受益于存储芯片缺货浪潮，国内DRAM原厂与国内NAND原厂业绩持续走高。

市场人士透露，在需求强力拉动下，国内NAND原厂2026年第一季营收已超200亿元，同比增幅翻倍，其NAND闪存全球市占率已跨过10%关口，正在逐步逼近国际前三大厂商的水平。

下游客户对这两家原厂抢货势头凶猛，客户必须先打款，等资金到账后才能进入排产队列，产出后再通知客户提货。

随着AI服务器需求突然暴增，HBM这类高毛利产品占比持续拉高，间接挤占了一部分低阶产品的产能空间，甚至出现阶段性停产的情况。

在产能重新分配的过程中，部分产品的交期明显拉长，市场风气逐渐转向“有货才是王道”，下游对价格的敏感度反而下降，供货能力成为最关键的竞争要素。

与此同时，下游品牌厂商也在调整采购策略，加大与本土存储原厂的合作力度，以兼顾安全与成本效率。

即使存储原厂加紧提升DRAM产能，到2027年底预计也只能满足全球60%需求。

SK集团董事长给出悲观预测，认为这波短缺可能持续到2030年。

全球三星、SK海力士及美光三大存储原厂都砸钱盖新厂，努力增加产能，但新建产能最快要到2027-2028年才能上线。

放眼2026年，除SK海力士2月于韩国清州一座新厂投入量产外，三家巨头几乎没有更多贡献出更多产能。

根据市场研究机构Counterpoint Research数据，为了满足需求，2026年与2027年的产能每年必须成长12%，但目前增长幅度仅7.5%。

三星电子工会向公司施压升级，警告下月计划举行的罢工可能造成高达30万亿韩元的生产中断损失。

估算全面罢工将造成20万亿-30万亿韩元的生产损失，日均损失超1万亿韩元。

工会已定于4月23日再次举行劳资谈判，若谈判破裂，计划于5月21日-6月7日开展为期18天的罢工。

自工会3月暂停谈判以来，劳资谈判一直处于僵局。

三星电子2026年营业利益有望高达300万亿韩元，工会指责管理层回应缺乏诚意。

工会称过去四个月，已有超200名员工跳槽至SK海力士。

三星电子已向法院申请禁制令，阻止工会占领半导体产线等重要设备，避免造成重大营运损失。

SK海力士宣布，正式量产基于第六代10纳米级1c工艺的LPDDR5X低功耗DRAM的192GB容量SOCAMM2产品。

SK海力士表示，公司采用1c工艺的SOCAMM2，是专为高性能AI运算优化的解决方案。

与传统的RDIMM相比，带宽提升超两倍，功耗降低75%以上。

寄存双列直插式内存模块（RDIMM），则是在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。

SOCAMM2产品是面向英伟达的Vera Rubin平台设计的，可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈问题，SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。

SK海力士方面还表示，随着AI发展从训练转向推理阶段，支持大语言模型低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满足全球云服务供应商客户需求，公司提前搭建起稳定的量产体系。

华擎联合Intel及十铨推出了一项名为HUDIMM的新内存标准，通过简化内存结构来降低DDR5的制造成本。

HUDIMM的核心思路是单子通道设计，标准UDIMM内存包含两个32位子通道，而HUDIMM仅保留一个32位子通道。

意味着内存只需焊接一半数量的DRAM芯片，成本随之大幅下降。

华擎已在600/700/800系列主板上通过BIOS更新启用了HUDIMM支持，数据实测，一条8GB HUDIMM（1×32位）搭配一条16GB UDIMM（2×32位）的带宽表现，超过单条24GB UDIMM（2×32位）。

意味着单子通道内存可以与双子通道内存混合使用，性能并未因通道减半而受损。

该技术还将以HSODIMM形式面向笔记本和迷你设备，作为传统SODIMM的低成本替代方案，在更小体积内提供接近的性能和更低的价格。