台积电A16背面供电技术验证成功 性能跃升 第四季度量产助力AI芯片升级

台积电在先进制程技术领域取得重要突破，其研发的A16制程背面供电技术已完成验证。这一技术是台积电2纳米节点家族的衍生工艺，也是其首个引入背面电轨的先进制程方案。

传统半导体设计面临供电与信号互连的布局冲突问题。随着制程工艺向更小尺寸演进，芯片正面的布线空间逐渐被供电线路和信号传输线路挤占，导致线路拥塞加剧和电压下降，进而影响芯片性能和稳定性。

A16技术通过创新设计解决了这一难题。该方案将供电网络完全转移至芯片背面，通过专用连接点直接为晶体管的源极和汲极供电。这种设计仅需对芯片正面进行微调，就能保持与现有芯片设计框架的兼容性，大幅降低技术迁移成本。

作为埃米级CMOS平台的首个应用案例，A16采用了"超级供电轨"背面供电架构。此前英特尔已在18A制程中量产PowerVia背面供电技术，台积电此次验证成功意味着两家半导体巨头在新型供电技术领域展开直接竞争。

性能测试数据显示，A16制程相比前代N2P工艺实现显著提升。在相同功耗条件下，运算速度提高8-10%；保持相同运算速度时，功耗降低15-20%；芯片晶体管密度也增加8-10%。这些特性使其特别适用于人工智能加速器和高性能计算芯片等对能效比要求严苛的领域。

据产业消息，A16制程计划于今年第四季度进入量产阶段。英伟达等专注于AI芯片开发的企业有望成为首批采用该技术的客户，其下一代产品或将因此获得性能与能效的双重提升。