全球首只 纯内存芯片ETF上市

一、引言：AI热潮下内存芯片成焦点

随着AI热潮席卷全球，市场对人工智能基础设施的关注点从GPU转向存储，内存芯片市场备受瞩目。在此背景下，全球首只直接押注内存芯片赛道的ETF应运而生。

二、新ETF登场：聚焦内存芯片

上周四（4月2日），Roundhill Memory ETF（代码“DRAM”）在美股正式上市，定位为市场上首款“纯内存ETF”。周一该ETF收报29.16美元，涨1.40美元或5.04%。

三、投资组合：重仓三大巨头

DRAM ETF是主动管理型，费率0.65%，投资于内存和存储产品制造商，目前仅持有九只股票，只有超50%收入来自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被纳入。其重仓全球三大DRAM巨头，美光科技、三星电子、SK海力士合计权重超七成，还纳入闪迪等内存大厂。与传统半导体ETF相比，它更专注存储芯片相关企业，满足美国投资人投资海外上市内存股的需求。

四、象征意义：从工业到金融逻辑的转变

市场人士指出，DRAM ETF诞生具有重要象征意义，它标志着资本市场首次将“内存芯片”从半导体领域剥离，创造了可交易、推广和定价的独立主题，完成了从工业逻辑到金融逻辑的飞跃。

五、争议：过热“反向指标”？

然而，有观点认为新细分行业催生专门ETF，表明行业热度进入后期。BTIG首席市场技术分析师乔纳森·克林斯基称，DRAM ETF推出或预示存储周期达顶峰。他列举过去热门主题ETF如MEME、VanEck Vectors煤炭ETF、比特币期货ETF等，推出后大多表现不佳。此外，DRAM ETF重仓的美光科技股价“高得惊人”，该ETF可能面临管理市值大幅回落风险。

集成电路行业交流群

免责声明：本文内容来源于网络，除原创作品，本平台所使用的文章、图片等相关内容，属原权利人所有。集成电路前沿转载仅作为行业信息及新闻分享，不代表集成电路前沿支持或赞同本文观点，若有任何异议或侵权，敬请联系集成电路前沿，我们会及时处理，谢谢！