【106期】8英寸氮化硅刻蚀机-TEL8500（F503）

1、设备原理：

反应离子刻蚀主要以F基反应气体在射频作用下分解生成活性反应成分，在自偏压电场作用下与被刻蚀材料产生物理与化学反应，气态生成物被真空系统抽走，从而完成刻蚀的效果。

2、设备亮点：

反应离子刻蚀具有高精度、高可控性和高刻蚀速率的特点。设备具有能够实现对特定材料的高选择比刻蚀，并具有能够精确控制刻蚀深度和刻蚀形貌的优点。

3、主要用途：

▋▍技 术 指 标

1、气体配置：CHF₃、CF₄、Ar、N₂、O₂

2、RF功率：≤300W

3、刻蚀非均匀性：<±3%

4、SiO₂刻蚀速率：150nm/min

5、SiN_x刻蚀速率：120nm/min

刻蚀SiO₂/SiN_x材料角度图及刻蚀SiO₂特殊图形前后效果图如下所示：