存储模组龙头佰维存储发布2026年第一季度业绩。

2026年第一季度实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%。

归属于上市公司股东的净利润为28.99亿元，而上年同期为亏损1.97亿元，实现扭亏为盈。

仅今年一季度，净利润已远超2025年全年8.67亿元的水平，单季利润达到去年全年的3.3倍。

2026年一季度，佰维存储研发费用合计1.56亿元，同比增长26.78%。

佰维存储存货账面价值达120.69亿元，较2025年末的78.68亿元大幅增长53.4%，单季净增约42亿元。

成本方面，佰维存储通过LTA长约保障供应。

今年3月25日，佰维存储签订了一项金额高达15亿美元晶圆采购合同，以提前锁定未来两年的部分存储晶圆用量。

每12个月内对存储晶圆的采购量，占2025年该公司NAND Flash采购总量的11.1%和2025年公司NAND Flash销售总量的18.01%。

PC品牌厂商在今年第一季度采取了“无感涨价”策略，由于当时涨幅有限，普通消费者对价格变动感受不明显。

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近期传出中国NAND大厂产能扩张的消息，引发市场对供需失衡的担忧。

有分析师提出关键看法，认为无需过度恐慌。

首先，扩产到量产存在时间差，半导体产业从建厂、设备进驻、制程调校到良率提升，通常需要2到3年的时间才能实际进入量产。因此，短期内不会出现供给过剩。

其次，AI应用带动的存储需求是百倍成长增加，即便两年后产能开出，单一原厂的供给增加速度依旧也赶不上需求爆发速度。

第三，产能将优先满足内需。中国本土市场在手机、PC、监控及AI等领域对NAND Flash储存的需求庞大，长期处于供不应求的状态。

新增产能将会优先用于填补内需缺口，因此对全球整体市场的供需影响相对有限。

最后，全球存储大厂在资本支出上保持谨慎，并未出现全面性过度扩产的情况，整体产业的供需结构维持在健康状态。

因此，市场分析师认为中国NAND本土原厂存储的扩产计划，反映的是对未来市场需求的信心，而非短期供需失衡的信号。

三星电子正在加速推进第七代高带宽内存HBM4E的研发，预计下月完成首个达到目标性能的工程样品。

届时晶圆代工部门将在五月中旬前生产出HBM4E逻辑芯片样品，交付给存储部门进行封装，最终制成完整样品供内部验证，随后将向英伟达等客户送测。

三星电子今年三月已在英伟达GTC 2026大会上展示过HBM4E实物，但当时展品仅为展示用途，并未达到客户所需的性能标准。

此次即将完成的样品则有望满足实际验证要求。

在HBM4E上，逻辑芯片采用4纳米代工工艺，DRAM采用10纳米级第六代1c工艺。

相比竞争对手首次在HBM4E上引入代工先进制程和1c DRAM，三星电子的方案在技术成熟度上更具优势。

此前三星电子在HBM4产品上率先实现量产出货，逻辑芯片与DRAM均选用领先工艺，以性能优势争取市场主动。

如今加速推进HBM4E，意在巩固下一代高带宽内存市场的领先地位。

SK海力士也在全力开发HBM4E，考虑在逻辑芯片上应用台积电3纳米工艺。

三星正全力避免重蹈此前在HBM4市场失利的覆辙，积极抢占英伟达下一代AI芯片Vera Rubin配套的供应。

三星电子劳资矛盾持续激化，工会明确表示将于5月21日-6月7日发起长达18天的大规模罢工。

核心诉求是将公司年度营业利润的15%作为员工奖金，总额约300亿美元。

此次劳资冲突的直接导火索，是三星2026年一季度业绩。

三星电子预计一季度销售额达133万亿韩元，营业利润高达57.2万亿韩元，同比暴涨约700%，环比增长超180%，盈利规模远超市场预期，存储芯片业务成为主要利润来源。

员工认为，薪酬福利未同步提升，分配机制存在不公。

三星劳资矛盾早已积累多年，2025年员工曾打破50年纪录举行罢工，但仅持续3天，问题并未得到根本解决。

此次工会将行动升级至18天，此前罢工投票已获超九成员工支持。

工会除要求15%利润分红外，还希望提高基本工资、优化奖金核算规则。

一旦三星停产，存储价格有望继续上涨，友商也能借机抢占更多市场订单。