存储巨头定档今夏美股上市!最多募资100亿美元

一、赴美上市进程加速

4月16日，《韩国先驱报》报道，SK海力士向美国存托凭证（ADR）承销团提议，将目标上市日期定在6月或7月。目前，该公司正加快相关程序，有望今年年中赴美股上市。上个月，SK海力士已向美国证券交易委员会（SEC）提交申请，计划2026年前推进ADR上市。

ADR由美国存托银行发行，代表非美国公司在美股市场交易的股份。今年1月，SK海力士注销价值12.24万亿韩元（约合83亿美元）库存股，预计将以发行新股形式进行ADR上市，目标缩短上市周期，强化海外募资。其意图通过赴美上市筹集10万亿至15万亿韩元（约合67至100亿美元）资金，用于加大人工智能基础设施建设，如在韩国龙仁市建设半导体集群、扩大存储产品产能。

三、巨额投资建设集群

SK海力士已决定在2030年底前投资21.6万亿韩元（约合147亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂，计入2024年7月公布的设施投资成本，总投资额将达31万亿韩元（约合210亿美元）。其战略目标是在2050年前在龙仁投资600万亿韩元（约合4072亿美元），运营四座晶圆厂。

四、估值差距与潜力展望

过去一年，作为存储超级周期最大受益者之一，SK海力士股价上涨565%。但今年证券机构给其远期市盈率仅3 - 4倍，与美光（8倍）、闪迪（19倍）等美股存储巨头有差距。韩国资产管理公司Eugene Asset Management首席投资官Ha SeokKeun称，美国机构投资者通过ADR投资SK海力士人工智能基础设施后，其在高带宽内存（HBM）领域的主导地位有望在估值中体现。

五、HBM供应调整动态

SK海力士正调整HBM供应，计划降低今年向英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM4）出货量，预计比原计划减少20%至30%，业内猜测或因英伟达Vera Rubin量产困难。同时，公司将提高HBM3E或其他服务器级LPDDR出货量，内存总需求未减。

六、行业景气持续看好

中信证券称，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，主观上原厂资本支出上修聚焦2027年后长期基建，新增产能释放滞后；客观上受洁净室建设周期、核心设备交期及HBM“产能吞噬效应”限制。预计存储行业供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026全年，看好存储产业趋势，推荐相关原厂、设计及模组公司。

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