局，高速气体切换以毫秒级精度控制原子层沉积周期，固态源温控梯度保证批量生产的一致性。Preforma Uniflash® 金属硅化物集成系统把原位前清洁、PECVD 金属钛与 ALD 氮化钛三类工艺模块集成在一台设备上，双反应台架构最多可配五个工艺腔，面向先进逻辑与存储的金半接触、保护层、衬垫层与电容电极等环节。

泛半导体方向的 PRISMO PDS8® 是 SiC 高温外延设备，最多可配四个反应腔，支持四片 8 英寸外延片同时加工；垂直反应器为自主设计，集成实时温度监测与基于模型的温控算法，按 SEMI 标准配置片盒到片盒传送系统。中微公司介绍，公司成立以来累计开发 54 种高端设备，超过 8800 个反应台在国内外 220 余条生产线上量产；2026 年半年报显示在研项目覆盖 6 大类设备、超过 20 款新品，新产品开发周期已从过去的 3 至 5 年缩短到两年以内。

六款设备里真正指向下一代制程拐点的有两类：一类是围绕 3D 存储超高堆叠的字线填充与叠层沉积，用 ALD 钼逐步取代钨、用高产出 PECVD 支撑上千层叠层的沉积效率，中微把金属钼设备、叠层 PECVD 与极高深宽比刻蚀放在同一次发布里，等于为 3D NAND 的字线—叠层—刻蚀工序配齐了一套工艺设备；另一类是 8 英寸 SiC 外延，对应功率器件衬底向 8 英寸过渡的设备需求。对产线而言，发布只是起点，极高深宽比刻蚀与钼填充这类工序的认证周期以年计，真正决定份额的是这些设备在存储与功率产线上跑出的良率与工艺窗口数据。