2026年3月18-19日，为期两天的2026年第二届第四代半导体技术研讨会在杭州圆满落下帷幕。本次研讨会由浙江大学杭州国际科创中心、浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心及半导体在线联合主办，杭州镓仁半导体有限公司承办，汇聚了500+行业专家、科研学者、企业代表，围绕氧化镓、金刚石、氮化铝三大核心超宽禁带半导体材料，深入探讨技术突破、产业化路径与合作机遇，为推动第四代半导体技术从实验室走向产业化注入强劲动力。
本次研讨会特邀浙江大学杨德仁院士、浙江大学杭州国际科创中心王高合副主任为大会开幕致辞。会上，来自国内外54位知名专家和学者向大家分享了他们的最新研究成果，主要聚焦于氧化镓、金刚石、氮化铝等第四代半导体晶体生长与加工、薄膜及外延、功率及光电器件、相关装备以及产业发展等重要主题。根据议程安排，研讨会主要分为两天进行。大会首天，研讨会开幕式隆重举行，浙江大学张辉教授主持了开幕仪式。在开幕式上，浙江大学杨德仁院士、浙江大学杭州国际科创中心王高合副主任发表致辞。冯志红，中国电子科技集团公司第十三研究所 首席科学家罗小蓉，电子科技大学 教授/成都信息工程大学 副校长(谭佳蕾代讲）
万青，甬江实验室功能材料与器件异构集成研究中心主任梁剑波，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进键合技术研发中心主任 /苏州晶和半导体科技有限公司 技术总监《备战产业化：超宽禁带半导体AlN材料及其器件规模化应用展望》分会场报告主要划分了氧化镓分论坛、金刚石分论坛、氮化铝分论坛三个部分，国内外的专家学者就氧化镓、金刚石和氮化铝的晶体生长、薄膜技术、器件性能等关键议题进行交流。《面向高温（250℃）、高压（10000 V）、高功率（MW）氧化镓功率器件及模块研究》张宇昊，香港大学先进半导体与集成电路研究中心副主任、教授（巩贺贺代讲）《基于SAM结构的高增益氧化镓雪崩光电探测器的研制》孙华锐，哈尔滨工业大学（深圳）前沿学部理学院教授、副院长游天桂，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员/副主任（赵天成代讲）《高性能大面阵氧化镓异质结日盲紫外探测器芯片研究》《金属氧化物半导体在宽禁带半导体产业发展中的研究及建议》麻尧斌，中国电子信息产业发展研究院 集成电路所 高级工程师|研究室主任齐红基，杭州富加镓业科技有限公司 董事长（陈端阳代讲）《超宽禁带半导体氧化镓功率器件的电场调控方案研究》郁鑫鑫，中国电科碳基电子重点实验室/南京电子器件研究所/南京大学 高级工程师《从原子键合到宏观热管理：AlN/金刚石异质界面的多尺度模拟与性能调控》《面向功率电子器件的电子级单晶金刚石研究挑战与进展》《功率器件用多晶/单晶金刚石材料的制备及性能调控研究》王跃忠，中国科学院宁波材料技术与工程研究所 研究员《大口径光学级金刚石PV1/10λ 高精度高效率加工技术研究》程红娟，中国电子科技集团公司第四十六研究所宽禁带副主任、研究员《氮化铝极性/非极性晶面的生长习性差异与加工特性关联研究》《面向GFJG领域的氮化铝半导体材料的研究应用展望》
解楠，中国电子信息产业发展研究院 集成电路研究所 高级工程师|研究室主任（陈佳琪代讲）《AlGaN基紫外LED掺杂/极化协同调控及micro-LED研究》母志强，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员本次研讨会还设置了现场展览环节，40家展商通过海报、实物展示等形式，全面呈现了第四代半导体材料、器件、装备领域的前沿成果，为参会者提供了全方位的技术交流与资源对接渠道。
第二届第四代半导体技术研讨会的圆满举办，不仅集中展示了第四代半导体领域的最新技术成果与产业进展，更搭建了产学研用协同创新的重要桥梁，有效促进了行业资源整合与技术交流。当前，第四代半导体正处于技术攻坚与量产蓄力的关键阶段，未来将持续举办此类高水平研讨会，汇聚行业智慧、凝聚发展合力，推动我国第四代半导体技术实现更大突破，助力我国在全球半导体产业竞争中占据主动地位。
参会专家与企业代表纷纷表示，本次研讨会内容务实、针对性强，既洞察了行业前沿趋势，又搭建了合作对接平台，收获颇丰。未来将以本次研讨会为契机，加强技术研发与协同合作，攻克核心技术瓶颈，加速推进第四代半导体技术的产业化落地，共同推动半导体产业向更高质量、更高效率、更具竞争力的方向发展，为我国科技自立自强贡献力量。
2027年3月18-19日，2027年第三届第四代半导体技术研讨会邀您再次相聚杭州，解锁第四代半导体时代新机遇！
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