华中科技大学，用于二维电子器件的宽带隙KBe2BO3F2介电材料！Nature Communication

晶体管缩放需要具有高介电常数和宽带隙的栅极介电材料，以改善栅极控制并抑制漏电流。然而，这两个属性通常呈现出反比关系，因此同时优化这两个特性极具挑战性。近日，华中科技大学翟天佑报道了克服这种权衡的KBe₂BO₃F₂（KBBF）介电纳米片的剥离。

本文要点

1) 该材料具有超过8 eV的宽带隙和63的体介电常数，其介电特性在0.62 nm的等效氧化物厚度下产生10^-6 A cm^-2的低漏电流和15 V的高栅极电压、 预计在6.6 V下可稳定工作10年。基于KBBF门控的2D MoS₂晶体管显示出60 mV dec-^-1亚阈值摆动，并且在室温下达到理论极限，且开/关比高达10⁹。

2) 此外，KBBF的良好静电可控性使其能够制造短沟道器件和逆变器电路。该研究拓宽了电介质的范围，为低功耗二维电子和集成电路的发展提供了重要机遇。

参考文献

Yongshan Xu et.al High-κ KBe2BO3F2 dielectric material with wide bandgap for two-dimensional electronics Nature Communication 2026

DOI: 10.1038/s41467-026-70711-w

https://doi.org/10.1038/s41467-026-70711-w

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