重大突破！国防科大研究团队，后摩尔芯片技术重大进展！

针对上述问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi₂N₄（氮化钨硅）薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面，单层WSi₂N₄不仅空穴迁移率高、开态电流密度大，强度高、散热好，化学性质也很稳定，综合性能在同类二维材料中表现突出。

该研究结果表明，单层WSi₂N₄在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景，有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。

来源：科技日报

化学气相沉积法生长单层WSi₂N₄半导体薄膜

单层WSi₂N₄场效应晶体管的电学性能

当晶体管尺寸逼近物理与成本极限，单纯依赖制程微缩的摩尔定律放缓，芯片产业正式进入后摩尔时代。行业不再追求单一晶体管变小，而是转向多元创新：以Chiplet 芯粒与3D 堆叠等先进封装技术，实现多芯片异构集成，突破面积与性能瓶颈；以GAAFET等新型晶体管结构延续制程潜力；以RISC-V、存算一体、专用 NPU/TPU等架构创新提升能效比。同时探索二维材料、碳纳米管、光子计算等前沿方向。后摩尔时代是产业从 “尺寸竞赛” 转向 “系统创新” 的转折点，通过材料、架构、封装的协同突破，持续拓展算力边界。