新世代半導体の開発や製造で共同体、産総研が設立

发布时间：2026-04-02来源：EETimes Japan

産総研の半導体施設設備を活用し、技術や試験用素材の製作を支援

産業技術総合研究所（産総研）エレクトロニクス・製造領域ハイブリッド機能集積研究部門は2026年4月1日、新世代半導体の開発や製造にかかわる技術交流や連携を行うためのコンソーシアムを設立したことを発表した。設立は2026年2月1日付で、現在会員を募集しているという。

産総研が設立したコンソーシアムの名称は「新世代半導体集積システム技術コンソーシアム（ASiST）」だ。半導体デバイスの設計や前工程から後工程、パッケージングを始め、光電融合、パワーエレクトロニクス、MEMSなどに関する先端の技術や設備を活用し、中立的な立場で半導体分野における技術の交流や連携強化、参入支援といった場を提供する。

例えば、会員同士の情報交換や技術紹介などはコンソーシアム全体で取り組む。これとは別に特定技術に関する動向の共有や議論は、「設計指向」「中工程指向」「パッケージング指向」といった形でワーキンググループ（WG）を設けて活動する。

産総研は設計や前工程、パッケージングなど、さまざまな開発拠点を整備している。会員がこれらを有効活用して成果が得られるよう、ASiSTが相談窓口となって会員に対する技術支援や試験用素材（TEG）の製作支援などを行う。

なお、ASiSTは広島で開催される「ICEP-HBS 2026」（2026年4月14〜18日）でコンソーシアムの紹介展示を行う。2026年6月3日には第1回総会を予定している。

半導体CNT用いた高感度赤外線センサーを開発

京都工芸繊維大学と中央大学は、産業技術総合研究所（産総研）の協力を得て、半導体カーボンナノチューブ（CNT）を用い、冷却しなくても動作する「高感度赤外線センサー」を開発した。従来の材料を用いた場合に比べ検出感度は約11倍も高いという。

ペロブスカイト太陽電池の性能を向上、新材料を製品化

東京化成工業は、産業技術総合研究所（産総研）とAIST Solutionsが開発したペロブスカイト太陽電池向け材料「OA-TFSI」を製品化し、一般販売を始めた。ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送材料の原料溶液に添加すれば、太陽電池の性能を向上できる。

産総研とホンダ、ダイヤモンド半導体の研究開発拠点

産業技術総合研究所（産総研）およびAIST Solutionsは、本田技研工業の研究開発子会社である本田技術研究所と連携し、モビリティ用ダイヤモンドパワー半導体やこれを応用した電子デバイスの開発拠点を産総研内に設立した。

大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハー開発

産業技術総合研究所（産総研）とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。

ナノサイズの磁気メモリスタでシナプス機能を模倣、産総研とNIMS

産業技術総合研究所（産総研）と物質・材料研究機構（NIMS）は、鉄−マンガン基合金の磁性超薄膜を用いて磁気メモリスタを開発するとともに、これらを使って脳におけるシナプスの機能を模倣することに成功した。脳の機能をハードウェアで模擬する「ブレインモルフィックシステム」への応用に期待する。

GAA構造トランジスタの試作が国内で可能に、産総研が試験ライン構築

産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。

新世代半導体の開発や製造で共同体、産総研が設立

産総研の半導体施設設備を活用し、技術や試験用素材の製作を支援

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