一、功率半导体是什么？

功率半导体是电子设备中实现电能转换和电路控制的核心元器件，涵盖功率二极管、MOSFET、IGBT以及第三代半导体SiC、GaN等品类，被誉为电子系统的“CPU”，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏储能、AI数据中心、工业电机等领域。

2026年，功率半导体正经历十年一遇的结构性上行周期。瑞银最新报告明确指出，中国功率半导体可能正站在新一轮超级周期起点——新能源汽车、储能、AI数据中心三大需求同时启动，叠加行业扩产保持克制，中国功率半导体企业有望迎来盈利和估值双重提升。“算力的终点是电力”正在成为产业共识，AI时代数据中心机架功耗从数十kW暴增至100kW-300kW以上，传统硅基MOSFET因损耗过大已无法负荷，第三代半导体及高端功率器件成为AI基础设施不可或缺的核心战略物资。

二、核心驱动逻辑

1. 需求端：新能源汽车+AI数据中心+储能三驾马车齐驱

新能源汽车800V平台全面渗透，SiC上车加速。特斯拉全系碳化硅用量提升30%，比亚迪800V高压平台全面标配国产碳化硅模块，小米SU7 Ultra自研碳化硅电驱，三大整车厂同步验证碳化硅上车确定性。2025年国内新能源车渗透率约48%，单车功率半导体用量是传统燃油车的5-10倍，800V高压平台普及直接拉动车规级IGBT和SiC模块需求爆发。

AI数据中心成为功率半导体最强增量引擎。以英伟达新一代AI服务器为例，单机架功耗已突破100kW-300kW，电力转换效率要求高达97.5%以上。800V高压直流输电、固态变压器、AI服务器电源等应用对高端中低压MOSFET及第三代半导体（SiC/GaN）的需求加速落地。英伟达已发布基于氮化镓的AI服务器电源模块，效率达98.5%，打开数据中心新蓝海。

储能与充电桩：新增长极逐步成型。全球碳中和进程推动光伏、储能电站建设提速，扬杰科技、士兰微等企业的SiC MOS产品在光伏逆变器、储能变流器中批量应用；充电桩快充升级对高压功率器件需求同步攀升。

Yole预测：2026年全球SiC市场规模将超80亿美元，GaN超35亿美元。碳化硅器件价格两年降40%，已进入性价比临界点，正从高端市场快速向大众市场渗透。

2. 供给端：产能利用率回升至近90%，扩产保持克制

行业产能利用率显著改善，TrendForce数据显示，2026年全球8英寸晶圆代工厂平均产能利用率预计攀升至85%-90%，较2025年的75%-80%提升10个百分点以上。部分晶圆厂已通知客户全面上调代工价格5%-20%，上游原材料及封测成本也全线上涨。

瑞银核心判断，过去几年龙头企业资本开支明显收缩，无论是英飞凌、安森美还是国内企业，最近几年扩产节奏都明显放缓，行业已经吸取上一轮过度扩产的教训。即使当前产能利用率持续提升，大部分企业仍然保持谨慎投资，这与过去“需求恢复→企业迅速扩产→最终价格再次下跌”的模式完全不同，意味着行业利润率会持续改善。

3. 涨价潮全面启动：国际大厂年内二轮提价，国内企业集体跟进

2026年功率半导体涨价呈现清晰的传导路径：国际IDM龙头打响涨价第一枪；国内企业紧跟龙头节奏相继宣布涨价；全行业已迎来第二轮集体涨价。

英飞凌：年内已两次涨价，第二轮回调于7月1日生效。

意法半导体：第二轮回调于6月28日生效，数据中心业务收入预期从5亿美元大幅上调至10亿美元。

德州仪器：7月1日启动第二轮涨价。

国内方面，士兰微、立昂微、华润微年初率先涨价10%，6月15日起立昂微再次宣布功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%，受上游原材料价格持续上涨影响，公司综合生产成本大幅增加，通过涨价维持供货稳定。

行业普遍预计2026年功率器件价格将迎来两轮累计20%-30%的涨幅，供需与原材料趋势共同驱动。银河证券从Computex大会企业表态来看，AI算力需求爆发下，AI电力需求大幅增长、AI服务器机柜功率大幅提升，均对功率半导体形成强需求。

三、最新市场动态：涨价信号叠加融资资金持续流入

士兰微7月1日发布涨价函。受上游原材料波动、产业链供需格局转变双重冲击，自2026年7月1日起，旗下全产品线产品价格上调15%及以上，本轮涨价覆盖公司全部半导体业务板块。士兰微表示，前期已通过优化生产工艺、精益化内部管理、提升运营效率等多重手段消化成本上涨压力，但多轮核算评估后，持续攀升的供应链成本已超出企业内部承载极限，单纯依靠内部降本无法对冲成本缺口。

立昂微6月15日发布涨价函。功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%，是继2月士兰微、英飞凌等企业率先提价后的第二轮涨价潮。分析指出，涨价背后既有晶圆代工和原材料涨价带来的成本压力，也受益于AI基础设施建设需求旺盛，部分用于控制电力的功率芯片供不应求。

二季度融资资金持续加仓IGBT概念股。截至6月12日，15只IGBT概念股获融资资金加仓超1000万元。立昂微、中国中车、国电南瑞排名前三，净买入额依次为11.3亿元、8.9亿元、5.22亿元；华润微、时代电气、扬杰科技净买入额均在3亿元以上。

华润微、银河微电Q1业绩亮眼，归母净利润同比增速超过200%；士兰微、扬杰科技归母净利润同比增速超过40%。从基本面来看，士兰微净利润同比增速同样表现优异。

碳化硅全面涨价，行业进入系统性提价通道。英飞凌年内二度涨价率先打响涨价第一枪，意法半导体等国际巨头密集跟进，国产衬底与器件厂商纷纷调价，碳化硅行业开启“全面涨价”模式。当前碳化硅衬底片头部厂商如天岳先进、天科合达的产能利用率均已超过90%。

四、产业链核心受益方向与股票名单

功率半导体产业链可划分为六大核心受益方向：IDM一体化龙头、碳化硅/氮化镓（第三代半导体）、IGBT与MOSFET、功率分立器件、功率集成电路、半导体设备与材料。瑞银在所有标的中，最看好拥有制造能力的IDM龙头，其中最受益的是士兰微、华润微、新洁能和斯达半导。

1. IDM一体化龙头——全产业链布局，价值重估弹性最大

IDM模式（芯片设计+晶圆制造+封装测试一体化）企业在供需紧张周期中具备最强盈利能力和供应链保障能力。

士兰微（600460）：国内唯一IDM模式车规功率龙头，产品覆盖MOSFET、IGBT、IPM模块、MCU等，IGBT芯片产能12万片/月，国内领先。12英寸产线通过车规认证，V代IGBT模块批量供货，性能达英飞凌70%-80%，2025年车规IGBT出货量同比增120%。瑞银预计其净利率将从2025年3%提升至2028年8%，ROE从3.3%提升至12%。

华润微（688396）：全产业链IDM布局，产品覆盖MOSFET、IGBT、功率IC等。2025年9月12英寸功率半导体晶圆生产线月产出已超3万片，季度归母净利润同比增速超200%。瑞银预计其净利率将从2025年6%提升至2028年14%，ROE从2.9%提升至9.6%。二季度以来融资净买入3.83亿元，高盛看好其在功率半导体需求上升趋势中的表现。

华微电子（600360）：已形成以IPM和PM模块、宽禁带半导体、IGBT、MOS、FRD等为营销主线的系列产品，覆盖功率半导体器件全部范围，广泛应用于清洁能源、汽车电子、工业控制等领域。

立昂微（605358）：6月15日起功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%。公司功率芯片业务将受益行业景气周期，二季度以来融资净买入额高达11.3亿元，居IGBT概念股首位。

2. 碳化硅（SiC）——第三代半导体核心主线，国产替代加速度

SiC是本轮功率半导体升级的核心方向，产业链涵盖衬底、外延、器件三大环节。

衬底与外延：

天岳先进（688234）：全球碳化硅衬底绝对龙头，8英寸衬底产能2026年将突破60万片/年，产能利用率超90%。瑞银认为碳化硅正从高端市场向大众市场快速渗透，天岳先进作为衬底端核心标的将率先受益。

合盛硅业（603260）：6/8英寸碳化硅衬底已全面量产，良率和质量均处于行业前列，12英寸碳化硅衬底研发顺利已推进送样，完整掌握从原料合成、晶体生长、衬底加工到晶片外延的全产业链核心技术。

三安光电（600703）：6英寸SiC晶圆月产2万片、良率超85%。SiC产品已进入国际头部车企供应链，与理想汽车合资成立的苏州斯科半导体全桥功率模块产线持续释放产能，充分受益于车载充电机、主驱逆变器等核心场景的需求增长。800G光模块配套氮化镓器件开始小批量出货。

天科合达（未上市/参股映射）：国内碳化硅衬底头部厂商，产能利用率已超90%。公司产品通过相关A股上市公司股权关系或供应链间接映射，可通过天富能源（参股）等标的相关联。

器件与模块：

斯达半导（603290）：国内车规级IGBT模块龙头，主攻新能源汽车主驱逆变器，IGBT模块产能35-40万套/月，车规级模块批量配套海内外车型，同步布局SiC MOSFET。高盛认为公司在功率半导体需求上升趋势中受益明确。

时代电气（688187）：中车旗下功率半导体龙头，IGBT芯片产能6.5万片/月，IGBT模块产能20万套/月，产品主要应用于轨道交通、新能源汽车、电网等领域，高压IGBT在轨交和电网领域具备技术优势。二季度以来融资净买入3.51亿元。

芯联集成（688469）：8英寸SiC产线批量交付车载功率模块，IGBT模组国内领先，车规功率半导体布局完整。

扬杰科技（300373）：主营二极管、整流桥、MOSFET及IGBT，产品覆盖消费电子、新能源等领域。在越南设立封装基地推进产能出海，SiC MOS产品在光伏逆变器、储能变流器中批量应用。一季度归母净利润同比增长超40%，二季度以来融资净买入3.45亿元。

3. 氮化镓（GaN）——快充+数据中心电源双轮驱动

GaN凭借高频高效特性在快充市场快速渗透，同时向数据中心电源、车载电源等领域延伸。

英诺赛科（未上市/产业链映射）：100V GaN芯片已实现机器人关节驱动量产，针对AI服务器的48V-12V氮化镓方案已进入英伟达供应链。

华润微（688396）：E-MODE GaN器件可靠性通过1000H考核，技术指标逐步对标国际一流水平，车规级SiC MOS完成头部客户认证。

新洁能（605111）：专注中高端IGBT、MOSFET等功率器件，产品广泛应用于新能源汽车及充电桩、算力服务器和数据中心、智能机器人、工控自动化等领域。瑞银列为最受益IDM龙头之一。

4. IGBT与MOSFET——传统功率半导体核心赛道

捷捷微电（300623）：主营晶闸管、防护器件等功率半导体，IGBT模块产能0.2-0.3万套/月，受益功率半导体涨价。

台基股份（300046）：主营大功率晶闸管及功率模块，布局IGBT模块。

宏微科技（688711）：主营IGBT、FRD模块，IGBT模块产能25万套/月，产品应用于新能源汽车、工业变频、光伏逆变器等领域。

银河微电（688053）：主营半导体元器件覆盖小信号器件、功率器件、光电器件及第三代半导体（SiC、GaN）器件，一季度归母净利润同比增速超200%。

闻泰科技（600745）：1200V车规级SiC MOSFET已实现量产出货，功率半导体业务持续扩张。

5. 功率集成电路（电源管理/驱动IC）

必易微（688045）：专注电源管理芯片，受益AI服务器与消费电子电源需求增长。

芯朋微（688508）：电源管理芯片核心供应商，覆盖家电、工业和消费电子领域，受益功率半导体产业整体景气。

希荻微（688173）：电源管理IC及充电管理芯片，受益AI数据中心电源需求。

圣邦股份（300661）：模拟芯片平台型龙头，电源管理产品线丰富，毛利率维持较高水平。

6. 半导体设备与材料

北方华创（002371）：刻蚀、薄膜沉积设备龙头，碳化硅产线扩产核心受益设备商。

中微公司（688012）：刻蚀设备龙头，SiC器件制造关键设备供应商。

安集科技（688019）：CMP抛光液龙头，SiC衬底抛光材料核心供应商。

江丰电子（300666）：半导体靶材龙头，碳化硅产业链上游材料受益。

鼎龙股份（300054）：CMP抛光垫国产化突破，受益SiC衬底扩产需求。