国产NAND龙头，NAND与DRAM同步推进

发布时间：2026-04-16来源：芯极速

据供应链消息，国产NAND龙头预计到2026年跻身全球第三大NAND厂商。其武汉第三座晶圆厂（三期项目）将于今年下半年正式量产，此外还规划新建两座工厂，目前相关地块已进入土地平整阶段。

据悉，武汉三期项目投产后，约一半产能将用于DRAM研发，另一半则继续用于NAND生产。这里也将成为该公司首个DRAM生产基地，相关设备正陆续安装中。

目前已投产的武汉一厂、二厂设计产能各为10万片，但实际产量尚未完全达到预期。不过近期市场供应紧张，两座工厂产能已接近满载。至于规划新建的两座工厂，业内推测最快也要到2028年才能实现量产。

技术层面，该公司正加速推进技术升级。据透露，到2023年底，其270层NAND产品将占总产出的55%，QLC NAND占比也将突破10%。

该公司的扩产计划备受关注，业界普遍认为，从量产节奏与市场需求来看，其扩产对存储行业整体影响有限，主要基于以下几点：

首先，半导体工厂从建设到量产通常需要2-3年时间，不会立即导致供给过剩；

其次，AI应用推动NAND需求爆发式增长，单一厂商扩产速度难以匹配市场增量；

第三，国内市场对NAND需求长期旺盛，新增产能将优先满足内需；

第四，当前NAND需求增长主要来自AI推理、数据中心等结构性场景，而非传统消费电子领域；

最后，全球主流NAND厂商在资本支出上仍保持谨慎，未出现过度扩产现象。

近期，群联CEO潘健成也表示，除非AI发展停滞，否则NAND缺货问题短期内难以缓解。他预测，供需失衡可能成为常态，而群联计划在2026年筹资约100亿元人民币以应对市场变化。

总体来看，该公司的扩产计划更多是对未来需求增长的前瞻性布局，而非短期供需失衡的信号。

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