第三代半导体6项标准，公布新进展！

发布时间：2026-04-01来源：第三代半导体产业

2026年3月31日，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布6项标准最新进展。由上海交大/南工大牵头《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》，由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064—202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》、T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-湿度-温度循环试验方法》，由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》和由山东大学牵头起草的《半导体晶片激光刻字深度的测定白光干涉法》6项标准均已完成委员会草案的编制，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2026年4月14日。

由上海交通大学、南京工业大学联合牵头起草的标准T/CASAS 061—202X《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）模块局部放电试验方法，包括：试验装置、试验程序以及局部放电判据。本文件适用于对SiC MOSFET模块封装绝缘可靠性的评估。

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》描述了新能源主驱逆变器采用的两电平SiC MOSFET功率模块、光伏储能风电变流器采用的三电平SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于Si IGBT模块的有功对拖输出测试、SiC MOSFET模块的有功对拖输出测试、Si IGBT、SiC MOSFET混合模块的有功对拖输出测试以及ANPC、INPC、TNPC等拓扑电流的有功对拖输出测试。

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 064—202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-湿度-温度循环试验方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）交流-湿度-温度循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》规定了碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995?%）以上的碳化硅单晶生长及外延用各向同性多孔石墨材料，以及用该材料制作的多孔石墨构件等。

由山东大学牵头起草的《半导体晶片激光刻字深度的测定白光干涉法》描述了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。

根据CASAS相关管理办法，上述6项标准正式面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2026年4月14日，请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。