传：高通 + 长鑫存储，合作手机DRAM

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根据 Wccftech 报道，高通正与中国内存厂长鑫存储合作，开发针对移动设备的定制化内存解决方案，以缓解当前内存供应紧张与成本攀升问题。

目前全球内存产能正快速向人工智能（AI）应用倾斜，大量 DRAM 产线转向生产高带宽内存（HBM），导致原本供应智能手机的内存资源遭到排挤，不仅供应趋紧，也推升整体成本压力，对中低端机型影响尤为明显。

DRAM主流现货价格

在成本结构方面，内存已成为影响手机价格的关键因素。以入门机型为例，DRAM 成本占整体物料成本（BOM）约 35%，NAND 则约占 19%，两者合计达 54%，使品牌厂在定价与出货策略上面临更大压力。

另一方面，高通先前在财报会议中指出，其系统单芯片（SoC）所搭配的 DRAM 多由客户自行采购，但公司已完成与主要内存供应商的相容性验证。此次进一步与长鑫存储合作开发定制化内存，显示其正试图在供应不确定性升高的环境下，提前布局关键零组件资源。

此外，联发科与高通近期亦传出下调 4 纳米芯片产量。由于该制程产品主要应用于中低端智能手机，减产规模约为 2 万至 3 万片晶圆。

报道指出，高通与长鑫存储推动此项合作，被视为稳定订单与供应节奏的重要策略，同时也反映芯片业者正逐步强化对关键元件的掌控。不过，相关内存产品初期预料仍将以中国品牌智能手机为主要导入对象。

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