台积电敲定294亿美元资本开支 携手索尼布局图像传感器并推进先进封装

台积电近日宣布，将在高雄设立一座专注于2纳米制程的工厂，并为此召开董事会会议，正式敲定了高达294.425亿美元的资本支出计划。这笔巨额投资将用于先进制程技术的研发、先进封装工艺的升级、成熟与特色工艺的改进以及厂区建设等多个方面，旨在确保公司长期产能的稳定与增长。

在先进封装领域，台积电已取得显著进展。公司先进封装技术服务板块副总裁何军在台北南港展览馆举办的2026开放计算项目亚太峰会上透露，台积电目前已经成功投产采用5.5倍掩膜版规格的CoWoS（基板‑晶圆‑芯片堆叠）先进封装工艺。台积电还计划在2029年推出尺寸达到14倍掩膜版的CoWoS技术，进一步巩固其在先进封装领域的领先地位。

与此同时，台积电还宣布了一项重大收购计划。公司计划出资最高2820亿日元，收购其与索尼在熊本县合资设立的新一代图像传感器企业的股份。根据合作协议，索尼将借助台积电的先进工艺技术，共同研发并制造该芯片，目标是在2029年实现量产。这款芯片将主要应用于智能机器人和自动驾驶汽车等前沿领域，为这些行业提供强大的技术支持。

此前，台积电在二季度业绩会上已经上调了全年的资本开支预期。公司原本预计资本开支将在500亿美元左右，但随后将其上调至600-640亿美元。台积电表示，这一调整主要是基于适配先进工艺的AI芯片需求旺盛，以及公司对2029-2030年订单前景的明确预期。随着全球对高性能芯片需求的不断增长，台积电正积极扩大产能，以满足市场的旺盛需求。