用于智能手机、个人电脑、数据中心服务器的DRAM价格进一步上扬。

2月指标性产品的大宗交易价格较1月大涨15%。

主要原因是三星电子等DRAM大厂优先供应人工智能需求，导致用于个人电脑等消费领域的通用型产品供应大幅减少。

DRAM采购价由存储原厂与客户每月或每季度商定一次。

2月通用型产品指标的DDR4 8Gb采购价为每颗15美元左右，较1月大涨15%，更是达到一年前的8.8倍，DDR5价格环比上涨11%。

价格大涨的主要原因是各大厂商缩减或停止生产DDR4，导致供应短缺。

目前三大存储原厂陆续停止或缩减DDR4生产，将产能转向DDR5以及人工智能用HBM4。

在调整产能后，由中国台湾的南亚科、华邦电等厂商负责供应DDR4，但无法填补三大原厂减产带来的缺口。

对于近期DRAM价格走势，没有任何一家企业会预期价格会下跌。

供应短缺的情况想要缓解，要等到2027年三大原厂新建工厂投产之后。

在人工智能需求持续爆发的背景下，市场资源明显向高带宽内存（HBM）倾斜，导致通用服务器DRAM供应趋紧，价格进入加速上涨通道。

这一现象反映出当前存储市场并非单纯由技术先进性主导，而是由供需失衡所驱动的利润重构。

在2026年第二季度，服务器DRAM市场出现显著异动。以三星电子与SK海力士为代表的头部厂商，推动服务器DRAM合约价格环比大幅上涨。

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韩国存储芯片巨头SK海力士正式启动赴美融资计划。

SK海力士拟通过发行美国存托凭证（ADR）募集10-15万亿韩元（约100亿美元），所获资金将专项用于扩充AI芯片产能，其中包含规模达600万亿韩元的龙仁半导体园区建设项目。

此次发行规模约占SK海力士总股本2.4%。

调整原定先回购股份再发行ADR方案，改为直接增发新股在美上市。

面对晶圆厂建设动辄数十亿美元的投入，借助国际资本市场融资已成为头部企业的必然选择。

目前SK海力士在全球HBM存储器市场占据57%份额，稳居行业龙头。

AI应用爆发带来的HBM需求将持续井喷，考虑到新建晶圆厂从动工到投产至少需要3-5年周期，预计到2030年前，高性能存储芯片都将维持供不应求的态势。

深圳佰维存储科技股份有限公司发布公告称，公司与某存储原厂签订日常经营性采购合同，采购某款存储晶圆，合同总承诺采购金额为15亿美元（约103亿元人民币），承诺采购期总计24个月。

根据合同相关约定，公司每12个月内对该产品的采购量，占2025年公司NAND Flash采购总量的11.1%和2025年公司NAND Flash销售总量的18.01%，占比均较小。

公司签订合同提前锁定未来24个月的部分基础用量，与公司业务规模及业务规划匹配，风险整体可控。

佰维存储表示，公司可能因合同产品市场价格下跌及/或市场需求下滑而承受较大损失。

由于本合同交易币种为美元，若汇率发生大幅波动，有可能对公司产生不利影响。

三星电子劳资双方24日宣布恢复协商谈判，持续升级的劳资冲突暂时降温。

工会方面说明称："24日下午2时与公司进行了讨论，公司就OPI制度绩效奖金透明化及废除上限等事宜表达了协商意向。谈判将归谈判，斗争归斗争，联合斗争本部将在两条战线上竭尽全力。"

OPI是三星电子具有代表性的绩效奖金制度。当业绩超额完成目标时，公司将在超额利润的20%范围内发放最高相当于年薪50%的奖金。

此前工会一直将废除OPI作为核心诉求，但公司未予接受。

工会此前要求彻底废除该制度未果，遂于近期通过罢工授权投票，赞成率93.1%，计划5月23日集会后启动总罢工。

业内担忧，一旦工会罢工落地，三星电子存储业务将遭受冲击。

存储行业需要24小时设备运转、持续运维，若工程师长期缺位，极易出现生产线停摆的情况。