国产芯片大厂兆易创新披露2025年年报，公司2025年实现营收约92.03亿元，同比增长25.12%。

实现归母净利润约16.48亿元，同比增长49.47%。

实现扣非净利润约14.69亿元，同比增长42.57%。

分季度来看，兆易创新2025年第四季度实现营收23.72亿元，同比增长39%，环比下降11.54%。

实现归母净利润5.65亿元，同比增长108.85%，环比增长11.23%。

32家机构对兆易创新2025年营收和归母净利润的一致预测值分别为约94.65亿元和16.32亿元。

兆易创新期内业绩增长主要得益于存储行业供需结构的优化。

由于海外头部大厂加速向HBM、DDR5等新制程节点迁移，逐步淡出利基型市场并削减2D NAND产能，相关领域出现了明显的供给缺口。

公司顺畅承接了这部分需求，使得SLC NAND Flash和利基型DRAM在2025年下半年实现了较为显著的量价齐升，毛利率季度环比改善明显。

兆易创新年报还显示，2025年度的前五名供应商采购额中，关联方采购额为11.82亿元，占年度采购总额的16.38%。

11.82亿元的关联采购主要指向兆易创新从国产DRAM晶圆制造商长鑫科技采购DRAM晶圆，用于其利基型DRAM产品的设计与销售。

近期内存价格走势出现回落，引发资本市场剧烈波动。

汇丰银行最新研报给出了不同意见，认为当前调整属于市场过度反应，由人工智能驱动的存储超级周期仍处于中场阶段，未来1-2年供需偏紧格局难改。

市场监测数据显示，美国主要零售商DDR5内存价格出现松动迹象，部分产品单套降幅突破百美元。

加上谷歌最新发布的"TurboQuant"压缩技术可将大语言模型运行所需的KV缓存，可减少六成以上内存占用。

多种因素直接触发了存储板块抛售潮，短短一周内，美国内存芯片企业市值蒸发近万亿美元。

面对市场悲观情绪，汇丰在研报中逐一分析了当前五大市场担忧：中东冲突带来的成本压力、2026年后增速放缓预期、内存压缩技术冲击、厂商扩产浪潮以及中国企业的竞争压力。

认为这些因素均不足以改变行业上行趋势，特别指出谷歌相关技术短期内难以实现商业化应用，其测试环境与当前AI应用规模存在显著差异，反而将技术进步视为利好。

研报强调，内存效率提升将有效降低AI运算成本，加速应用场景落地，最终带动整体需求增长。

数据显示，2026年AI服务器出货量预计同比增长28%，单台服务器DRAM容量在2026-2027年间仍将保持17%的年均增速。

eSSD需求爆发，预计到2027年将占据NAND闪存需求的40%，其中超6成需求来自AI服务器。

受美国对华芯片禁令影响，苹果与长江存储的合作一度中断，迫使iPhone转向依赖韩系存储巨头。

但当前全球DRAM价格持续攀升，单颗LPDDR5X内存芯片成本已逼近70美元，导致iPhone毛利率承压，仅靠内部消化成本恐难维系长期发展。

苹果正筹划与长江存储重启NAND闪存芯片合作，特别限定将采购的存储芯片仅用于满足中国市场iPhone生产需求。

此举既可缓解供应链成本压力，又能规避美方政策限制，被视为平衡商业利益与合规风险的关键策略。

业内指出，通过特定市场的产品适配方案，既保障了技术安全，又维护了供应链多元稳定性。

在SEMICON China 2026展会上，长电科技展出HBM3e封装方案，采用先进的2.5D堆叠技术，互联密度提升20%，带宽提升到了960GB/s。

HBM3e可以完美适配3nm及以下工艺的高端AI芯片，而且目前已经获得AMD、NVIDIA等巨头的订单。

国产HBM3e封装亮相：带宽960GB/s、适配3nm以下AI芯片

需要注意的是，长电科技是国内知名的芯片封装企业，并不生产HBM3e芯片。

长电科技CEO郑力提及，传统晶圆制造已逼近1nm物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。

依托ALD原子层沉积、混合键合等四大核心技术，长电科技实现封装精度跨量级提升：对准精度从±5μm推进至<10nm，互联密度突破6万触点/mm²，界面间隙达到原子级无间隙，完成三个数量级的技术跨越。

在CFMS 2026展会上，三星全面展示了其面向下一代AI基础设施、端侧AI、以及移动端的全方位创新存储解决方案。

面对物理AI时代激增的数据需求，三星围绕“高性能、高密度、散热管控与安全性”四大支柱，构建了面向未来的下一代AI服务器存储技术路线图。

这次三星重点展示了其面向PC和移动端的全系列AI存储方案，其中包括了BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD，定位个人AI计算。

其搭载了QLC NAND闪存颗粒，同时还采用了基于开源RISC-V架构的主控芯片，最大顺序读取速度为11.4GB/s，提供了512GB、1TB和2TB三种容量可选，适用于台式机和笔记本电脑。

BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD没有继续使用Arm架构，而是改用了RISC-V架构。

三星表示，新款主控芯片针对QLC NAND闪存管理和特定AI专用I/O模式进行了优化，能够实现更为精细的操作，能效比相比之前BM9C1提高了23%。

另外三星还确认，今年将正式推出采用纵向与横向扩展架构的PCIe 6.0 SSD主控PM1763。

其在严格的25W功耗限制下实现了接口性能的最大化，相较于上一代产品，I/O性能实现了高达2倍的跨越式提升，同时能效提升了1.6倍。

面对数据密集型AI工作负载的急剧增长，三星将基于32DP NAND超密集封装技术，在E3.L形态下，实现256TB乃至512TB的超大单盘容量，从而成倍提升单机架的总容量与带宽。

另外还会有专为液冷优化外形，将E1.S 8TB SSD厚度由15mm缩减至9.5mm，大幅降低了接触热阻。