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新型光电子器件与电力电子器件的研究对解决算力与能源需求需求具有重要意义。当前，光电子器件带宽可达110GHz，是传统电子器件的30倍，能耗仅为其万分之一，是提升智能算力的重要途径。SiC功率器件作为新一代电力电子器件，在清洁能源、特高压及智能电网组成的电力系统中应用具有重要的战略意义。利用光注入增加全控型器件电流密度，增强电导调制效果，优化开关速度是电力电子器件面临的挑战，也是国际电力电子领域研究的热点与前沿。因此，SiC光增强MOSFET器件可作为功率转换的核心器件，对满足人工智能数据中心算力与能源需求意义重大。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。厦门大学教授张峰受邀将出席论坛，并带来《SiC光增强MOSFET功率器件研究》的主题报告，将围绕SiC光增强MOSFET功率器件的核心技术与应用前景展开深入探讨，分享团队的最新研究进展与行业洞察。
张峰教授长期致力于宽禁带半导体材料与器件的研究，是国内最早开展SiC光增强器件研究的专家之一。厦门大学作为国内综合性研究型大学，在半导体材料与器件领域拥有深厚的学术积淀。学校依托“半导体材料与器件”国家重点实验室，汇聚了一批国内外知名学者，形成了从材料生长、器件制备到系统应用的完整研究链条。近年来，厦门大学在宽禁带半导体领域的研究成果不断涌现，为我国第三代半导体产业的发展提供了重要的技术支撑。报告不仅将展示前沿技术成果，更将为产学研协同创新提供新思路，详细内容敬请关注！
嘉宾简介
张峰，厦门大学物理科学与技术学院特聘教授、博士生导师、国家青年“973”计划首席科学家。从事宽禁带半导体SiC材料与器件研究工作并取得系统性研究成果：率先研制10kV p沟道SiC IGBT器件，成功研制工业化1200V/30mΩ SiC沟槽超结MOSFET功率器件。国际上率先将1200V SiC功率器件其应用到电动汽车充电装备中。同时，围绕宽禁带半导体功率器件与光电探测器的基本科学问题，研究提高器件性能的物理机理与规律。先后获得中国科学院青年创新促进会优秀会员、第三代半导体卓越创新青年、福建省杰出青年科学基金等奖励和荣誉。现任中国电子学会高级会员、中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员；以及学术期刊《半导体学报》编委，《中国科学:物理学 力学 天文学》宽禁带半导体物理专题编委，《IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics》客座编委等职务。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：
征集范围
本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。
*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；
*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。
*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。
产品申报条件
1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；
2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；
3.申报产品须为单款产品；
4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；
5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。
申报程序
1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→
https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。
3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。
享受多重福利
1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；
2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；
3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；
4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；
5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；
6.其他。......更多福利敬请期待！
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
