群联电子首席执行官潘健成近日对当前NAND Flash市况发表看法，表示现货市场表现不佳，主要原因是消费市场需求疲软，加上贸易商降价抛售库存的影响。

手机芯片大厂高通正与中国本土DRAM大厂携手合作，打算为智能型手机开发定制DRAM，以此应对全球存储短缺。

高通早在2月财报电话会议里表示，虽然与其SoC搭配的DRAM大多由客户直接采购，但他们是最早通过所有存储供应商认证的。

AI热潮促使内存大厂全力扩张HBM产能，导致智能手机、PC与服务器采用的通用内存供应吃紧。

引发部分买家抢购，进而推动DRAM在内的存储器价格大涨。

与高端机型相比，DRAM价格暴增对入门与中端机型的冲击更大，特别是定价方面。

以入门级手机为例，DRAM已达到整体物料清单（BOM）成本的35%，NAND闪存也增加19%，相加超过手机成本的54%。

联发科与高通开始大幅削减4纳米手机芯片产量，此产能缩减相当于2万~3万片晶圆，相当于1500万~2000万颗手机芯片。

高通与中国本土DRAM大厂合作研发定制DRAM以挽救订单，这些芯片仅会用于中国大陆市场的智能手机。

存储巨头SK海力士宣布，自本月起，正式向PC大厂戴尔供应高端PC储存解决方案，专为高效处理AI运算而设计。

SK海力士表示，最新款PQC21已上市供货，采用最新321层QLC NAND闪存技术。

PQC21采用M.2 2230形态，主控为SK海力士自研的低功耗方案，无独立缓存，得益于QLC的高密度，只有单面单颗闪存芯片，容量达1TB、2TB。

支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4、动态SLC缓存，顺序读写最高5.2GB/s、4.2GB/s，随机读写最高850K IOPS、700K IOPS，缓外写入速度约800-1000MB/s。

首批产品将供应给戴尔，未来将逐步扩大出货至其他主要合作伙伴，此举不仅有助于在下一代AI PC市场取得领先地位，也可进一步提升客户端QLC SSD储存方案的市场占有率。

市场调查机构Omdia最新报告，称主要得益于渠道库存前置的暂时性支撑，2026年第一季度全球智能手机市场表现优于预期，出货量同比增长1%

报告指出2026年第一季度调查结果尚未完全反映供应链成本上升的冲击，目前移动DRAM和NAND价格在第一季度环比上涨约90%，预计第二季度将进一步上涨30%，显著推高了物料清单成本。

市场竞争格局方面，三星得益于其旗舰机型需求韧性，Galaxy S26系列全球预售量相比Galaxy S25系列增长超10%，因此在第一季度重夺市场榜首，市场占有率22%。

苹果得益于稳定的定价策略和iPhone 17系列的稳健需求，同样交出了强劲的季度成绩单，市场占有率20%。

小米公司市场占有率为11%，OPPO市场占有率为10%，vivo手机市场占有率为7%。

报告指出大多数安卓厂商在销量与利润上面临双重挑战，正通过精简产品组合、选择性发布及更审慎的定价策略来应对。

成本压力正迫使厂商调整定价策略，厂商在成本压力加剧下不得不提价，但影响并不均匀。

展望未来，市场下行风险加剧。分析师认为，最坏的情况尚未到来。

短期内，价格上涨正引发需求冲击，消费者推迟购买。