【111期】苏纳所光刻设备介绍-尼康DUV步进扫描式光刻机

1、设备原理：    

该设备为步进扫描式DUV 光刻系统，以248nm KrF 准分子激光为曝光光源，经高精度投影物镜将掩模图形按1:4 缩小，精准曝光到涂覆光刻胶的晶圆表面；配合工件台高速步进与扫描，完成全场对准、调焦调平与图形曝光，实现电路图案从掩模到晶圆的高精度转移。

2、设备亮点：

（1）高分辨率：最高分辨率可达0.2μm，可稳定实现微纳级精密图形转移，满足高端集成电路、MEMS 等精细制程需求;

（2）高对准精度：可选择LSA和FIA两种对准模式，套刻精度≤40nm;

（3）高生产效率：兼容ACT8 涂胶显影单元，实现光刻、涂胶、显影全流程联机自动化，大幅提升生产效率，适配批量加工场景;

（4）多尺寸兼容：适用于6/8英寸透明及非透明样品。

3、主要用途：

▋▍技 术 指 标

1、分辨率：0.2μm

2、对准精度：≤40nm

3、最大曝光面积：25mm×33mm

4、曝光能量：≥600mW/cm²

5、步进进度：≤0.03μm（3σ）

6、样品尺寸：6/8英寸兼容

200nm光栅图形

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