Y12T121 海思首次展出光芯片系列DBR/EML/VCSEL/PCSEL

发布时间：2026-05-01来源：光通信女人

海思光电是华为旗下的半导体公司，最近几年在国内CIOE等论坛做产品进展，2026年在武汉九峰山论坛做了第一次实体展出。

九峰山聚焦的是化合物的光芯片，海思的展出的光芯片也是聚焦在III V族化合物芯片系列。

~~，硅属于IV四族元素，这个三五族系列不包括硅光内容。主要是三大类材料，GaN，GaAs和InP。

咱们通信用GaAs和InP比较多。

海思最早布局化合物光芯片至少十五年以上了，在武汉建InP实验室，2011年收购英国一个团队，建立英国研发中心。

2019-2024年，海思累计发货1亿颗化合物光芯片。

2025年，单年度发货1亿颗以上化合物光芯片。完成了从技术突破到海量规模商用的跨越。

海思的光芯片能力，众所周知的原因，几乎每一步都需要考虑自研，包括芯片设计数学建模，MOCVD以及MBE外延能力，芯片工艺以及后续的测试能力。

海思DBR可调谐激光器，实现了单芯片C+L波段的调谐，超宽波段。大多数厂家用的是C波段和L波段做混合集成或单片封装合波，海思这个单芯片跨C波段和L波段对增益谱的设计要求挺高的。

海思的DBR芯片提到了“双波导”的概念，他家在学术会议的论文有EML、APD等等，但很难看到可调谐激光器的内部结构阐述。

华为在十年前就开始部署了很多DBR的专利技术，具体如何双波导，咱们慢慢观察。

EML呢，2025年OFC，海思发表论文，带宽110GHz，可用于400G/200G/100G/50Gbps每通道的高速以太网光模块场景。

Y11T120 华为海思 540Gbps EML，带宽110GHz

从EML的COC布局来看，单端EML的伪差分设计结构，且采用EA端的双金丝键合工艺，降低寄生电感，提高封装带宽。双金线Y型结构，写过博通展示的一个案例。

EML通常需要搭配InP系的PD，海思用的背照式结构，带宽同样110GHz以上，背入射，底部刻蚀透镜。

用于硅光芯片光源的大功率CW激光器，海思有很多个系列，带制冷可支持到400mW。

大功率激光器，产业选择边发射的CW DFB类型，同时也在研究面发射的PCSEL激光器。

昨天刚写了住友PCSEL激光器的进展，也看一下海思的进展。

25℃光功率可达到600mW，线宽35kHz，采用台阶双孔结构，光场直径~0.2mm，具体结构可参考住友的论文。

海思首推单片多波长的PCSEL阵列芯片，波长间隔可设计100GHz、200GHz、400GHz或800GHz，用于CPO或OIO的多波长WDM小型化大功率光源。

华为海思SOA也是用InP材料，采用Lealman结构。~~，Lealman是个的名字，华为海思英国实验室收购的原英国电讯的激光器的设计者，下图是1994年英国电讯的一个专利的截图，发明人包括了Lealman。

上面是InP系列，包括DBR、EML、PD、CW DFB、PCSEL和SOA。

接下来聊一下GaAs系列，基于GaAs的量子阱激光器，在高速通信里通常设计为VCSEL的面发射激光器，用于EDFA的泵浦源时设计为边发射激光器。

2026年，华为海思的VCSEL可达到40GHz的带宽。

2025年，海思办了一场基于VCSEL方案的eSR发布会。Y11T260 IPEC发布多模拓展距离的eSR标准

2026年，海思在6月份会发布eSR的最新版本发布会，同时会做200G VCSEL的现场演示。有兴趣的小伙伴可以去现场看看。

VCSEL是GaAs材料的量子阱技术，还有GaAs材料的量子点技术，用来做光频梳，也就是咱们说的多波长激光器。

5月23日的议题《高速VCSEL、直调DFB与高速EML原理、现状及发展瓶颈》，6月13日的议题《大功率CW 激光器、多波长激光器、可调谐激光器原理及激光器产业链》，这俩议题都和激光器相关，可详询18140517646

转载说明：本文系转载内容，版权归原作者及原出处所有。转载目的在于传递更多行业信息，文章观点仅代表原作者本人，与本平台立场无关。若涉及作品版权问题，请原作者或相关权利人及时与本平台联系，我们将在第一时间核实后移除相关内容。