事关存储!北京科创传来大消息

一、突破发布：奠定新一代磁存储核心基础

3月16日，中关村论坛“北京基础研究和技术攻关成效”发布活动现场，清华大学材料学院宋成教授团队带来重磅消息：在新型磁存储领域取得关键突破，为研发兼具超高密度、超快读写与低功耗的新一代磁存储器筑牢核心科学根基。

二、时代需求：数据爆发催生存储变革

近年来，全球数据呈爆发式增长态势，传统存储能力逐渐力不从心，内存、硬盘频繁出现紧缺、涨价的情况。在此背景下，具备超高密度、超高速度和超低功耗特性的存储技术，成为新一代信息技术发展的核心需求，新型磁存储技术的重要性愈发凸显。

三、研究聚焦：非共识项目获多方支持

宋成教授团队的研究围绕交错磁体与手性反铁磁材料展开。该项目入选北京市首批非共识颠覆性创新项目，还获得国家自然科学基金项目的资助，为研究的深入推进提供了有力保障。

四、技术攻坚：突破磁存储两难困境

长期以来，磁存储技术面临两难困境：铁磁材料电学读写便捷，但杂散场制约了存储密度；反铁磁材料无杂散场且具备太赫兹动力学优势，电学读写难度却极大。而手性反铁磁材料因非共线自旋排布，被视为突破这一瓶颈的理想材料体系。

团队历经多年攻关，成果丰硕。2022年，首次实验验证交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际学界评为验证该材料体系的“原创性实验”，相关成果助力交错磁体材料入选《科学》2024年度十大科学突破。2025年，首次明确晶体对称性是交错磁体的核心特征，并率先在国际上实现全电学读写。2026年，相关技术进一步打通从基础研究到应用的关键环节，推动新型磁存储向产业化迈进。

五、创新策略：破解电学翻转效率难题

据悉，团队通过同质结设计策略，在零磁场条件下实现了手性反铁磁序的确定性完全翻转，翻转效率大幅跃升，同时成功破解了手性反铁磁电学翻转的“效率密码”，为新型磁存储技术的发展提供了关键技术支撑。

六、未来展望：多领域应用前景广阔

目前，团队正加紧推进两类材料在自旋电子学原型器件的应用开发。未来，该技术有望广泛应用于新一代存储、传感器、太赫兹通信及人工智能领域，为信息技术的发展注入新的强大动力。

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