HBM 4，遭重创

据报道，SK海力士计划将今年向英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM）的出货量比原计划减少约20%至30%。 这被认为是由于英伟达下一代人工智能加速器“Vera Rubin”的量产面临困难所致。

然而，SK海力士HBM4产能的萎缩预计将被上一代HBM3E和服务器DRAM所取代。业内人士指出，由于不同产品的利润率各不相同，这对今年的业绩影响还有待观察。

据 ZDNet Korea 14 日报道，SK 海力士计划将今年分配给英伟达的部分 HBM4 出货量转用于 HBM3E 和服务器 DRAM 。

HBM4是最新一款有望于今年正式商业化的HBM技术。它将首先集成到英伟达（Nvidia）计划于今年下半年推出的AI半导体“Vera Rubin”中。因此，包括三星电子、SK海力士和美光在内的主要存储器公司都在全力以赴地向英伟达供应HBM4。

然而，业内人士预计，今年 Rubin 系列的出货量将比原计划有所下降。

这是基于对构成 Rubin 平台的各个组件 尚未完全优化的分析。值得注意的是，NVIDIA 要求 HBM4 的数据处理性能达到 11Gbps 级别，远高于行业标准。

市场研究公司 TrendForce 在最近发布的一份报告中指出：“除了 HBM4 验证所需的时间外，还存在一些挑战，包括向网络互连的过渡、功耗增加以及更先进的液冷解决方案的优化。”报告还补充道：“因此，预计 Rubin 系列在 NVIDIA 高性能 GPU 出货量中的份额将从目前的 29% 下降到 22% 。 ”

另一方面，NVIDIA目前量产最广泛的旗舰产品“Blackwell”系列的出货量份额预计将从目前的61%大幅增长至71%。Blackwell配备了HBM3E显存。

因此，人们观察到国内存储器行业也在调整其HBM业务战略。其中，SK海力士的业务波动最为显著。这是因为，作为HBM市场的主导企业，SK海力士在NVIDIA的HBM4和HBM3E的出货量中占据最大份额。

一位负责人解释说：“由于今年Rubin系列内存的出货量下降，SK海力士的HBM4出货计划势必需要调整。但是，由于这部分出货量正转向HBM3E或其他服务器级LPDDR（低功耗DRAM），因此内存总需求并未减少。”

SK海力士最初计划今年向英伟达交付约60亿GB的HBM4显存。目前讨论的交付量比这一数字低20%至30%。由于部分减少的产能将用于Blackwell系列显存，HBM3E的出货量预计也将超过最初预测的80亿GB。

另一位官员表示，“SK海力士内部正在讨论将部分HBM4产能转向HBM3E和服务器LPDDR的计划”，并补充说，“事实上，HBM4量产所需的材料和组件订单增长速度比最初预期的要慢。”

越来越多的预测表明，由于第六代高带宽内存（HBM4）的技术问题，英伟达下一代人工智能加速器“Rubin”的发布将会推迟。半导体行业预计，Rubin的延迟发布将对在HBM市场展开竞争的三星电子和SK海力士产生重大影响。

市场研究公司TrendForce于8日表示，原定于今年发布的Rubin显卡的出货时间可能会推迟。这是因为HBM4显存的验证耗时较长，且网络芯片的修改、能效管理等诸多技术难题依然存在。因此，TrendForce将Rubin显卡在NVIDIA今年高端GPU市场中的份额从29%下调至22%，同时将目前广泛使用的AI加速器Blackwell的份额从61%上调至71%。

此前，美国投资银行KeyBanc也指出，英伟达似乎已将今年Rubin显卡的产量目标从200万颗下调至150万颗。这主要是由于三星电子于去年2月率先在业内开始量产和出货HBM4显存，而SK海力士和美光的HBM4验证工作则有所延迟。

分析显示，矛盾的是，这种情况反而可能有利于SK海力士的盈利能力。由于Rubin搭载的是HBM4，而Blackwell使用的是上一代第五代HBM3E，Rubin的交付延迟可能会导致HBM3E的销售周期延长，销量增加。

在三月份，有报道指出，NVIDIA 已降低其“Rubin”GPU 所用 HBM4 显存的性能要求，原因是 SK 海力士和三星似乎难以达到 NVIDIA 设定的雄心勃勃的性能目标。根据 SemiAnalysis 的一份最新报告，NVIDIA 正在降低其下一代 GPU 的规格要求。NVIDIA 最初为 Rubin 芯片设定的总带宽目标为 22 TB/s，但显存供应商似乎难以满足这些要求。预计首批出货的显存带宽将接近 20 TB/s，这意味着 HBM4 的单引脚带宽约为 10 Gbps。这表明 NVIDIA 为“Vera Rubin”制定的激进升级计划遭遇挫折，最终性能将略有不同。

值得注意的是，NVIDIA 最初为“Vera Rubin”VR200 NVL72 系统设定的目标是在 2025 年 3 月达到 13 TB/s 的带宽，后来又将其提升至 9 月份的 20.5 TB/s。在 CES 2026 上，NVIDIA 确认其 VR200 NVL72 系统的带宽已达到 22 TB/s。相比之下，AMD 的 Instinct MI455X 加速器带宽为 19.6 TB/s，NVIDIA 最初的系统带宽较低。他们通过使用速度更快的 DRAM 并改进 CPU、GPU 和整个系统之间的互连来解决这个问题。然而，由于 SK 海力士和三星等内存制造商难以满足 NVIDIA 的性能要求，我们预计整个“Vera Rubin”系统的 HBM4 速度将达到约 20 TB/s。

此外，据报道，美光已退出HBM4内存的供应，目前仅剩三星和SK海力士两家公司提供这一关键组件。据密切关注供应链的机构SemiAnalysis泄露的机构报告显示，SK海力士将占据VR200 NVL72系统约70%的HBM4供应量，三星则供应剩余的30%。对于像美光这样的大型内存制造商而言，据称该公司并未承诺供应HBM4内存。该公司将为“Vera”CPU提供LPDDR5X内存，以弥补HBM4市场份额的损失。“Vera”CPU最高可配备1.5TB的LPDDR5X内存。

据证实，三星电子已将高带宽内存（HBM）核心芯片——逻辑芯片的价格上调了高达50%。分析师指出，随着人工智能（AI）半导体需求激增，晶圆代工成本趋于正常化，长期处于亏损状态的非存储器（晶圆代工和系统级芯片）业务已进入复苏阶段。尤其值得一提的是，由于此次逻辑芯片价格上涨恰逢先进工艺需求激增，市场对该公司今年下半年扭亏为盈的预期日益增强。

据业内人士13日透露，采用三星电子4纳米（1纳米=十亿分之一米）工艺生产的HBM4（第六代）逻辑芯片价格较今年前期水平上涨了近40%至50%。逻辑芯片是HBM4的核心芯片，相当于其“大脑”。

据解读，随着三星电子HBM4芯片出货量的增加，市场对逻辑芯片的需求也随之增长，三星因此获得了价格谈判优势。一位业内人士表示：“据我了解，此前价格较低的单价最近已经恢复正常。”自去年以来，三星晶圆代工通过与多家大型科技公司签订订单，不断扩大客户群。

去年，三星与特斯拉签署了一份价值约23万亿韩元的合同，为其生产最新的人工智能（AI）芯片，并计划从今年年底开始，在其位于德克萨斯州泰勒市的工厂采用先进的2nm工艺生产这些芯片。由于业内人士正在讨论目前集中在台积电的部分订单可能会转移到三星，预计今年新的晶圆代工订单将会增加。

一位业内人士表示：“去年获得的客户合同量将从今年开始陆续反映出来。”他还补充道：“4nm等主要生产线已满负荷运转，盈利能力正在逐步提高。”

继晶圆代工业务之后，系统LSI部门也出现了复苏迹象。预计今年的收益将主要取决于旗舰机型Galaxy S26和26+搭载的Exynos 2600处理器的表现。

Exynos 2600是一款由系统LSI设计、采用2nm工艺制造的移动应用处理器（AP）。尽管去年由于Exynos 2500未能成功集成到Galaxy S25中，系统LSI等相关业务部门的业绩受到冲击，但分析师预测，随着自研芯片的广泛应用，今年的收益将能够得到保障。

此外，由于系统LSI目前正在开发的下一代AP“Exynos 2700（代号Ulysses）”的能效预计将比竞争对手显著提升，因此人们对其性能的预期也在不断提高。

然而，由于智能手机市场放缓和成本上升，移动应用处理器（AP）的需求本身有所萎缩，因此，获得外部客户被认为是复苏的关键因素。 在代工价格上涨、订单增加以及系统级芯片（System LSI）设计成功等因素的推动下，盈利结构似乎正在迅速改善。

据证券行业消息，三星电子非存储器部门的营业亏损从去年第一季度的2.606万亿韩元收窄至第三季度的约9200亿韩元；此后，一度扩大的亏损已恢复下降趋势。预计今年第一季度亏损将收窄至约1.142万亿韩元，第二季度将进一步降至8000亿韩元左右。

（来源：编译自zdnet）

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