从基板到系统，从TGV到量产：第三届玻璃基板封装论坛探索产业化破局之道

在先进封装技术加速迈向异构集成与三维系统级封装的行业背景下，玻璃基板凭借其卓越的尺寸稳定性、可调CTE及高频电学性能，正成为替代传统有机载板与硅中介层的理想材料，而玻璃通孔（TGV）与板级封装技术的突破则成为产业落地的核心关键。

3月19日 苏州，由艾邦半导体主办的第三届玻璃基板TGV暨板级封装产业链高峰论坛在苏州日航酒店隆重开幕。本届论坛汇聚了封装厂商、材料供应商、设备制造商及研究机构，围绕玻璃基板工艺可靠性、TGV激光诱导与刻蚀成孔、深孔金属化、板级电镀填孔、非破坏性检测及先进封装用玻璃材料开发等全链条技术展开深度探讨。

首日议程中，玻芯成、芯德半导体、蔚华电子、艾瑞森、赛姆烯金、三叠纪、乐普科、汇成真空、中电二公司、东威科技、捷启新材、博曼翔纬光电等产业链代表企业相继分享了产业化最新成果，旨在破解TGV量产瓶颈，推动上下游协同创新。在紧凑而充实的议程中，13场主题报告与行业对话，为与会者呈现了一场思想交锋与技术碰撞的行业盛宴。

下面我们一起来回顾今天的演讲内容同大家做一个简单分享。

一、演讲内容回顾

1、玻璃基板工艺可靠性研究

玻芯成半导体科技有限公司 副总经理/CTO 蒲贤勇

随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）及5G通信的飞速发展，传统封装技术正面临前所未有的挑战。在本次论坛上，玻芯成发表了题为《玻璃基板工艺可靠性研究》的主题演讲。报告深入剖析了玻璃基板作为下一代先进封装核心材料的机遇与挑战，并重点分享了玻芯成在解决其工艺可靠性难题上的最新研究成果与突破。

玻芯成副总经理/CTO 蒲贤勇在报告中指出，AI算力需求的爆发式增长正推动封装技术向更高密度、更高频、低损耗方向演进。在此背景下，通孔玻璃（TGV）技术凭借其优异的高频特性、可调的热膨胀系数（CTE）、极具竞争力的成本优势以及支持超高密度互连的能力，成为了替代硅基或有机芯板的理想选择。市场预测显示，2024年至2030年，全球玻璃基先进封装市场将迎来高速增长。

然而，新材料的引入必然伴随着严苛的可靠性考验。玻芯成坦言，目前玻璃基板量产面临三大核心可靠性挑战：一是TGV孔金属化填充缺陷，如中心空洞、缝隙等，易导致电气失效；二是孔开裂与机械完整性问题，激光加工或热应力导致的微裂纹严重威胁基板寿命；三是线路与基板界面粘附力不足，易引起金属层剥离和翘曲。

针对上述痛点，玻芯成展示了一系列行之有效的解决方案：

• 填孔优化：通过引入脉冲反向电镀技术、优化ECP（电化学沉积）药液体系（专用抑制剂/加速剂）及增强除气控制，成功实现了无缺陷的自底向上填充， SEM（扫描电镜）结果显示改善后完全消除了填孔空洞。

• 抗裂攻关：采用LIDE（激光诱导深度刻蚀）工艺辅以应力释放槽设计，显著减小热影响区；同时引入有机聚合物或薄金属应力缓冲层，有效遏制了孔边缘裂纹的产生。

• 界面强化：结合Ti/Cr粘附层技术、表面活化（氧等离子体/UV臭氧）及硅烷偶联剂处理，大幅增强了铜线路与玻璃表面的化学键合与机械互锁，彻底解决了线路剥离难题。

在报告的最后，玻芯成副总经理/CTO 蒲贤勇介绍了其完善的全流程质量控制体系及核心产品线，包括玻璃中介层（Glass Interposer）、玻璃芯板（Glass Core）及玻璃线路多层堆叠板（GCP），产品已广泛应用于射频、MEMS、先进封装及CPO（光电共封装）等领域。可靠性测试数据显示，玻芯成的样品在经过严苛的热循环（TCT）、高温存储（HTS）及温湿度保持（HTHH）测试后，电阻变化率均小于5%，且无开裂、无剥离，充分验证了其制程的成熟度与产品的卓越信赖性。

作为国内玻璃基板领域的先行者，玻芯成此次发布的研究成果，不仅为行业克服玻璃基板量产瓶颈提供了宝贵的实战经验，更为AI时代高性能芯片的封装提供了更坚实、更可靠的“基石”方案。

2、算力竞争给先进封装带来的产业机遇和技术挑战

江苏芯德半导体科技股份有限公司 副总经理 张中

在数字化转型与AI浪潮的交织下，人类竞争空间正从物理疆域向数字空间升维，算力已成为智能时代国家战略竞争的“新高地”。在本次论坛上，芯德半导体副总经理张中发表了题为《算力竞争给先进封装带来的产业机遇和技术挑战》的主题演讲，深入剖析了摩尔定律物理极限下，先进封装如何从幕后走向台前，成为突破算力瓶颈、决定未来十年技术版图的关键钥匙。

张中副总经理在报告中指出，当单一芯片的物理演进逼近摩尔定律极限，面对“功耗墙”和单芯片算力天花板，芯片空间维度的重构——即先进封装技术，已成为算力即权力时代的大国博弈“北极航道”。根据半导体业界定义，基于AI/HPC快速发展的2.5D/3D技术被归类为“超高端封装”。市场预测显示，到2029年，先进封装市场规模将达695亿美金，其中超高端封装占据276亿美金的显著份额，不仅市场广阔，更是技术皇冠上的明珠。

针对这一历史性机遇，芯德半导体全面展示了其以前瞻性战略构筑的晶粒及先进封装技术平台——JSSI-CAPiC。该平台由芯德半导体先进封装技术研究院领衔，全面研发并布局了包含FOCT-R/S/L、SETiS/RETiS、TMV/TGV-POP、eWLB在内的4大技术平台、12个技术分支，实现了从Substrate-Less到2.5D/3D interposer的全方位技术覆盖，致力于为高性能芯片提供极致的互连密度与热管理方案。

报告重点介绍了芯德半导体在AI服务器核心硬件上的技术布局。系统核心逻辑由GPU、存储、光模块、电源管理芯片四大核心协同构成，芯德凭借深厚的技术积累，在这三大关键领域实现了深度渗透：

• 算力核心（GPU/NPU）：布局2.5D/3D-FOCT R/S/L全系列技术，应对高密度、高性能计算需求。

• 高速血管（光模块）：依托BUMPING、TMV、TSV等关键技术，实现EIC/PIC高速互联，助力NPO/CPO技术演进，构建高效AI集群网络。

• 电力管家（高端PMIC）：提供BUMPING及SiP FCLGA/FCCSP等一站式方案，保障算力系统的稳定运行。

为支撑JSSI-CAPiC平台的落地，芯德半导体还展示了其完备的2.5D核心制造设备能力，涵盖Wafer Molding、Taping、Thermal/Laser Debonding、Wafer Bonding以及RIE、PECVD、CMP等关键工序，确保了全制程的自主可控与高良率生产。

3、TGV激光诱导孔、刻蚀孔与金属化之非破坏性检测

蔚华电子科技（上海）有限公司 执行长  杨燿州

随着半导体封装技术向3D堆叠及光电共封装（CPO）方向飞速演进，通孔玻璃（TGV）基板凭借其优异的电气特性与机械性能，正成为先进制程的关键基石。然而，TGV极其复杂的制造工艺——涵盖激光诱导、化学刻蚀及金属化填充——也带来了严苛的质量控制挑战。

在本次论坛上，蔚华科技（Spirox）发表了题为《TGV激光诱导孔、刻蚀孔与金属化之非破坏性检测》的主题演讲。报告亮相了行业首创的、基于独家专利SpiroxLTS®技术的非破坏性检测系统SP8000G，宣告TGV全制程量产检测正式迈入“无损、高精度、三体化”的新时代。

蔚华科技在报告中指出，传统的TGV检测往往依赖切片等破坏性手段，不仅成本高昂、耗时长，且无法实现全生命周期的制程监控，严重制约了TGV基板的量产良率提升。SP8000G系统的推出，正是为了彻底解决这一行业痛点。

报告详细展示了SP8000G在TGV制造关键节点的卓越检测能力：

1.激光诱导（Pre-Etching）阶段：实现Superior级质检。

 SP8000G是行业首款能够在刻蚀前检测激光改性区的系统。它能生成激光改性的3D Tomogram（层析图），精准评估改性区的均匀性、连续性，甚至细微的形状差异。通过动态层析动画，工艺人员可直观观察诱导区随深度的变化，从而极大地优化激光加工参数，从源头确保TGV孔的质量。

2.化学刻蚀（Post-Etching）阶段：三维尺寸与形貌精准掌控。

 系统提供无损的TGV垂直剖面影像，精准测量TCD（顶孔径）、BCD（底孔径）及关键的Wafer CD（腰部孔径）和腰部深度定位。实测数据显示，SP8000G与传统光学显微镜（OM）测量结果高度一致（差异<1μm），且能直接生成3D形貌图和计算侧壁粗糙度（Ra），为刻蚀工艺监控提供了前所未有的数据支持。

3.金属化填充（Post-Metallization & CMP）阶段：严防死守信赖性失效。

 这是TGV工艺中最具挑战的一环。SP8000G能够无损检测金属化后的关键缺陷：

• 裂纹（Crack）：观察金属化及CMP后孔周围微裂纹随深度的变化。

• 种子层高度：精准测量TGV侧壁四周不均匀的铜种子层高度。

• 填充完整性：探测金属填充表面的深度与形貌。

• CMP残留与剥离（Delamination）：行业领先的K1信号识别能力，能有效区分CMP后的化学残留与研磨颗粒，并清晰呈现铜柱与玻璃界面间微小的剥离沟槽（实测可检出5μm宽x 8μm深的剥离），严防因附着力不足导致的信赖性失效。

赋能CPO及更多先进制程应用：除了核心的TGV工艺检测，SP8000G还展示了其在光电共封装（CPO）领域的巨大潜力。

4、“大板级玻璃通孔基板规模量产溅射装备”的关键工艺研发与产业化

艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司 光电事业部总经理 林柏州

随着半导体先进封装技术向更高集成度演进，玻璃通孔（TGV）基板凭借其优异的电气与机械性能，正成为业界公认的下一代封装核心基石。然而，如何在大尺寸玻璃基板上实现高深宽比通孔的高附着力、高覆盖率金属化种子层沉积，一直是制约其规模化量产的“卡脖子”难题。

在本次论坛上，艾瑞森发表了题为《大板级玻璃通孔基板规模量产溅射装备的关键工艺研发与产业化》的主题演讲。报告不仅展示了艾瑞森在PVD真空纳米表面改性领域的深厚积淀，更详细介绍了自主研发、专为大板级TGV量产设计的立式双面溅射装备及其核心工艺解决方案。

艾瑞森在报告中指出，TGV基板的磁控溅射工艺面临两大严苛挑战：一是高深宽比通孔（AR≧10:1）内壁的均匀沉积，二是极易发生的异常电弧放电诱电损伤。传统常规PVD装备在处理大尺寸、高深宽比TGV时，往往不仅需要将种子层膜厚堆砌至5μm以上以保证导通，导致基板翘曲崩盘、孔口堵塞，且孔内台阶覆盖率极低（<1%）。

针对上述痛点，艾瑞森自主研发的大板级TGV PVD立式双面溅射装备SP8000G，采用了行业领先的立式连续式双面溅射设计。

艾瑞森TGV PVD利用优化后的等离子体离化率，仅需1200nm的Cu膜厚度，即可在10:1高深宽比通孔内壁实现优异的均匀沉积（台阶覆盖率≧4%，Best in Class），甚至在15:1的极限深宽比下也能保持≧1.8%的覆盖率。

独特的连续式濺射设计加上 CCP（电容耦合等离子体）高精度在线清洗蚀刻技术（蚀刻率>100 Å/min），确保了Ti粘附层、Cu种子层与玻璃基板间的强力结合。

除了核心装备与工艺，艾瑞森还展示了SP8000G系统卓越的产业化适应性。

5、新一代电子电路与玻璃基板TGV互连解决方案

深圳市赛姆烯金科技有限公司 总经理 陈伟元

随着全球电子信息产业的飞速发展，传统的PCB及半导体封装领域正面临生态环保与技术瓶颈的双重挑战。如何实现电子电路及先进封装基板的高效、低碳、可靠金属化互连，已成为行业关注的焦点。在本次论坛上，赛姆烯金科技发表了题为《新一代电子电路与玻璃基板TGV互连解决方案》的主题演讲。报告深入剖析了现行化学镀铜工艺的痛点，并重磅推出了自主研发的创新型绿色环保电子制造技术——石墨烯金属化技术，为电子电路及玻璃基板TGV互连提供了极具竞争力的替代方案。

赛姆烯金科技在报告中首先指出，传统的化学沉铜工艺（Electroless Copper）虽然应用广泛，但其固有的缺点日益凸显。如环保压力大、技术局限等。

针对上述问题，赛姆烯金科技依托强大的研发团队（核心成员包括中国科学技术大学教授等专家），成功研发出专有功能化石墨烯制备技术及石墨烯金属化工艺。报告详细列举了石墨烯金属化技术的几大核心优势，如显著的成本与效率优势、卓越的性能与可靠性、环境友好型工艺。

除了传统的电子电路领域，赛姆烯金科技正积极将石墨烯金属化技术拓展至半导体先进封装用玻璃基板（TGV）领域。报告展示了石墨烯金属化技术在TGV孔金属化上的创新路径：通过玻璃基板板面溅射钛（Ti）/铜（Cu）后，孔内采用石墨烯金属化替代传统工艺，完成了TGV孔金属化。

6、玻璃基先进封装的路径探索

三叠纪（广东）科技有限公司  研发总监 李文磊

随着半导体技术步入后摩尔时代，传统的 More Moore 路线面临物理极限挑战，封装技术正向着系统级协同整合（SiP、SoC）及多维度高密集成（2.1D、2.3D、2.5D、3D）方向演进。在此背景下，转接板（Interposer）和基板（Substrate）的技术革新成为提升系统价值的关键。

在本次论坛上，三叠纪发表了题为《玻璃基先进封装路径探索》的主题演讲。报告深入剖析了现有封装基材的局限性，并展示了其在通孔玻璃（TGV）领域从关键技术研发到晶圆级/面板级中试产线落地的全栈解决方案。

作为玻璃基先进封装的探索者，三叠纪展示了其在 TGV 核心工艺路线上的深厚布局，涵盖 Core Layer（TGV1.0/2.0/3.0路线）、Build-up Layer、RDL Layer 等全流程。报告重点分享了其在结构控制、通孔金属化及集成器件方面的关键技术突破：

精细化结构控制与电学特性分析主要给大家分享了粗糙度优化、锥度控制、微结构定制：

• 粗糙度优化： 深入分析侧壁粗糙度对微波性能的影响，证明寄生电感占主导地位。通过优化刻蚀液及工艺参数，成功将玻璃通孔侧壁粗糙度由1.2μm降低至25nm，显著提升了高频电学性能。相关研究成果发表于 IEEE 全球顶级期刊。

  
  

• 锥度控制： 实现了0~90%的垂直度精准控制，并提出了适用于双曲线、圆锥形和圆柱形 TGV 的寄生参数通用分析方法和等效电路模型，为 TGV 设计提供了理论支撑。

  
  

• 微结构定制： 具备针对石英、钠钙、无碱、硼硅等多种玻璃材质的结构定制能力，孔径≧30μm，深径比≦15:1（Wafer中试线指标）。

同时给大家分享了一些技术的积累，如高效金属化技术和玻璃基集成器件开发等。高效金属化技术：攻克了 TGV 金属化堡垒，研究出自主可控的电镀添加剂和多种种子层/电镀填充技术。成功实现了10:1通孔填充（构建“蝴蝶结”生长模式），以及亚10微米玻璃通孔的金属化填充。 依托 TGV 技术，成功开发出三维电感、小型化慢波 SIW、吸收式滤波天线及超小型带宽可调滤波器等高性射频微波器件，充分体现了 TGV 技术在高电容值、良好耦合性能方面的优势。

报告还分享了其自主构建的、同时具备晶圆级（Wafer）和面板级（Panel）的玻璃基专用封装中试平台。中试平台设备齐全、工艺链条完整（涵盖激光inducing、TGV刻蚀、PVD、电镀、CMP、匀胶光刻、检测等），已成功应用于3D 转接板/载板（如Panel转接板、CPO转接板、MicroLED基板）以及3D 微结构玻璃（如微流道转接件、玻璃微针、芯片级原子钟气室）等前沿领域。

7、激光诱导深度蚀刻技术并不止于TGV

乐普科（上海）光电有限公司 EQ&WQ Department Manager  李建

如何实现无缺陷、高精度、高效率且具成本效益的玻璃微加工，一直是制约玻璃基板规模化应用的瓶颈。在本次论坛上乐普科发表了题为《LIDE技术More than TGV》的主题演讲。报告深入介绍了其自主研发的激光诱导深刻蚀（LIDE）技术，展示了该技术不仅能解决高深宽比通孔（TGV）的加工难题，更能在玻璃基板上实现超越TGV的、更具柔性的微结构加工能力。

乐普科在报告中指出，先进封装及异质集成对玻璃加工工艺提出了极高要求：需具备无缺陷加工、高精度、工业可扩展、成本效益、不受玻璃厂商限制以及下游工艺兼容等特性。

然而，传统的激光加工工艺由于存在热影响，往往会导致玻璃产生微裂纹（Micro cracks）、崩边（Chipping）及热诱导应力（Thermally induced stress）等缺陷。此外，低精度、低重现率和低良率、碎屑和蒸汽、以及有限的深宽比也限制了传统工艺的应用。虽然市场上存在诸如湿法刻蚀、干法刻蚀、CO2激光、光敏玻璃、热压和机械钻孔等其他玻璃加工技术，但在解决缺陷、深宽比及HVM（高成交量制造）可扩展性方面仍存在局限。

乐普科推出的LIDE（Laser Induced Deep Etching）技术，正是为攻克上述难题而生。LIDE技术分为两步：

激光改性： 使用单激光脉冲（脉冲定位精度> 5 μm Cp > 1.33）对厚度可达1.1mm的玻璃进行结构化。

各向异性刻蚀： 将激光结构化的基板进行湿法刻蚀。激光改性区域显示出比基体材料高得多的刻蚀速率，从而沿改性路径进行各向异性刻蚀。结果形成了具有可调锥度（0.1°-30°）的小时钟（hourglass）形状通孔。

LIDE技术在 Schott BF 33、AF 32 ECO 等多种玻璃材料上均实现了良好的TGV加工效果，通孔侧壁粗糙度（Ra）可控制在<0.2μm，且由于其非热加工机制，彻底避免了热应力、裂纹和崩边。

此次演讲的核心主题在于LIDE技术的“More than TGV”特性。乐普科展示了LIDE技术不仅是一个卓越的TGV制程，更提供了在单一玻璃基板上自由组合各种微结构的强大柔性。乐普科强调，可以根据玻璃类型、刻蚀速率、目标通孔直径、脉冲间距等参数，精准调控盲孔腔底部几何结构等物理特性，满足不同应用场景的需求。

8、磁控溅射深孔镀膜在TGV领域的应用

广东汇成真空科技股份有限公司  项目经理   周济增

如何实现大尺寸、高深径比玻璃通孔的高质量金属化，一直是制约TGV技术规模化应用的关键挑战。在本次论坛上，广东汇成真空发表了题为《磁控溅射深孔镀膜在TGV领域的应用》的主题演讲。报告深入剖析了TGV互连技术的应用前景与技术瓶颈，并分享了基于高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）技术的TGV深孔镀膜解决方案，为玻璃基板及陶瓷基板的垂直电气连接提供了强有力的技术支撑。

汇成真空在报告中指出，TGV技术通过在玻璃基板上制作垂直微小通孔，并填充导电材料，实现垂直电气连接。相比硅基板，玻璃基板在Mini/Micro LED显示（如京东方、三星、沃格光电展示的产品）、AI服务器数据处理（如SKC展示的玻璃基板）等领域展现出巨大潜力。

TGV孔金属化的典型工艺流程包括制备通孔、先PVD种子层、再水电镀填满、表面抛光及布线。其中，PVD种子层的制备至关重要。虽然化学镀、ALD、CVD及导电液等技术也可用于TGV导电化，但分别存在附着力差、成本高/速率慢、沉积温度高及导电性弱等缺点。传统PVD技术（如DC-MS）虽然设备成熟、成本低，但在超高深径比深微孔的填充能力上面临“阴影效应”带来的挑战。

针对TGV深孔镀膜的台阶覆盖率难题，广东汇成真空力推其HiPIMS电源技术。该技术利用较高的脉冲峰值功率和较低的脉冲占空比，产生高溅射金属离化率和高能量离化粒子。相比DC-MS，HiPIMS具有以下显著优势：高离化率与高能量、优异的填孔沉积、高性能薄膜。

依托HiPIMS技术，广东汇成真空展示了全系列的TGV深孔镀膜设备方案，满足从实验室验证到大批量量产的需求：Inline立式连续镀膜生产线、Inline卧式连续镀膜生产线、团簇式（Cluster）镀膜设备、高深径比专项设备（独创工艺）。

9、玻璃基芯片工厂的设计探讨

中国电子系统工程第二建设有限公司  江苏分院院长 徐娟

玻璃基板的引入也对芯片工厂的设计与建造提出了新的挑战。在本次论坛上，中电二公司发表了题为《玻璃基芯片工厂的设计探讨》的主题演讲。报告深入分析了玻璃基芯片的技术特点与发展趋势，并结合自身丰富的行业经验，详细阐述了玻璃基芯片工厂在厂区规划、车间布置、厂务系统等方面的设计要点，展示了其L-EPC（精益EPC）一体化建造模式在助力先进封装产线高效落地方面的独特优势。

中电二公司在报告中指出，玻璃基芯片是将芯片裸片（die）通过先进封装工艺集成在玻璃基板上的整体封装结构。相比传统有机基板，玻璃基板具有高频信号传输性能好、热稳定性强（热膨胀系数与硅匹配）、光学透明、超薄加工潜力大以及电磁屏蔽效果好等核心优势，尤其适用于AI、HPC等高带宽、高密度集成场景。

报告详细梳理了玻璃基芯片的大致工艺流程，包括玻璃基板准备、TGV（穿透玻璃通孔）加工（孔径1.5–5μm，深径比可达200:1）、孔壁金属化与铜填充、RDL（重分布层）构建、临时键合、芯片贴装、模塑封装、解键合与载板移除、底部RDL制作与植球、划片以及测试封装等关键环节。这些复杂的工艺流程对生产环境的洁净度、温湿度控制以及各类厂务系统的稳定供应提出了严格要求。

针对玻璃基芯片的生产特性，中电二公司重点探讨了工厂设计的关键要素：厂区规划与车间布置、厂务系统设计（气体与化学品供应、暖通系统（HVAC）、废气处理、纯水与废水系统、电气与智慧厂务）。

作为国际领先的工业建筑及环境工程系统服务商，中电二公司强调了其L-EPC（精益EPC）一体化建造模式在玻璃基芯片工厂建设中的应用。该模式倡导“以终为始，精益建造”，依托公司在半导体、面板显示等高科技工程领域积累的海量运行大数据，通过反向推演和循环优化，将设计精度与实际运行参数的匹配度提升至90%-100%。通过设计与实现相结合、施工与科技相结合，为客户提供从规划咨询、工程设计、系统建设到运行维护的一体化解决方案，助力玻璃基芯片产线快速、高质量落地。

10、TGV PLP Via Filling 板级电镀填孔解决方案

昆山东威科技股份有限公司 研究院 TGV/载板/半导体技术总监 马荣刚

随着算力芯片异构集成和CoWoS等先进封装技术面临的大尺寸载板散热集中及弯翘等挑战，玻璃通孔（TGV）载板技术以其优异的热膨胀系数异质不匹配抑制能力和对大尺寸（如超算系统中的CPU+GPU架构）的支持潜力，逐渐走出实验室，成为产业关注的新方向。

在本次论坛上，东威科技发表了题为《TGV PLP Via Filling板级电镀填孔解决方案》的主题演讲。报告深入探讨了TGV技术在AI/HPC（高性能运算）背景下的起源、应用场景及材料特性，并展示了其在板级电镀填孔与PVD物理镀膜方面的最新研究成果与应用实例，助力高纵横比TGV的规模化量产。

针对TGV板级（包括6寸圆片及510mm*515mm方片）的高精度填孔需求，东威科技分享了其优化的三段式电镀填孔工艺路径：防护入缸、脉冲搭桥，直流填充。东威科技展示了多个直孔孔型的填孔实例，成功将面铜厚度控制在<8μm，且在A/B客户打样中实现了高质量的直流填充和搭桥。报告也坦言，针对纵横比达8:1的高深径比通孔，电镀工艺参数仍待进一步优化。

在RDL图形电镀（垂直/水平机型）及搭桥/填孔设备选型方面，东威科技基于高纵横比TGV的量产需求，深入剖析了水平传动机型的可行性。东威科技已成功将水平传动方式（成型区非接触式）应用于RDL图形电镀机，配合高精度整流机，满足精细布线需求。

在电镀填孔之前，PVD物理气相沉积是实现玻璃通孔导电化的关键。东威科技深入开展了磁控等离子体溅射钛铜复合靶材的孔壁种子化研究：

• 失效模式分析： 扫描电镜显示，深孔溅射孔壁覆盖失效模式类似于电镀贯孔能力的分布模式，通常在孔中部出现厚度急剧下降。

  
  

• 纵横比研究： 详细给出了不同贯孔率下的镀膜厚度数据（如面铜1.376μm，孔口0.484μm，而孔中深度方向不同位置仅0.072μm、0.048μm等），揭示了高深径比下的挑战。

  
  

• 角度验证测试： 针对不同迎角的验证测试表明，直射离子对深孔侧壁的沉积具有显著性的增加，为提升PVD台阶覆盖率提供了新的工艺路径。

11、先进封装用玻璃材料的结构、应用难点和解决方法讨论

东莞市捷启新材料科技有限公司  技术总监 贺新前

先进封装正朝着三维集成、异构集成与应用导向的多元化方向快速发展。一方面，以台积电CoWoS、三星3D TSV和英特尔Foveros为代表的三维集成技术，通过垂直堆叠与高密度互联成为AI和HPC领域性能突破的关键；另一方面，Chiplet异构集成通过模块化设计重构了产业规则，在提升良率、降低成本的同时，借助UCIe标准推动了生态开放。针对不同终端市场，扇出型封装持续驱动消费电子向轻薄化和低成本演进，而汽车电子则催生了能经受严苛环境考验的高可靠性耐候性封装方案。此外，玻璃基板、碳化硅及自修复材料等基础材料的革新，正在从物理层面突破传统极限，为未来封装效能的进一步提升奠定基础。

在本次论坛上，捷启新材发表了题为《先进封装用玻璃材料的结构、应用难点和解决方法讨论》的主题演讲。报告深入探讨了先进封装用玻璃材料的结构、先进封装用玻璃材料的应用难点及产生原因和应用难题解决：从玻璃配方和生产端等方面，还提出了玻璃材料如何实现国产化。

针对先进封装用玻璃材料的应用难点及产生原因，捷启新材分析了TGV打孔-镀铜、一致性问题表现、大尺寸翘曲问题和介电常数与介电损耗性能需求等方面。

例如，TGV打孔-镀铜过程中的玻璃裂纹问题主要表现为表面裂纹、边缘崩边及侧壁微裂纹，严重影响金属化结合力与互连可靠性。其核心原因有三点：一是玻璃澄清过程中因温度不均形成上-中-下三层结构，导致激光刻蚀时各层响应不一致，应力集中于界面；二是激光能量密度、脉冲宽度及蚀刻液浓度控制不当，加剧了改性区与未改性区的刻蚀速率差异，使孔壁粗糙度增加（>60nm）并诱发裂纹扩展；三是玻璃本身作为脆性材料，抗弯强度和断裂韧性较低，在工艺应力作用下易使微裂纹扩展。

东莞市捷启新材料科技有限公司专注于芯片封装用玻璃材料的研发与生产，核心优势在于丰富的产业化经验与全流程闭环能力。公司已成功建设首座3.3及第二座5.0硼硅玻璃全电窑炉，率先实现熔化工艺突破，推动Pyrex玻璃的国产替代进程。业务范围涵盖代熔产品、进口替代及定制开发，可为客户提供从公斤级小试到吨级量产的全链条服务。公司在高熔点颜色玻璃定制、硼硅玻璃CTE精准调节（3.0-9.0区间可调）等前沿领域处于行业领先地位，能够快速响应市场需求，将研发成果转化为满足客户定制化要求的量产产品，助力先进封装材料国产化进程。

12、XRF技术在玻璃基板超薄金属层测量中的应用

博曼膜厚仪器(上海)有限公司 中国区经理 何日华

博曼是一家拥有四十余年XRF技术积累的高精度分析仪器制造商，由原CMI International核心技术团队创立，总部位于美国芝加哥，在欧洲和亚洲设有研发与制造中心。在中国已布局应用研究、备件库存，2026年建成CNAS认证实验室和组装工厂。在本次论坛上，博曼发表了题为《XRF技术在玻璃基板超薄金属层测量中的应用》的主题演讲。

博曼XRF技术凭借其多毛细管光学设计与大尺寸SDD探测器，能够有效应对玻璃基板上多层、超薄、异质叠层（如Ti/Cu/Glass、Au/Pd/Ni/Ti/Cu/Glass等）的复杂镀层结构。该系统可同时分析多达五层镀层和30种元素，实现轻元素（如Al、Si）与重元素（如Au、W）的同步检测，精准测量各层厚度及成分，满足ENIG、ENEPIG等先进封装工艺的严苛需求。

其μ-Spot多毛细管光学系统可将X射线聚焦至最小7.5μm光斑，实现单微米级特征尺寸测量，如TGV侧壁金属层厚度及微凸点底部镀层均匀性评估，并通过Halo-free技术消除玻璃透明基板带来的散射干扰。此外，通过优化X射线靶材、结合大尺寸SDD探测器与激光自动对焦，博曼技术显著提升了对超薄金属层（纳米级）的检测灵敏度，确保低RSD%和高重复性。

面向面板级量产趋势，博曼XRF系统集成了全自动对焦、模式识别及光谱匹配等智能化功能，可快速定位预设测量点，优化测量参数以提升吞吐量。同时，其数据流交互接口支持与产线自动化系统对接，实现在线膜厚监控，为玻璃基板在先进封装中的大规模应用提供高效、可靠的测量保障。

总之，博曼XRF技术凭借微区光斑、多层分析能力、高灵敏度与自动化，精准解决了玻璃基板超薄金属层测量中面临的小尺寸、复杂叠层、高精度与高效率挑战。其技术架构与玻璃基板在先进封装中的发展趋势（精细线路、TGV、面板级量产）高度协同，为半导体封装中的材料质量控制和工艺开发提供了关键表征手段。

13、TGV 成孔检测技术与设备应用

翔纬光电股份有限公司 总经理 兼任苏州耀宏光电科技有限公司技术顾问 郑昆贤

在本次论坛上，翔纬光电发表了题为《TGV 成孔检测技术与设备应用》的专题报告。报告围绕玻璃通孔（TGV）制程中的关键环节——激光改质后的质量检测展开，介绍了公司在提升蚀刻均匀性与孔洞品质方面的技术进展。

报告中指出，激光改质是TGV制程的前端关键步骤，其能量强度与均匀性直接影响后续蚀刻孔洞的品质。针对这一环节，公司展示了一款适用于激光诱导后的量检设备，可对改质后的光点进行多项检测，包括漏打、多打、坐标偏移、改质均匀度等，并具备脏污自动过滤功能。通过对改质点的全面检查，能够及时发现异常位置并进行修补，确保改质质量满足后续蚀刻要求。

在数据分析方面，报告展示了连续取样40颗孔洞的检测结果，改质后光点强度与蚀刻后孔径大小之间存在明显的正相关性，验证了改质检测在TGV制程中的实用价值。

此外，报告还介绍了公司在玻璃成孔后的检测设备，该设备无需翻面即可同时测量孔位上、中、下三段孔径，支持最大玻璃尺寸510mm×515mm，检测时间控制在15分钟以内，并具备DXF比对建模、自定义阈值设定、NG地图显示等功能。软件操作界面集成了参数调整、实时结果显示、缺陷截图与统计输出等模块，便于操作人员快速判断生产状况。

整体而言，此次报告展示了公司在TGV制程前、后段检测领域的技术积累与设备整合能力，为玻璃通孔制程的质量控制提供了可行的检测方案。

二、现场部分精彩留影

三、展台风采

预告

明日TGV会议议程预告

时间

2026.03.20

地点

苏州 · 日航酒店

艾邦建有玻璃基板与TGV技术交流群，可以加强产业链的合作，促成各企业的需求对接，同时您也可以与行业精英共同探讨玻璃基板及TGV技术的前沿动态，共享资源，交流经验，欢迎您的加入。