SEMICON China 2026逛展手记 ：第三代半导体观察之“浪潮”与“暗涌”

3月25日至27日，SEMICON China 2026在上海新国际博览中心如期举办。本届展会以“跨界全球·心芯相联”为主题，展览面积逾10万平方米，汇聚了1500家全球展商、设置5000余展位，吸引逾18万人次专业观众到场参与，全面覆盖半导体设计、制造、封测、设备、材料等全产业链生态。展馆内比肩接踵的人流、技术交流、新品展示，折射着半导体产业的活力，以及当下产业发展的方向趋势。半导体产业网小编也脚步“丈量”了下此次展会，分享逛展体会。

技术迭代是推动半导体产业发展的引擎，人工智能技术发展的引擎效力在不断加速，直接推动产业向万亿美元市场规模里程碑的历史性加速。有行业预测显示，人工智能的发展大幅加速了半导体产业增长，众多分析师认为，一万亿美元市场规模的里程碑有望在今年提前达成。

AI算力革命引发的产业浪潮，SEMI中国总裁冯莉在展会致辞中指出，2026年半导体产业将呈现三大核心趋势，而这三大趋势均与AI发展深度绑定。第一个趋势是AI算力。2026年全球AI基础设施支出将带来达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动的众多需求最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。第二个趋势是存储革命的全面来袭。存储作为AI基础设施的核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体产业第一增长极。其中，HBM（高带宽内存）表现最为突出，预计AI对存储需求占比将突破40%。全球HBM产能缺口预估达50%~60%，供需矛盾将向全产业链蔓延。第三个趋势是技术驱动产业升级。先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。

AI开启的全新时代，正对半导体全产业链形成深度赋能，不仅拉动材料、设备、制造、封测等各环节的技术升级，更构建起“AI需求牵引技术迭代，技术突破支撑AI落地”的相互催化、共同演进的循环。从展会现场的企业动态来看，这种双向赋能已成为不可逆转的大势，无论是AI芯片的国产化突破，还是设备厂商针对AI算力需求的新品研发，都印证着AI与半导体产业的融合已进入新阶段。

本次展会上，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体赛道依旧是焦点，一大批国内厂商集体亮相，覆盖衬底、外延片到器件制造的全链条，展示的最新技术进展与落地成果可圈可点。

“大尺寸化”与“产业化落地”成为主线。12英寸衬底可显著提升芯片产出效率、降低下游器件制造成本，不仅是支撑电动汽车、新能源、AI数据中心等领域对碳化硅芯片巨大需求的核心，更成为AR眼镜、先进封装等光学·热学领域的重要材料基础。随着全球碳化硅晶圆从小尺寸向大尺寸量产推进，12英寸产品的竞争已成为企业抢占市场的关键。

展会现场，国内多家代表性企业展出了12英寸碳化硅衬底产品。天岳先进重点展示了8英寸与12英寸碳化硅衬底的最新产业化成果，其中12英寸产品已实现向多家核心客户批量交付，标志着其在大尺寸碳化硅衬底产业化领域取得里程碑式突破，成为行业内少数具备12英寸产品稳定量产能力的企业。

天科合达则重点亮相了6英寸、8英寸、12英寸导电型碳化硅衬底，以及6英寸、8英寸碳化硅外延片等重点产品，可应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏发电等领域。值得关注的是，其已累计交付超150万片碳化硅衬底，合作客户超500家，衬底产品已被头部新能源车企量产搭载，上车数量超五百万辆。

电科材料携碳化硅晶体衬底及外延、硅外延、硅基氮化镓外延等核心产品矩阵展出，公司产品覆盖4-12英寸全规格体系，技术水平达到国际领先，可广泛应用于集成电路芯片、半导体分立器件制造，满足新能源汽车、智能电网、AR眼镜等多领域应用需求。电科材料的全球首片12英寸碳化硅光学衬底和全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底，是AR眼镜光学镜片及其他光学制品的优质制备材料。

南砂晶圆在展会中重点展示了多款核心产品，涵盖6/8英寸导电型及半绝缘型碳化硅衬底与晶棒，以及12英寸4H-SiC单晶碳化硅衬底与晶棒。12英寸产品在低缺陷密度与高均匀性方面表现突出，并可覆盖多档电阻率，适配AR光学、AI算力与热管理等新兴应用。

同光股份展出4-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底、AR眼镜的光学级碳化硅晶圆、12寸导电型衬底和12寸高纯半绝缘衬底等产品，覆盖多元应用场景，全方位满足不同领域对碳化硅衬底的差异化需求。

晶盛机电旗下浙江晶瑞携8、12英寸导电型及光学级碳化硅晶片参展。其中，8、12英寸导电型碳化硅晶片具备高热导率、高击穿电场、高电子饱和速度等优势，适配电动汽车、光伏逆变器、工业电源等领域；8、12英寸光学级碳化硅晶片凭借高折射率、低色散、高热导率等特性，在提升显示效果的同时实现轻量化并解决热量堆积问题，为AR眼镜的光学性能与热管理提供革命性解决方案，技术比肩国际。以及阿尔法半导体、晶越半导体、天成半导体、天域半导体等企业也纷纷展出相关12英寸衬底产品。

此外，作为全球首个实现多技术路线、多晶面8英寸氧化镓单晶制备的领先厂商，镓仁半导体重点展示了国际首发的8英寸氧化镓同质外延片，以及8英寸、6英寸、4英寸、2英寸氧化镓衬底等核心产品，全方位呈现公司在氧化镓上游产业链的技术突破与创新成果。

截止发稿时，富加镓业传来好消息，重磅宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

在地缘政治博弈与全球供应链重构的大背景下，“自主可控”成为国产半导体产业的另一股强劲浪潮。本次展会中，国产半导体设备产业链企业的集体亮相与技术落地成为亮点之一，国内厂商全力奋进、硬核突围，展现出自主创新的坚定决心，也标志着国产设备的国产化替代进程持续提速。

北方华创本次展会重磅发布多款新品，包括全新一代12英寸NMC612H电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备、12英寸Qomola HPD30混合键合设备、12英寸W2W混合键合设备Gluoner R50，以及搭载自研AI-NEXUS系统的TSV电镀设备Ausip T830。其中，NMC612H将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级，Qomola HPD30则让北方华创成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商。同时，公司官宣已战略整合芯源微，补全高端湿法产品布局，实现湿法全流程工艺覆盖度超97%，进一步夯实在湿法工艺设备领域的领先地位。

中微公司宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova、高选择性刻蚀机Primo Domingo、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx。其中，Primo Domingo的推出填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白，Primo Angnova则为5纳米及以下逻辑芯片和先进存储芯片制造提供了自主可控的解决方案，进一步丰富了公司的产品组合与系统化解决方案能力。

中国电科全面展示了半导体高端装备、半导体基础材料等领域的领先成果，重磅发布新款离子注入机、新型检测设备、12英寸卧式炉等产品，以更先进的系统解决方案助力集成电路产业创新发展。

大族半导体携多家子公司重磅亮相，集中展示了全系列高端精密加工装备解决方案，包括SDBG激光隐形切割机、激光开槽机、全自动接近式光刻机、碳化硅/金刚石激光切片设备，以及清洗、涂胶、显影、刻蚀等多款兼具技术突破性与量产实用性的标杆产品，全方位覆盖精密加工全环节。

西湖仪器发布12英寸0°半绝缘型碳化硅衬底自动化激光剥离系统、面向AR光波导镜片量产的超快激光异型切割设备两款新品，同时现场还重点展示了8英寸碳化硅衬底自动化激光剥离系统、金刚石激光加工设备等产品。

特思迪展出全自动减薄机、双面抛光机等设备，集中展示企业在精密加工领域的技术实力与产品优势。华林嘉业展示了自主研发槽式湿法制程设备、单片湿法制程设备、全自动晶圆倒角机和辅助设备（CDS、CRS、在线加热器等）四大类核心产品，产品覆盖了半导体工艺中全部的湿法工序。邑文科技围绕干法刻蚀、薄膜沉积等核心产品线，集中展示面向先进制程、化合物半导体、MEMS与特色工艺的高端装备解决方案。

盛美上海则宣布对产品线组合进行重组及品牌焕新，推出全新产品组合架构“盛美芯盘”，将产品划分为八大独立系列，以太阳系八大行星命名，分别对应半导体制造流程中的一项核心工艺环节，其展出的新产品均已完成研发并实现量产。此外，拓荆科技、华海清科、芯碁微装、屹唐股份、新松半导体等诸多设备企业也纷纷展出新品。

在全球AI产业高速发展、算力需求激增的背景下，芯片制造全面升级与国产替代加速形成共振，催生着国产半导体设备的强势发展机遇。据SEMI预测，2026年全球半导体制造设备总销量规模将达1450亿美元，2027年进一步增长至1560亿美元，其中国产设备的市场规模将持续跃升，国产化率有望稳步提升，成为全球半导体设备市场的重要增长极。

尽管国产第三代半导体产业迎来了前所未有的发展浪潮，但展会现场多位业内人士的直言，也揭示出浪潮之下潜藏的诸多暗涌，行业正经历优胜劣汰的阵痛期，“内卷”与“差距”成为无法回避的现实。

当前，国产第三代半导体产业的“内卷”已渗透至产业链的各个环节，其中碳化硅衬底领域的价格竞争尤为激烈。对于企业而言，这场“内卷”不仅考验技术创新能力，更考验成本控制、客户服务与生态构建等综合实力。

除了行业内卷，国产第三代半导体产业与国际领先水平仍存在一定差距，这也是潜藏的重要暗涌。目前国内头部碳化硅衬底厂商的技术实力已接近海外厂商，但全球碳化硅功率器件市场仍由海外厂商占据主导地位，国内厂商在技术细节、规模化生产效率等方面仍有提升空间。在设备领域，尽管国产设备实现了诸多突破，但在光刻、高端量测等“卡脖子”领域，仍依赖进口，核心零部件的自主化率有待进一步提高。此外，产业发展还面临着良率提升、应用拓展等多重挑战。在碳化硅应用领域，尽管新能源汽车已成为最大下游市场，但在工业控制、数据中心等领域的渗透率仍有待提升，价格下行虽为应用拓展创造了条件，但国内器件厂商仍需加速技术突破，才能抓住市场机遇。

AI驱动的算力革命、存储革命与技术升级，构成了产业发展的核心浪潮，推动着全产业链向更高能级迈进。国产企业在大尺寸碳化硅、半导体设备等领域的突破，彰显了自主可控的强劲势头，成为产业浪潮中亮眼的风景。与此同时，行业内卷加剧、与国际领先水平的差距、核心技术尚未完全突破等暗涌，也提醒着国产半导体产业，崛起之路并非一帆风顺。

这场“浪潮”与“暗涌”的交织，既是产业发展的必然阶段，也是推动行业高质量发展的重要动力，相信随着技术的持续迭代、产业的不断整合，国产第三代半导体产业将逐步突破瓶颈，在全球半导体产业格局中占据更重要的地位。

来源：半导体产业网 

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