SK海力士HBM新动向：封装技术成关键 携手多方共克散热等挑战

在人工智能半导体领域，高带宽内存（HBM）技术的发展正迎来新的转折点。近日，SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik在半导体行业重要会议Hot Chips 2026上强调，HBM的竞争力不仅取决于内存本身性能，封装技术、GPU设计以及代工工艺的协同优化同样关键。

当前，SK海力士的HBM产品采用三维堆叠架构，通过硅通孔技术将多个核心芯片垂直连接至基底芯片，最高已实现16层堆叠。其封装方案选用MR+MUF（回流焊+注塑底部填充）工艺，相比传统的TC+NCF（热压+非导电薄膜）方案，该工艺在生产效率和热管理方面表现更优，但存在芯片翘曲和间隙填充的挑战。为突破这一瓶颈，公司研发团队通过引入翘曲控制技术和超精细间距集成工艺，显著提升了现有产品的性能表现。

面向更高集成度的需求，SK海力士正推进混合键合封装技术的研发。这项技术通过消除传统微凸点结构，实现芯片间直接连接，可将凸点间距压缩至18微米以下。在相同封装高度下，核心芯片厚度可增加24%，为20层甚至更多层堆叠提供了技术可能。更值得关注的是，该方案通过优化热传导路径，有效缓解了高密度集成带来的散热难题。

在系统级应用层面，HBM的组装方式正发生根本性变革。不同于传统存储器在系统组装最后阶段安装的模式，人工智能芯片要求HBM在早期阶段即集成至中介层。这种工艺顺序的改变，使得内存需要承受后续制造流程产生的热应力与机械应力，对产品可靠性提出更高要求。Lee特别指出，内存厂商必须与GPU设计方、代工厂和封装企业建立深度协作机制，从设计源头实现全产业链优化。

针对高速传输带来的局部过热问题，SK海力士在会上展示了创新的iHBM散热技术。该方案通过在关键热源区域精准部署耐高温导热材料，实现定向散热管理，避免了传统整体冷却方案造成的能源浪费。实验数据显示，这种局部冷却方式可使热点温度降低30%以上，同时保持整体功耗稳定。

随着HBM带宽和容量持续攀升，行业面临的热管理、功耗控制等挑战日益严峻。Lee透露，下一代产品将重点突破封装互连密度和热传导效率的极限，这需要客户、代工厂和封装企业建立更紧密的技术联盟，共同开发适应人工智能时代需求的解决方案。