【中半协专访】对话璞璘科技：光芯片赛道迎来国产首台纳米压印光刻机

发布时间：2026-07-11来源：微纳米人

背景

在半导体制造环节中，提起光刻行业的第一反应往往DUV和EUV光刻机。然而，随着制程微缩带来的经济学瓶颈显现，纳米压印光刻（NIL）正作为一种强有力的互补路线进入产业视野。尤其在光芯片、NAND闪存等对成本极度敏感的细分赛道，纳米压印技术已率先迎来破局契机。

在这一产业背景下，2026年6月5日，璞璘科技向深圳力策科技正式交付PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻机，并同步宣布：依托该设备，双方已完成8英寸光芯片晶圆的规模化量产验证。整套制造流程完全绕开深紫外（DUV）光刻路线，单片芯片制造成本降至传统 DUV方案的十分之一。当前，AI算力持续爆发，带动硅光芯片、光通信模块、光互联器件需求持续上涨。在此行业节点，璞璘科技这款全晶圆量产纳米压印光刻机，不仅打破了纳米压印装备海外垄断，更打造出一条“成本可控、良率达标、可规模化复制”的DUV替代路径。

近日，中国半导体行业协会MEMS（微机电系统）分会走访璞璘科技，围绕设备迭代、工艺开发、产线量产、企业发展规划等议题，与企业负责人展开深度交流。

企业调研专访

中半协MEMS分会:

2023年初次来访时厂房还在装修，如今贵司近期落地晶圆级纳米压印光刻机PL-AS并实现八英寸光芯片晶圆规模化量产验证，能否介绍这款设备的主要应用场景？

璞璘科技:

自纳米压印技术进入半导体行业视野以来，全球仅有佳能等极少数企业能够供应半导体级量产设备。受海外出口管制限制，国内晶圆厂长期难以自主采购该类装备。2025年8月，璞璘科技率先打破海外装备垄断，交付国内首台半导体级步进式纳米压印光刻系统 PL-SR。该设备采用喷墨步进工艺，主要面向先进集成电路、硅基微显等领域开展工艺研发。

PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印光刻系统

本次交付的PL-AS半导体级真空气压式纳米压印光刻机，则实现了从 “装备突破”到“工艺替代”的关键跨越。设备摒弃步进式方案，采用面接触压印原理，专为全幅面晶圆量产设计，更适配光芯片大面积微纳结构复刻需求。PL-AS并非实验室验证机型，而是可直接替换产线现有DUV光刻机的量产设备。

从PL-SR到PL-AS，璞璘科技并非单纯完成设备迭代，而是实现纳米压印技术从工艺研发到产线量产的路线升级。前者解决了国产半导体级纳米压印装备“有无”的问题；后者则进一步验证，该技术路线可稳定用于光芯片量产、实现降本，并替代部分DUV工艺。

中半协MEMS分会:

为何气压式方案能率先突破DUV技术垄断？

璞璘科技：

长期以来，纳米压印被视作DUV光刻的有力替代方案，但从实验室落地量产产线难度极大。传统辊压工艺虽产能更高，但采用线接触成型，容易造成残余层厚度不均，无法满足光芯片严苛工艺标准；步进式压印精度优异，却需分区域逐次压印，生产效率受限，难以支撑大规模量产。

PL-AS搭载的真空气压式方案从底层原理解决上述行业痛点：核心采用面接触压印结构，气体形成均匀“空气垫”向模板施压，晶圆上所有纳米结构单元受力均衡，残余层厚度偏差可控制在2nm以内，这也是光芯片制造的核心工艺红线。同时，真空成型环境可从根源杜绝气泡缺陷，图形填充完整度远超辊压工艺。更关键的是，设备结构大幅简化，省去DUV光刻机复杂且高价的光学模组，设备采购与后期维护成本显著降低，这也是其能大幅缩减光芯片单片制造成本的核心原因，单片成本仅为DUV工艺的十分之一。核心性能层面，PL-AS整体指标对标国际主流设备：最小加工线宽＜10nm，对准精度可按需定制至百纳米级别，压力均匀性误差低于0.5%，兼容硬质模板与曲面衬底加工。

中半协MEMS分会:

请结合企业发展历程，介绍公司核心产品如何从“备选方案”升级为“量产首选”？

璞璘科技：

纳米压印量产方案已在多条光芯片细分赛道完成头部客户量产验证：

激光雷达芯片：力策科技依托PL-AS设备完成 18mm大口径OPA 芯片规模化制备，推动固态激光雷达行业批量落地；

光通信/传感芯片（GaAs/InP 衬底）：依托复合模板纳米压印工艺，攻克光通信 / 传感芯片对结构线宽及周期误差极其敏感，GaAs、InP衬底易碎裂难题，为国内头部企业提供布拉格光栅、高精度图形压印量产服务；

硅光芯片：完成8英寸晶圆环形导光结构量产工艺验证，150nm至10μm跨尺度结构可一次性成型，残余层厚度均匀控制在10nm以内，模板侧壁粗糙度波动小于1nm，为AI算力互联光引擎扫清制造障碍。

配图：硅光波导

多个落地案例印证行业趋势：在光芯片制造领域，纳米压印不再是备选工艺，而是相较 DUV 更具成本优势的量产首选方案。

中半协MEMS分会:

能否科普纳米压印光刻机技术起源，以及该技术解决行业哪些核心技术壁垒与痛点？

璞璘科技：

纳米压印技术起源于1995年，由普林斯顿大学的华裔科学家周郁（Stephen Y. Chou）教授首次提出。其核心原理是通过将模具上的纳米图案压印到高分子材料上，实现了小于10纳米的高分辨率图形转移，为突破传统光刻的衍射极限提供了新思路。这项技术目前已被佳能验证，实现EUV/DUV光刻技术的突破。

纳米压印设备的突破，可从技术、产业、战略三个维度解读行业意义：

技术维度：证实国产纳米压印技术可真正替代 DUV光刻。并非单纯规避海外专利，也不止停留在论文、小样试制阶段，而是在8英寸晶圆完成规模化量产验证，良率、工艺一致性均达到商业化标准，打破半导体行业 “光刻只能依靠 DUV/EUV” 的固有认知。

产业维度：为光芯片制造打造低成本、自主可控的全新工艺路线。激光雷达芯片、光通信芯片、硅光芯片等光芯片品类对生产成本高度敏感，DUV 光刻设备高昂的使用成本，长期制约自动驾驶、AI 算力互联等终端应用规模化普及。PL-AS将单片制造成本压缩至DUV方案的十分之一，上游芯片生产成本得到实质性缓解，下游各类创新应用将获得更大商业化发展空间。

战略维度：建成 “设备—材料—工艺”全自主产业闭环。璞璘科技同步掌握气压、辊压、步进式三类纳米压印核心工艺，自主配套定制化双层压印胶材料体系。国内纳米压印领域不再仅有单一自研设备，而是形成覆盖材料、设备、工艺的完整自主产业链能力。

结语：

一条由中国定义的全新产业路线正在成型

过去数十年，半导体光刻赛道核心话语权长期由欧美、日本设备巨头把持，国内在DUV、EUV两条主流路线上始终处于追赶阶段。璞璘科技PL-AS 设备证明：在光芯片这一细分且关键的赛道，国内企业依靠底层原理创新、工程化落地突破，完全能够走出一条性价比更高、产业化速度更快、产业链自主可控的全新发展路径。

更多详情

公司介绍

璞璘科技（杭州）有限公司专注纳米压印设备、纳米压印材料研发、生产与销售的高端微纳制造企业。公司由多名拥有二十余年行业经验的专家联合创立，与南京大学、中国科学技术大学、北京大学、普林斯顿大学建立深度产学研合作。企业研发团队硕博人员占比超90%，其中近十位纳米压印工艺研发负责人为博士，是国内纳米压印领域技术实力领先的研发团队，累计拥有自主知识产权100余项。企业创始人葛海雄教授师从纳米压印技术发明人Stephen Chow，同时担任国家级半导体纳米压印制造项目负责人。