特展｜报名通道开启，一场展览带你穿越中国新质半导体来时路

1956年，党中央发出“向科学进军”的号召，半导体技术被列为国家四大紧急措施之一。同年，北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学、南京大学五校开办半导体物理专业，为这个尚在襁褓中的学科，埋下第一批种子。

1974年，黄昆、邓稼先、黄宛、周光召、杨振宁（由左至右）游览北京颐和园时的合影。

来源 | 中国科学院半导体研究所

黄昆、王守武、林兰英……这些从海外归来的科学家，在一穷二白的条件下，亲手绘制图纸、搭建设备、编写教材。他们不知道这条路最终通向哪里，但他们知道，必须走下去。

王守武（左一）与研究人员在超净线工作

来源 | 中国科学院

1961年，中国第一颗砷化镓单晶在天津“601试验所”悄然拉制成功——那是化合物半导体在中国土地上第一次发出自己的光。同年，兰州大学的孙同年教授自制国内第一台高压单晶炉，制备出第一批GaAs、InP单晶。

1963年底，中科院半导体所成功试制出首批硅平面型器件样管。

中科院半导体研究室早期研制的硅平面晶体管（芝麻管，左一）右一为普通电子管

来源 | 中国科学家博物馆

这个阶段，中国半导体完成了从“0”到“1”的跨越，是日后一切发展的起点。

展区效果图

当科学的春风吹遍神州大地，中国半导体人迎来新的使命：让技术转化为国家崛起的动力。

从实验室到市场，这中间隔着一条河。上世纪九十年代，当国际巨头已将半导体做成批量出货的商品时，中国的科研成果大多还停留在实验室的论文里。

孙祥祯教授就是那个“过河”的人。他带着南京大学团队攻克高纯金属有机源（MO源）技术，创办南大光电。2002年，产品纯度达到6.5N，超过国际通用的6N标准。德国Osram、韩国LG的采购合同，第一次从中国发出。

我国首家化合物半导体外延产品生产企业成立

来源 | 新华社

同一年，中科院物理所20余年的技术积累，终于在北京圣科佳电子落地。国内首家化合物半导体外延材料生产企业成立，砷化镓外延片开始批量供应市场。

2015年。成都海威华芯建成国内首条6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路生产线，这是当时全球最先进的生产线之一，标志着中国具备了大规模商用砷化镓芯片的生产能力。

在霍尔传感器这条赛道上，苏州矩阵光电走出另一条路。作为国内唯一的化合物半导体霍尔传感器IDM公司，其GC18系列芯片入选工信部“中国芯”优秀产品，性能达到全球顶尖水平，产品远销日韩欧美。

这个阶段，中国企业开始站上全球半导体竞争的舞台中央，从“跟跑”迈向“并跑”。

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当国际供应链的风浪袭来，中国半导体产业选择了一条更艰难的路——迎上去，成为破浪者。

从2英寸到6英寸，从6英寸到8英寸——这条尺寸跃迁的路，国际领先企业走了约二十年。中国企业仅用了不到十年便完成了追赶。

2025年，被业界公认为“12英寸碳化硅（SiC）元年”。天岳先进、瀚天天成先后实现12英寸碳化硅衬底和外延的技术突破，山东力冠、晶盛机电等设备企业也相继攻克大尺寸长晶与加工难题，为化合物半导体材料实现新跨越提供中国路径。

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新形势下，新的命题随之而来——如何在全球创新网络中，找到自己的位置。
在成都，电子科技大学周强教授团队与天府绛溪实验室合作，发布全球首颗氮化镓量子光源芯片，使输出波长范围从25.6纳米扩展到100纳米，在国际上首次实现氮化镓材料在量子光源领域的应用。

在西安，西安电子科技大学团队在超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）射频器件研究中取得重要突破，创下最高振荡频率90GHz等国际新纪录，攻克了材料散热与电子限域难题，确立了我国在该领域的国际领先水平。

如何让科技创新与产业创新真正融合？

九峰山实验室国家级化合物半导体中试平台

在湖北武汉，九峰山实验室给出了答案。这座新型研发机构在产出一系列硬核科研成果的同时，运行两年即吸引全球570余家产业链伙伴深度协同，其化合物半导体中试平台入选工信部首批国家级制造业中试平台。

2025年5月13日，中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥考察九峰山实验室

与前沿探索并行的，是IDM模式的全面崛起。以三安光电、华润微、士兰微为代表的IDM企业，正在为中国化合物半导体产业注入源源不断的活力。

这个阶段，中国化合物半导体从“追赶者”走向“同行者”。在新兴应用和前沿材料领域，中国正在与全球巨头同台竞技，甚至领跑某些细分赛道。

• 注意：本次展览所涉内容仍在筹备中，最终以展览现场实际展出为准。

  
  

• 1956年1月25日，全国最高国务会议，毛泽东同志强调，要在几十年内，努力改变我国在经济上和科学文化上的落后状况，迅速达到世界上的先进水平。来源：新华社
  

• 1978年3月18日，全国科学大会在北京隆重开幕。会上，邓小平作重要讲话。图源：新华社

• 1974年，黄昆（半导体所原所长）、邓稼先、黄宛、周光召、杨振宁（由左至右）游览北京颐和园时的合影。 来源 | 中国科学院半导体研究所

• 1986年4月29日，周光召先生（右二）视察中科院半导体所。右三为王守觉院士、右四为林兰英院士。图源：中科院半导体所。
  

• 林兰英（右）进行砷化镓研究。图源：中国科学院院士文库。

• 王守觉在调试设备。图源：中国科学家博物馆。

• 1979年，王守武（左一）与研究人员在超净线工作。图源：中国科学院

• 半导体研究室早期研制的硅平面晶体管（芝麻管，左一），右一为普通电子管。图源：中国科学家博物馆

• 1976年，878厂技术人员手工绘制、雕刻集成电路原图。878厂集体创作（李英杰 摄）

• 经过多次缩版拍照，878厂技术人员最后制成光刻机上所用的玻璃底版。878厂集体创作（李英杰 摄）

  
  

注意：本次展览所涉展品及内容仍在筹备中，最终以展览现场实际展出为准。

本次特展现场，由中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合策划拍摄的首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》将首次正式发布。

该片由《芯路征程》纪录片团队及行业首席导演重磅打造，历时数月实地采访拍摄，独家收录多位院士、专家、企业家的珍贵访谈影像，全景呈现中国化合物半导体跃迁发展之路。

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·本片特邀三十余位顶级专家担任顾问，以上为部分专家寄语，先睹为快。完整内容及更多精彩，敬请移步特展现场。

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特邀预展：4月23日下午

公众开放时间：4月24日-25日 9:00-17:00

展览地点：武汉光谷科技会展中心

2026九峰山论坛

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