三星、SK海力士，加大对华投资

发布时间：2026-03-26来源：芯极速

据韩媒《首尔经济》援引韩国金融监督院数据显示，三星电子2025年向其西安NAND闪存生产基地投资4,654亿韩元（约合3.1亿美元），较2024年的2,778亿韩元同比增长67.5%。

西安厂是三星在海外唯一的NAND生产基地，承担全球约40%的NAND产能。2019年三星曾对该工厂投资6,984亿韩元，2020至2023年期间投资力度相对放缓，自2024年起重新加大投资布局。

同期，SK海力士也对其无锡DRAM厂与大连NAND制造子公司的投资总额突破1万亿韩元。

其中，无锡DRAM厂投资5,810亿韩元，同比增长102%；大连NAND厂投资4,406亿韩元，同比增长52%。这也是SK 海力士2022年收购英特尔大连NAND厂后，首次开展如此大规模的投资。

业内人士分析认为，即便面临美国对华出口管制限制，韩国存储芯片厂商依旧选择加码中国工厂投资，核心原因在于全球存储芯片订单持续增长。2026年DRAM与NAND产能几乎全部被提前预订，尤其是人工智能技术的快速发展，大幅拉动了高性能存储芯片的市场需求。

值得注意的是，韩国厂商通常会在海外工厂采用比本土落后两代的制程工艺。例如，三星计划2026年在韩国量产400层V10 NAND，而中国厂则将升级至V8制程；SK 海力士则将无锡厂DRAM制程从10纳米级第三代（1z）升级至第四代（1a），进而实现第五代DDR5等高附加值产品的量产。

据消息人士透露，无锡厂贡献了SK 海力士全球30%以上的DRAM产能，已成为其高附加值产品的核心生产基地；而大连厂则借助此次扩产投资，进一步优化财务结构，提升生产运营效率。

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